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以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3/PbTiO3铁电多层薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.通过电滞回线和漏电流曲线对薄膜的铁电性能进行了测量.研究发现,原位生长的薄膜已经具备了较好的铁电性,这为(1-x)Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-x0.1PbTiO3薄膜的低温制备提供了可能性.经过退火后,薄膜的铁电性略有下降,高温下铅的损失可以很好的解释这一现象. 相似文献
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《绵阳师范学院学报》2015,(8):6-9
以LaNiO3做缓冲层,用射频磁控溅射法在SiO2/Si(100)衬底上制备出0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3铁电薄膜.采用两步法在峰值温度750℃对薄膜进行退火.分析了薄膜的漏电流机制,研究表明,薄膜漏电流在低场强下(<32kV/cm)符合欧姆(热电子发射)导电机制并受到晶界限制行为的影响,在中场强下(3285kV/cm)空间电荷限制电流(SCLC)机制占据优势,在高场强下(8585kV/cm)空间电荷限制电流(SCLC)机制占据优势,在高场强下(85100kV/cm)富勒-诺丁海姆(FN)隧穿机制起主导作用. 相似文献
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运用脉冲激光沉积方法,在Pt(111)基片上沉积制备Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜。通过对X射线衍射(XRD)分析表明,薄膜的正交相随衬底温度升高而增强,随薄膜厚度增加而减小。P-E电滞回线实验表明,提高衬底温度有助于增强薄膜铁电性能。400℃氧气中原位退火后薄膜剩余极化(2Pr)达到8μC/cm2。5V以下薄膜漏电流密度为3.2×10-6A/cm2。Hf0.5Zr0.5O2薄膜的疲劳特性测试表明,在经过2×109次反转后可参与翻转总极化值有一定下降。 相似文献
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用电子束蒸镀方法在250℃~450℃的衬底温度范围内在单晶Si衬底(111)晶面上成功生长了Zn0.85Co0.14Cu0.01O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明:当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄,仅为0.408°。 相似文献
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《洛阳师范学院学报》2017,(8):22-25
本文合成了一个新的Cd(II)配位聚合物{[Cd_(0.5)(Ac)(bbib)_(0.5)](H_2O)_2}_n,并对其晶体结构进行了研究.该晶体属于单斜晶系,C2/c空间群,晶胞参数:a=11.1259(4) ,b=14.7638(5) ,c=16.4687(7) ,α=90°,β=106.975(4)°,γ=90°,V=2587.31(18)~3,Z=8,D_c=1.517 mg/m~3,最终偏差因子R_1=0.0294,wR_2=0.0691[I(2((I)],F(000)=1208.0.该配合物的1D链结构通过氢键链接为2D层结构,进而通过π-π堆积作用形成了最终的3D结构. 相似文献
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采用液相法合成了多晶材料,用高温提拉法(CZ法)生长出Er3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体.用ICP光谱法测定晶体中Er3 离子含量为1.25 at%,分凝系数为1.06.采用热磷酸腐蚀晶片,在偏光显微镜下对晶体的(010)、(001)面上的缺陷进行了观察,可明显观察到位错线、生长层和包裹物.由此得出,Er3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体的主要缺陷是位错、生长层和包裹物等. 相似文献
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《洛阳师范学院学报》2019,(2):35-38
以2-氨基-4-吡啶羧酸(Hain)和2, 2’-联吡啶为配体,通过水热合成法合成了一个新的Ni(Ⅱ)配位聚合物{[Ni_(0.5)(py)(H_2O)_2]·(ain)·(H_2O)_3}_n,并对其晶体结构进行了研究.该晶体属于正交晶系, Fdd2空间群,晶胞参数:a=22.3018(17)?,b=20.8637(12)?,c=13.7290(7)?,α=β=γ=90°,V=6388.0(7)?~3,Z=16,Dc=1.402 mg/m~3,最终偏差因子R_1=0.0582,wR_2=0.1706 [I> 2σ(I)],F(000)=2856.0.该配合物为零维单核结构,通过复杂的氢键堆积为最终的3D超分子结构. 相似文献
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《赤峰学院学报(自然科学版)》2021,(9)
运用太阳能进行可见光催化二氧化碳还原是实现碳中和目标的有效途径。如何培养具有专业素养的环境治理人才是本科院校重要研究方向。本文以In_2O_3/Zn_(0.5)Cd_(0.5)Se异质结材料的合成为媒介,采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及二氧化碳光催化还原测试等方法研究In_2O_3/Zn_(0.5)Cd_(0.5)Se复合材料的合成方法、物相成分、形貌状态、化学组成及在碳中和领域的应用。该研究表明,以球形花状的In_2O_3纳米球作为基底材料,通过与Zn_(0.5)Cd_(0.5)Se复合得到的In_2O_3/Zn_(0.5)Cd_(0.5)Se异质结材料拥有更高的CO_2转化CO性能。通过该创新实验的设计,能够更好地培养材料类专业人才。 相似文献
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陈书汉 《广东教育学院学报》2011,(5):40-45
建立超薄膜Si外延生长的晶格一动力学蒙特卡罗模型,并应用该模型模拟了Si原子在Si（111）基底上外延生长的过程．系统研究了沉积时间、基片温度对于薄膜初始生长形貌的影响,如影响粒子的扩散与凝聚、岛的生长等微观过程． 相似文献
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《实验室研究与探索》2019,(10)
<正>4块材的优良性能所制备的块材很好地保留了其纳米单元纳米尺度的优良性能(图5)。其中,碳纳米管/细菌纤维素复合材料薄膜的导电性与力学强度综合性能优于以往报道的所有同类材料。此外,在保持高强度的同时,这种复合材料薄膜的电磁屏蔽性能也优于已报道同类材料。这种常温常压下的微生物发酵过程不涉及使用任何有机溶剂,也不产生任何有害物质排放,具有环境友好、成本低等优势。特别是这种新的固态基底-气溶胶生物合成法可灵 相似文献
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本文首先采用磁控溅射工艺在FTO衬底上沉积Sb_2S_3薄膜,然后通过Se化处理工艺制备Sb_2(SSe)_3薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜及紫外-可见分光光度计对薄膜的结构及光学性能进行了分析.在此基础上,初步制备了上衬底结构的太阳电池器件并对其性能进行了测试.结果表明,随着Se化温度的提高,所制备的Sb_2(SSe)_3薄膜晶粒逐渐变大,同时光学带隙逐渐降低.这主要是由于在Se化过程中,Se原子替代Sb_2S_3中S原子的位置所造成的.所制备的太阳电池器件开路电压达到了469.3mV,二极管理想因子为2.6,反向饱和电流为3.389×10~(-8)A. 相似文献
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《洛阳师范学院学报》2017,(8)
本文合成了一个新的超分子[C_(16)H_(10)O_9][C_(12)H_(12)N_2]_(0.5)·H_2O,并测定了其晶体结构.该晶体属于三斜晶系,P-1空间群,晶胞参数:a=7.7013(4) ,b=11.1712(5) ,c=12.3977(6) ,α=75.589(4)°,β=82.907(4)°,γ=79.022(4)°,V=1010.89(9)~3,Z=4,D_c=1.131 mg/m~3,最终偏差因子R_1=0.0579,wR_2=0.1390[I(2((I)],F(000)=364.0.该配合物通过分子间氢键作用形成三维网络结构. 相似文献
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用In2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶.在Si和SiO2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备In-N共掺杂氧化锌薄膜.在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜.初步研究了INZO共掺杂薄膜的电阻率随退火条件的变化. 相似文献
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分别以Na Cl、KCl、Li2CO3、化学计量比为1:1的(KCl+Na Cl)为助熔剂,采用熔盐法制备了Ca0.99(WO4)0.5(Mo O4)0.5:0.01Eu3+红色荧光粉。利用扫描电子显微镜和荧光分光光度计分析不同类型的助熔剂对Ca0.99(WO4)0.5(Mo O4)0.5:0.01Eu3+荧光粉的颗粒形貌和荧光性能的影响,以及复合助熔剂(KCl+Na Cl)的含量变化对荧光粉的颗粒形貌和荧光性能的影响。结果表明:Na Cl、KCl、Li2CO3分别作为助熔剂时,荧光粉荧光强度增幅程度小,而(KCl+Na Cl)作为助熔剂,荧光粉的发光强度增幅程度大。当(KCl+Na Cl)复合助熔剂含量为1.5 g,粉体的荧光强度较大,颗粒分散性较好,粒度比较均匀。 相似文献
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《南阳师范学院学报》2016,(6):1-3
环Fpm+u Fpm是主理想环不是有限链环,研究了F_(p~m)+u F_(p~m)上的λ_1+λ_2u-常循环码,其中F_(p~m)为含有p~m个元素的有限域,u2=u.确定了该环上λ_1+λ_2u-常循环码的结构,并给出了其上常循环码的生成多项式. 相似文献