共查询到20条相似文献，搜索用时 46 毫秒
1.
对叠氮化钠晶体进行了第一性原理计算,获得了该晶体的电子结构和介电函数等光电性质。研究显示叠氮化钠晶体是间接能隙值为3.946eV的绝缘体。在-1.60eV～0eV能量范围内,也就是叠氮化钠晶体费米面附近的价带主要由N原子的p电子构成;在3.6eV～6.31eV能量范围内,也就是费米面附近的导带主要由N原子的p电子构成,Na原子的s电子和p电子也略有贡献。叠氮化钠晶体静态实介电函数值为3.946eV。叠氮化钠晶体虚介电常数在3.35eV～25eV很宽的频率范围内有5个峰值,分别在频率为5.47eV、10.87eV、13.85eV、16.26eV和19.31eV等处,其中最大峰值在5.47eV,可能是电子直接从费米面下的第二价带跃迁到费米面上导带底部形成的。 相似文献
2.
采用流动氩气电弧熔炼和高温退火法制备了Gd3-xErxFe25Cr4(x=0.3-1.2)化合物,用X-射线研究了该系列化合物的晶体结构和磁晶各向异性,粉末X-射线结果表明:这些化合物都具有Nd3(Fe,Ti)29单斜结构,属于A2/m空间群;Er对Gd的替代不改变化合物的晶体结构;晶格常数a、b和晶胞体积V随着Er含量的增加而增加,而晶格常数c则几乎没有变化,取向X-射线结果表明该系列化合物是面各向异性化合物。 相似文献
3.
4.
《大众科技》2015,(10)
采用从头算MP2方法,对乙炔分子中的π键与(HX)2(X=F,Cl,Br,I)形成的典型X-H···π键复合物进行了系统的研究,并对构建的复合物结构、相互作用能和BSSE进行了优化计算,对计算结果在结构、分子间相互作用能等参数进行分析,最后对C6H6中的π键与(HCl)2形成的典型X-H…π键复合物进行计算研究,并比较炔烃和芳香烃中的两种π键与卤化氢形成的复合物在氢键性质差异。研究结果表明,C2H2···(HX)2复合物体系随着卤素原子序数的递增,结构参数都出现了周期性增加,复合物的相互作用能在整体上呈现减小的总趋势;C6H6···(HCl)2复合物相互作用明显强于C2H2···(HCl)2复合物。 相似文献
5.
6.
王艳华 《内蒙古科技与经济》2013,(11):69+77
对用空气中固相反应烧结法以掺杂稀土锰氧化物(La0.7Y0.3)2/3A1/3MnO3(A=Ca,Sr)多晶样品,利用振动样品磁强计研究了样品的磁性质;利用四引线测电阻法对晶体磁电阻进行了测量,发现以不同的碱土金属部分替代La1-xAxMnO3中的La,碱土金属元素的掺入量对其磁性质也有一定的影响;同一配方组成条件下掺Sr比掺Ca样品的磁电阻随磁场变化更明显。 相似文献
7.
8.
9.
10.
运用基于密度泛函理论的第一性原理计算了对Li4Ti5O12体系进行Ti位掺杂后的各种属性,包括掺杂后的晶格参数,优化体积,体系总能以及嵌入电压等。计算结果显示对体系掺入少量Mn原子会使体系体积收缩,并且会降低体系的平均嵌入电压。更有趣的是,靠近Mn原子的八面体TiO6结构出现扭曲,且有发生了Jahn-Teller效应。 相似文献
11.
《中国科技信息》2017,(5)
BiS_2-基超导体中BiS_2层状结构与铜氧化物超导体以及铁基超导体等非常相似,能带结构计算发现该系统具有很好的网状的费米面拓扑结构,因此,短程的磁涨落可能诱导了电子配对从而表现出非常规的超导电性;在这篇文章当中,我们使用在单一的非磁性杂质中的局域电子结构来证明BiS_2-基超导体的对称性,以BiS_2-基超导材料为研究对象,从两带的紧束缚模型出发,利用T矩阵近似和格林函数的方法,在弱散射和强散射情况下,考虑不同的掺杂浓度,考虑传统的s-波、扩展的s-波、s±-波以及2 2x yd--波的配对对称性,研究单个非磁性杂质诱导的杂质共振态以及空间调制结构,为判断超导配对对称性提供理论依据,从而揭示其中的非常规超导机理。 相似文献
12.
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对纯LiMgN,Cu掺杂LiMgN,以及Li过量和不足时Cu掺杂LiMgN体系进行几何结构优化,计算并分析体系的电子结构、半金属性、形成能及光学性质.结果表明,Cu掺入使体系产生自旋极化杂质带,表现出半金属性,且体系性质受Li计量数的影响.当Li不足时体系的杂质带宽度增大,半金属性增强,净磁矩增大,同时体系的形成能降低,居里温度提高.而当Li过量时,体系半金属性消失,但带隙值减小,导电能力增强.通过比较光学性质发现,Cu掺入后体系在低能区出现新的介电峰,且当Li不足时介电峰增强,同时复折射率函数也发生明显变化,体系对低频电磁波吸收加强. 相似文献
13.
采用高温固相法在1400℃合成了新型橙红色Sr_2MgAl_(22)O_(36):Sm~(3+),M~+(M=Li,Na)荧光粉。通过X射线衍射仪及扫描电镜对样品进行表征。XRD测量结果表明,所制备的样品为MgAl_(22)O_(36)纯相。激发光谱显示,样品在330~480nm范围内能得到有效激发。在405nm激发下,发射光谱由三个锐锋组成,其峰值位于562nm(4G5/2→6H5/2),595nm(4G5/2→6H7/2),640nm(4G5/2→6H9/2),其中595nm处峰值最大。文章研究了Sm~(3+)掺杂浓度及电荷补偿剂对荧光粉发光性能的影响。Sr_(2-2x)Sm_xM_x(M=Li,Na)Mg Al22O36的发光强度随着Sm~(3+)浓度的增大,先增大后减小,最佳Sm~(3+)的掺杂量为x=0.05。Sr_(2-2x)Sm_xNa_xMgAl_(22)O_(36)的发光强度高于Sr_(2-2x)Sm_xLi_xMgAl_(22)O_(36)。 相似文献
14.
本文基于密度泛函理论的平面波超软赝势法计算了 Eu、N 单掺杂和共掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质.结果表明,Eu 单掺杂 TiO2体系,可以减少光生电子-空穴对的复合速率;N 单掺杂 TiO2增强了其对可见光的响应;而 Eu/N 共掺杂引起晶格畸变,导致禁带宽度变窄,光吸收带边红移到可见光区,提高 TiO2的光催化效率以促进其更好的利用太阳能. 相似文献
15.
采用密度泛函理论(B3LYP)方法,在LANL2DZ和6-31G(d)混合基组水平上,对标题有机锡配合物进行从头算研究,探讨了化合物的结构、能量、振动光谱,结果表明,优化的结构和计算频率与实验符合的较好。而且发现了标题配合物和四氢呋喃形成了弱的复合物,并提供了理论解释。 相似文献
16.
《黑龙江科技信息》2017,(16)
半导体材料作为场效应晶体管的关键组成元素,严重的影响器件性能,相对于小分子半导体材料,聚合物半导体材料具有很多优势,比如便于溶液加工、适用于室温制备等。目前,高迁移率聚合物半导体材料经过多年研发,已经取得了突飞猛进的成果,并且经过不断的创新,诞生了各种结构新颖、性能良好的聚合物半导体材料,不断优化器件制备工艺,使得聚合物场效应晶体管的载流子迁移率从10~(-5_cm~2v~(-1)s~(-1)提升到了36.3cm2v~(-1)s~(-1)。详细地描述了高迁移率聚合物半导体材料的研究现状,分析了高迁移率聚合物在半导体器件设计中的应用情况,从空穴传输型、电子传输型和双极传输型等三个方面分析高迁移率聚合物半导体研发现状,归纳和总结半导体材料,从而可以进一步的为半导体器件构筑提供一定的指导。 相似文献
17.
《科技风》2017,(8)
能够实现热能和电能转换缓解能源紧张问题的热电材料已经被公认,为了提高材料的热电性能,最重要的是提高材料的热电优值。这里采用合金化来优化GaN的热电性质。主要采用基于密度泛函理论计算的软件VASP和基于玻尔兹曼理论的BoltzTraP软件对GaN以及Al_(0.25)Ga_(0.75)N进行了计算。通过计算得出GaN及其合金Al_(0.25)Ga_(0.75)N的能带结构,电导率,功率因子,塞贝克系数,热电优值。P型GaN的ZT在1100K时达到了0.039,P型的Al_(0.25)Ga_(0.75)N的ZT值在1100K时达到了0.661。Al_(0.25)Ga_(0.75)N的热电优值明显高于GaN的热电优值,合金化可以优化GaN的热电性质。 相似文献
18.
本文分析了跨音速流中Ma及Re对边界层的影响,结论为Ma的增加使得激波强度增加,流向逆压梯度增加,边界层厚度增加较快,容易分离;Re的增加有两个效应：一是使得转捩提前,二是使得边界层变薄。R e增加使得激波后机翼表面压力降低,升力损失减小。跨音速范围内,Re对边界层与外流的干扰十分显著。 相似文献
19.