共查询到10条相似文献，搜索用时 31 毫秒
1.
60年代后期,美国Bell实验室和IBM公司的华裔学者卓以和、张立纲首先提出,利用在超高真空中(10~(-9) ~10~(-11)托)分子运动的喷射效应(自由程可达100厘米以上)来进行分子尺度超薄层材料外延生长,即今天人们称之为分子束外延或MBE(Molecular Beam Epitaxial)技术。MBE技术的成功,使得在各种基底材料上任意地生长出厚度为原子(或分子)尺度量级的 相似文献
2.
随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。 相似文献
3.
4.
5.
获得大面积的组成均匀的高质量HgCdTe外延材料是光伏型红外焦平面列阵探测器(FPA)制备的关键问题。HgCdTe液相外延(LPE)制备技术是现今HgCdTe红外探测器工业所使用的主流技术。从80年代开始,人们研究发展了HgCdTe材料的分子束外延(MBE)技术。大量研究表明,MBE HgCdTe材料具有更好的表面形貌、更好的外延层组成和厚度均匀性,以及更好的组成x值和电学参数控制能力等优点。MBE HgCdTe材料性能以及所制备的探测器水平已经达到与LPE HgCdTe材料相媲美的水平。 相似文献
6.
7.
近20年来,半导体薄层、超薄层异质外延技术如分子束外延、金属有机物化学汽相淀积等得到了巨大发展,用这种技术生长的AlGaAs/GaAs,InGaAsP/InP材料和异质结构已成功地制备出了高性能的电子和光电子器件,引起了世界上物理学家和工程技术专家们的极大兴趣。本文将简要地综述近几年来半导体材料异质外延技术的新进展。并对目前存在的问题及其进一步发展做初步讨论。 相似文献
8.