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以[Zn(NH3)4]2 为前驱体,在不同的溶剂热条件下合成了多刺球状、镂空球状、花状、铅笔状、棒状等微观形貌的氧化锌, XRD结果显示氧化锌是六方相纤锌矿结构,就溶剂对形貌的影响进行了初步探讨. 相似文献
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以Zn(NO3)2.6H2O和NaOH为原料,采用改进的水热法通过控制反应溶液的浓度、反应温度和反应时间等沉积参数,合成了包括氧化锌纳米棒阵列、蜂窝状氧化锌纳米棒、花状氧化锌纳米棒等纳米结构.用XRD、SEM和HR-TEM对样品进行了表征,结果表明所制样品为六方纤维锌矿结构的ZnO晶体;SEM测试结果显示ZnO晶体的形貌呈花状和蜂窝棒状等形貌,HR-TEM结果表明单晶纳米棒沿[0001]方向生长.研究了玻璃衬底上装配的花状氧化锌纳米棒的场发射特性,测试结果表明花状氧化锌纳米棒具有优良的场发射;开启场强为4.3V/μm,当场强为8V/μm时,发射电流密度达到2.2mA/cm2. 相似文献
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《实验室研究与探索》2015,(1)
采用水热法和微乳液法分别制备了4种具有不同形貌(海胆状、花状、立方块状及棒状)的氧化镍纳微米材料。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜以及全自动比表面积仪对其晶相结构、表面形貌、比表面积及孔容孔径进行了测试,以亚甲基蓝模拟废水为降解对象,考察了所制纳微米材料的光催化活性。结果表明:不同形貌氧化镍纳微米材料对亚甲基蓝模拟废水的降解均有光催化活性,且为一级反应,其中比表面积最大的棒状纳米氧化镍表现出最好的光催化活性,在有光照同时曝气的条件下,催化剂用量为0.1 g时,光催化降解2 h后,5 mg/L的亚甲基蓝模拟废水的降解率可达90.2%。 相似文献
4.
单分散球形碳酸钙粒子的简易合成 总被引:1,自引:0,他引:1
通过一种有机聚合物聚乙烯苯磺酸钠(PSSS)对碳酸钙粒子的调制作用,以碳酸钠和氯化钙为初始反应物合成出具有不同形貌的碳酸钙粒子。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对所得产物的结构和形貌进行表征。同时研究了不同高分子浓度对CaCO3粒子的晶型和形貌的影响。结果表明高分子浓度是影响CaCO3粒子形貌的重要因素。随着实验条件的变化,晶体形貌由板状聚集体向球形转变。同时确定了合成单分散球形碳酸钙粒子的最佳实验条件。 相似文献
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在水溶液中将胶原大分子吸附于氧化铝纳米粒子表面,通过自由基引发的接枝共聚反应在胶原大分子上接枝聚丙烯酸丁酯支链制备了胶原丙烯酸丁酯接枝共聚物/氧化铝核壳型复合纳米粒子.确定了胶原大分子在氧化铝粒子表面的最佳吸附量以及探讨了接枝反应时间对接枝率、复合粒子的壳层厚度及红外发射率(8~14μm)的影响.结果显示,接枝反应时间在12—20h时,复合纳米粒子的壳层为厚度小于15nm的胶原丙烯酸丁酯接枝共聚物层;聚丙烯酸丁酯支链的接枝率为3.7%左右时,复合纳米粒子在丙酮、氯仿等有机溶剂中分散良好;胶原吸附量为3.01g/100gA l2O3时,胶原氧化铝复合物的红外发射率下降程度最大,相应的复合纳米粒子的红外发射率最低可至0.527.胶原大分子与氧化铝纳米粒子的界面相互作用导致了复合纳米粒子红外发射率的降低. 相似文献
6.
《赤峰学院学报(自然科学版)》2017,(19)
在本文中,六水合硝酸锌提供锌源,DMF作为有机溶剂,利用溶剂热法来得到MOF结构的ZnO.利用扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X-射线衍射(XRD)对其形貌与结构进行表征.对有机污染物亚甲基蓝,进行以氧化锌为光催化剂的光降解实验.实验结果表明:在可见光作用下,光催化时间为90min时,亚甲基蓝溶液的降解率达到64.72%. 相似文献
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利用水热法分别制备了α-FeO3纳米棒和立方体,并以其作为前驱物制备了α-Fe2O3/SnO2复合材料.样品的成份、结构、形貌和尺寸采用X-ray粉末衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等测试手段进行了表征.分析结果发现,α-Fe2O3前驱物的形貌能够影响α-Fe2O3/SnO2的最终形貌和结构.以α-Fe2O3纳米棒作为前驱物时,α-Fe2O3/SnO2复合材料是由棒状结构组成的团聚体;而以α-Fe2O3立方体作为前驱物时,在相同的制备条件下能够得到α-Fe2O3/SnO2球形粒子.最后对α-Fe2O3前驱物的形貌对α-Fe2O3/Sno2复合材料生长过程中的影响机理进行了探讨. 相似文献
9.
以透明导电玻璃(TCO)为衬底,用硝酸锌水溶液作为电解液,采用阴极电沉积法合成了ZnO薄膜.通过改变电解液浓度、温度和沉积电压等实验条件,系统研究了锌氧化物薄膜材料的电化学沉积过程.用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见光谱法等技术对沉积物的形貌、结构及光学性质进行了表征.结果表明,通过控制电解液的浓度和温度及沉积电压等反应条件可以制备出不同形貌的ZnO薄膜.XRD结果表明,所得的ZnO纯度高且呈六方纤锌矿结构;光谱法研究表明,该薄膜在344 nm和552 nm处有两个吸收峰,禁带宽度为3.25 eV. 相似文献