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3AD50型锗低频大功率三极管质量的优劣直接影响着MFB型发爆器产品的质量.本文通过对3AD50型三极管共发射极输出特性曲线的研究分析,找出评估3AD50型三极管质量的方法,就是采用DW4822型晶体管特性图示仪去观察三极管共发射极输出特性曲线,并计算出电流放大倍数h_(fe),以便选出最理想的曲线、放大倍数合适的三极管确定为合格的三极管而上机从而保证发爆器的质量. 相似文献
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三极管作为放大电路的核心元件广泛地应用于模拟电子线路中,为此从使用的角度出发必须掌握它的外部特性。 (一)共射输出特性曲线及主要参数 三极管的共射输出特性曲线如图1所示,由图可见,三极管的主要参数I_(CEO)、P_(CM)、BV_(CEO) 相似文献
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第一章 基本放大电路和多级放大电路 一、学习要点 1.双极型三极管的电流分配关系和放大作用,NPN型三极管共射输入、输出特性曲线和有关主要参数,PNP和NPN型三极管在电压、电流方向上的不同点。 相似文献
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郭淑珍 《现代远程教育研究》1994,(2)
第一章基本放大电路和多级放大电路一、学习要点1.双极型三极管的电流分配关系和放大作用,XPX型三极管共射输入、输出特性曲线和有关主要参数,PNP和NPN型三极管在电压、电流方向上的不同点。2.基本放大电路的组成原则,直流通路和 相似文献
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从三极管的内部结构、物理特性以及三极管的输出特性分析了三极管集——基短路后的工作特性，从而得出结论：在镜像电流源中，三极管集——基短路后还会有Lc，而且Lc≈βIB。 相似文献
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宋卫星 《中国现代教育装备》2013,(13):4-6
用矩形波发生器、锯齿波发生器、二-十进制计数器、阶梯波发生器、模拟开关、差分放大器、反相比例求和电路构成的双簇型晶体三极管输出特性图示电路,与通用示波器相结合能够实现两只三极管输出特性的同时测试,通过测试可以方便地比较两只三极管输出特性的异同。在缺少专用测试设备的条件下,采用上述方法对双三极管输出特性的异同进行测试仍是一种方便、实用的方法。 相似文献
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余孟尝 《中国远程教育(综合版)》1985,(8)
半导体(硅)三极管既是基本的放大元件,又是重要的开关元件。因此,在数字电路的学习中,要注意在理解的基础上,熟悉其输入、输出特性,掌握其开关应用,一、半导体三极管的输入特性要理解三极管的输入特性,首先应该熟悉二极管的伏安特性。1.半导体二极管的伏安特性图1.1(a)是半导体二极管的符号,1.1(b)是伏安特性——反映加在二极管两端的电压V_D和流过其中的电流I_D两者间关系的曲线。 相似文献
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崔艳华 《连云港职业技术学院学报》2007,20(1):20-22,34
晶体三极管的输入、输出特性曲线测试是模拟电子技术最基本的实验之一.掌握正确的测试方法,才能得到正确的结果.本文分析了不同测试电路可能得到的不同结果,给出了合理的测试电路及符合理论要求的测试结果. 相似文献
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1 半导体二极管、三极管和MOS管1.1 掌握的内容 半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容 半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数I_F,I_R,U_(BR)的物理意义,半导体三极管(NPN硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,α,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS管主要参数U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容 相似文献
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对晶体三极管输入特性进行分析,利用电流表、电压表测量,证实当V_(CE)=0V时,集电极比发射极先导通;当V_(CE)>1V时,晶体管处于放大状态. 相似文献
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在小信号条件下 ,给出晶体三极管三种接地形式的单级放大器的等效电路 ,并指出它在对放大器进行分析时 ,具有简单和方便的特点。 相似文献
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王丽君 《湖北广播电视大学学报》2012,32(8):159-160
本文通过实验获取数据的方式进行绘制特性曲线图,对光电二极管与光电三极管的光电特性和伏安特性进行比较他们特性的异同,并分析原因。 相似文献
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单缝和双缝衍射光强分布测量的新方法 总被引：1，自引：0，他引：1
利用光敏三极管代替硅光电池和光敏二极管来测试单缝和双缝衍射的光强分布.由于光敏三极管的光电流较大,测试光电流时,可用普通的电流表（微安表）进行测量,使实验变得简单可行. 相似文献
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陆安山 《株洲师范高等专科学校学报》2005,10(2):40-42
分析晶体三极管三种组态电路H混合参数，用不同方法导出共集、共基放大电路H参数和更精确的共集电极及共基电极晶体三极管H参数与其共发射极组态H参数的关系，说明不同组态电路有相同的电路形式。 相似文献
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Based on the region model of lambda bipolar transistor （ LBT）, a dividing region theory model of PLBT is set up.simulated and verified. Firstly, the principal operations of different kinds of photoelectronic lambda bipolar transistor ,（ PLBT） are characterized by a simple circuit model. Through mathematical analysis of the equivalent circuit, the typical characteristics curve is divided into positive resistance, peak, negative resistance and cutoff regions. Secondly. by analyzing and simulating this model, the ratio of MOSFET width to channel length, threshold voltage and common emitter gain are discovered as the main structure parameters that determine the characteristic curves of PLBT. And peak region width, peak current value, negative resistance value and valley voltage value of PLBT can be changed conveniently according to the actual demands by modifying these parameters. Finally comparisons of the characteristics of the fabricated devices and the simulation results are made, which show that the analytical results are in agreement with the observed devices characteristics. 相似文献
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通过对三极管放大电路的分析 ,用代数叠加和图解两种方法 ,推导出了三极管放大电路获得最大动态范围时基极偏置电阻阻值的估算方法 相似文献