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以高熵合金(Al Cr Nb Si Ti V)为靶材,Ar为工作气体,N2为反应气体,利用反应式直流磁控溅镀在硅晶片和车削刀具上制备高熵合氮化薄膜,探讨不同溅镀沉积时间对(Al Cr Nb Si Ti V)氮化物薄膜表层微结构及机械性质的影响。沉积薄膜中所有元素的相对原子浓度与高熵合金靶材相当。氮化物薄膜组织均匀、致密地附着于基材,薄膜表面为颗粒状组织。随着溅镀时间的增加,显示薄膜表面晶粒变大,薄膜沉积速率下降。应用高熵合金(Al Cr Nb Si Ti V) N氮化物薄膜镀层刀具干式切削S45C中碳钢圆柱工件时,工件表面的粗糙度和刀具的侧面磨损显著降低。研究显示镀层可有效提升刀具切削效率,延长刀具使用寿命,溅镀时间30 min时,车削刀具的切削性能最佳。 相似文献
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采用磁控溅射（Sputtering）方法在Si（100）上成功生长了Al2O3薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长。通过ZnO薄膜的表征。表明,ZnO薄膜能在Al2O3过渡层上沿c轴准外延生长,采用适当的Al2O3过渡层后,其电学性质也有大幅提高。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法（sol—gel）法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了BaZr0.75O3,（简称BZT）薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线（TG—DTA）分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,650℃时已经基本形成了钙钛矿结构,结合原子力显微图确定薄膜的热处理温度为750℃。 相似文献
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中国科学院物理研究所 《中国科学基金》2007,21(2):127-127
近日,中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室SF4研究组及其合作者在薄膜生长动力学研究中取得新进展。他们从实验和理论上研究了Si(111)单晶衬底上Pb薄膜中的厚度变化对原子表面扩散运动的影响,证明了量子尺寸效应对原子表面扩散运动的调制作用。该成果被选作封面图片发表在美国《物理评论快报》(Phys．Rev．Lett．97,266102(2006))上。 相似文献
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吸波材料是飞行器规避探测的重要手段之一。本文对目前研究较为成熟的铁氧体吸波材料进行介绍,按照晶型结构对其进行分类并分别介绍其晶体结构和研究进展,概述了铁氧体材料吸波性能改进的研究概况,并总结了在选择适宜材料时应重点关注的性质。 相似文献
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铁氧体吸波材料在应用的过程中可以体现出非常大的优势,它的价格相对比较低,同时吸收的效率也非常高,所以在当今的很多领域都得到了较为广泛的应用,随着时代的发展,这项技术也会不断的改进和完善,所以其也会在将来的一段时间当中有非常好的发展前景。本文主要分析了铁氧体吸波材料的制备研究进展,以供参考和借鉴。 相似文献
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在光学系统中,SOI(绝缘体上的半导体)上制备集成的MMI(多模干涉)型光耦合器已成为一种愈来愈引人注目的无源器件.由于Si和SiO2 之间具有大的折射率差,在SOI波导中可以采用SiO2 薄膜( <1.0 μm)作限制层,这与超大规模集成电路工艺相兼容.描述了采用SOI技术制备集成的MMI型光耦合器和光开关的设计和制造结果.业已证实,2× 2MMI MZI(多模干涉 麦赫 曾德干涉)型热光开关的开关时间小于 2 0 μs. 相似文献