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现代生物技术的发展,一方面对体育兴奋剂的检测提供了有力措施,另一方面由于基因工程的发展,基因兴奋剂的产生又对反兴奋剂生物芯片提出了新的挑战。 相似文献
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兴奋剂问题是当前世界性难题,兴奋剂与反兴奋剂这对矛盾短时间内将继续存在.本文对兴奋剂发展及趋势进行研究,为反兴奋剂提供一些理论依据. 相似文献
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黄青 《内江师范学院学报》2007,22(4):118-121
兴奋剂的使用在现代体育比赛中日益泛滥,并困扰着竞技体育的健康发展.该本文通过对较多的文献资料研究,总结了使用兴奋剂的原因及特点,进一步探讨了世界体坛反兴奋剂运动的新趋势和新举措,期望能为我国体坛反兴奋剂提供借鉴和参考. 相似文献
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反兴奋剂--竞技体育永恒的话题 总被引：2，自引：0，他引：2
郭瑞华 《周口师范学院学报》2005,22(2):91-93
兴奋剂问题一直困扰着竞技体育,本文对兴奋剂使用的社会根源及反兴奋剂面临的困难进行分析,提出了反兴奋剂的观点和方法. 相似文献
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悉尼奥运会反兴奋剂的新突破 总被引：2，自引：0，他引：2
体坛使用兴奋剂现象与日俱增,反兴奋剂面临诸多不利因素.经过国际体育组织坚持不懈反兴奋剂,取得了丰硕的成果,悉尼奥运会实现了对促红细胞生成素的检测,第一次在奥运会实行了血检,大大遏制了体坛滥用肽类激素之风,增强了人们对反兴奋剂必胜的信心. 相似文献
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对我国反兴奋剂犯罪的刑法规范进行梳理,认为我国的《刑法》和单行刑法都没有设立兴奋剂罪,有关兴奋剂犯罪的附属刑法规范主要存在于《反兴奋剂条例》及其他相关法律之中。探讨其中存在的问题,为反兴奋剂犯罪的刑事立法提供参考。 相似文献
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费娓宁 《中国科教创新导刊》2011,(1):211-211
兴奋剂违背了体育伦理,亵渎了体育精神,破坏了人与人之间的尊敬。本文从现象出发,分析了使用兴奋剂的伦理学因素,从体育伦理角度研究了反兴奋剂的途径,强调了体育运动的内在价值,呼吁坚决反对兴奋剂。 相似文献
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庞玉枝 《和田师范专科学校学报》2008,28(5):196-197
如何使2008年的北京奥运会远离兴奋剂,这是国内外各界共同关注的话题。通过对奥运会兴奋剂使用的回眸,分析了兴奋剂的作用和危害,国际反兴奋剂的历史回顾及其面临的严峻性和长期性的原因,提出并论证了反兴奋剂的种种对策。 相似文献
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熊任翔 《湖南广播电视大学学报》2010,(1):75-78
本文根据一般法理,对国际奥委会的反兴奋剂规则的国际法性质进行了详细论述,指出认为反兴奋剂规则是民间团体自律性规则的传统观点已不合时宜,应随着形势的变化,对反兴奋剂规则的性质进行重新审视。 相似文献
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研究了不同浓度的掺杂对多层铜氧化物的反铁磁性带来的影响.随着掺杂浓度x的加大,铜氧化物的奈尔温度TN急剧下降.当x达到某一临界值时TN=0,即是代表系统的反铁磁体态消失了.从实验数据上看掺杂对TN的影响,与铜氧化合物的层数是有关的.文章将从理论上讨论对于不同层数的铜氧化物,TN随掺杂浓度x的变化. 相似文献
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以乙二胺和钛酸四丁酯作为原料,采用改进的溶胶-凝胶法合成了碳掺杂TiO2可见光响应的光催化材料.以XRD、TEM、XPS、UV-vis等手段对样品进行了表征.结果表明：碳掺杂可以阻止样品由锐钛矿相向金红石相的转变,同时还可以抑制晶粒的生长.碳取代晶格中氧原子形成Ti—C键和O—Ti—C键,它能改变TiO2的能带结构,诱导可见光响应,还可提供新的活性点;碳掺杂400℃煅烧的样品具有较强的可见光响应.可见光下降解亚甲基蓝（MB）的结果表明：乙二胺加入1 mL,煅烧温度400℃时的样品具有最高的可见光光催化活性. 相似文献
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Mn位掺杂是调整稀土锰氧化物中Mn3+-O2--Mn4+网络的一种十分有效的方法,对理解稀土锰氧化物材料的物理机制和微观机理具有重要作用。在Ln1-xAxMnO3体系中,当x=0.3左右时,Mn位微量掺杂即可破坏原有的长程铁磁有序与金属性共存,而产生团簇玻璃型(短程)铁磁有序行为;多数情况下,TP降低,对应的峰值电阻率ρp急剧升高,居里温度TC降低,CMR效应增强。当x=0.5时,通过在Mn位掺杂可以使反铁磁绝缘母体产生铁磁金属性行为;电阻率急剧降低,出现CMR效应。 相似文献
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采用动电位扫描结合SEM和XRD等技术研究先进电子制造封装过程中Sb掺杂对64Sn-35Bi-1Ag钎焊料在3%（wt.）NaCl溶液中腐蚀和电化学迁移行为影响。结果显示：Sb掺杂前后腐蚀电流密度（Icorr）随着Sb含量增加而有较显著的变化。其中当Sb含量小于1%时,随着Sb含量增加,其腐蚀电流密度（Icorr）减小。当Sb含量大于1%时,其腐蚀电流密度（Icorr）随着Sb含量的增大而增大;不论掺杂多少量,Sb掺杂后,钎料的腐蚀速率显著的增大,说明Sb掺杂后64Sn-35Bi-1Ag更易被腐蚀。电化学迁移结果显示,Sb掺杂前后,枝晶生长的速率显著不同,且枝晶成份有较大差异,掺杂后大于掺杂前,说明Sb掺杂不利于先进电子制造和封装技术。 相似文献
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