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我国第一台激光分子束外延设备研制成功 总被引：2，自引：0，他引：2
激光分子束外延是近几年才出现的一种新型高精密制膜技术,它集普通脉冲激光沉积(PLD)的特点和传统分子束外延(MBE)的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体,不仅可以生长通常的半导体超晶格材料,尤其适于制备多元素、高熔点、复杂层状结构,如超导体、光学晶体、铁电体、压电体、铁磁体以及有机高分子材料等薄膜,同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究。因此,激光分子束外延具有重要的学术意义和广泛的应用前景。 相似文献
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半导体超晶格是当代固体物理学的新生长点和重要前沿领域。它是以具有各种人工剪裁能带结构的半导体低维电子系统(二维、一维和零维)为其主要研究对象,涉及半导体物理、材料和器件的综合性研究领域。“半导体超晶格微结构”的研究属国家自然科学基金委员会重大基金项目,它以探索、开发新一代固态电子、光电子器件作为研究工作的着眼点,以生长超薄、陡变和大面积均匀的超晶格、多层异质结等低维量子结构的分子束外延(MBE)和金属有机化合物气相淀积(MOCVD)等超薄层材料生长手段为技术基础,着重开展半导体超晶格低维系统与普通三维固体不同的新物理现象和效应及其潜在的应用前景方面的基础研究,研究和探索新一代超晶格量子器件的新原理、新模式和新结构。本项目的总体设想是要在全国范围内组织起具有国内第一流水平,国际先进水平的,对半导体超晶格量子阱材料、物理和器件进行综合性基础研究的科研实体,经过“七五”和“八五”期间的工作,应当将我国在该领域内的基础研究整体水平推进到国际先进行列,并且在某些专题研究方面应当做出具有特色的,国际领先的研究成果。 相似文献
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获得大面积的组成均匀的高质量HgCdTe外延材料是光伏型红外焦平面列阵探测器(FPA)制备的关键问题。HgCdTe液相外延(LPE)制备技术是现今HgCdTe红外探测器工业所使用的主流技术。从80年代开始,人们研究发展了HgCdTe材料的分子束外延(MBE)技术。大量研究表明,MBE HgCdTe材料具有更好的表面形貌、更好的外延层组成和厚度均匀性,以及更好的组成x值和电学参数控制能力等优点。MBE HgCdTe材料性能以及所制备的探测器水平已经达到与LPE HgCdTe材料相媲美的水平。 相似文献
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随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。 相似文献
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采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料．采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器．波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ． 相似文献
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固态材料在应力作用下发生损伤、断裂是一类极为普遍的现象,是材料研究中最复杂、最重要的问题之一。百余年来,人们对损伤、断裂问题进行了广泛研究,涉及从微观到宏观整个领域。在微观尺度(<10~(-6)米),从原子到晶粒,属于材料科学范围;在宏观尺度(>10~(-2)米),属于工程技术范围,很大程度上基于经验;介于二者之间的中间 相似文献
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半导体超晶格微结构是理想的技术上能很好控制的低维物理系统，是一大类以“能带工程”为设计依据和以分子束外延（ＭＢＥ）技术为基础的新型人工材料，具有重大的光电子和微电子器件应用前景。８０年代以来，作为物理、材料与器件３者的结合点，半导体超晶格微结构一直是半导体科学最活跃的研究前沿领域。黄昆及其合作者自１９８６年开展超晶格电子态和声子模理论研究以来，对光学声子模式和激子态理论的发展做出了关键性的重要贡献，在电子态理论上发展了有自己特色的计算方法。超晶格振动是超晶格物理的基础。准二维量子结构中的光学振动… 相似文献
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专家档案：成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。 相似文献
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21世纪的前沿科学--纳米科学和工程 总被引：1，自引：0，他引：1
纳米技术时代——“钻石时代”今天的时代被称为信息时代,信息时代后面将是什么时代?科学家们预言说——将是纳米技术时代! 纳米,即毫微米(10~(-9)米),这是一种可以用来量度分子大小的微观尺度。1纳米相当于一个氢原子半径(0.5A°,1A°=10~(-8)厘米)的20倍。1纳米的长度相对于1厘米来说,好比是1厘米相对于100公里。纳米技术,有时又称分子纳米技术,即在原子和分子层次上系统地组织、刻划和操纵物质的技术。我们今天的制造技术,如果从分子层次上来说,其实是非常粗糙的,从铸造、研磨和碾碎,直至最精细的平板印刷刻蚀,在这些制造工艺中所移动的原子都是数目庞大的统计数量级的、即多达几百万以至几十亿 相似文献
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顾名思义,“介观”世界是指介乎宏观世界和微观世界的过渡区,它的空间尺度在10~(-10)～10~(-7)米的范围内,因此可以认为是具有微观特征的宏观体系。长期以来,由于种种原因,人们的绝大部分注意力一直集中在10~(-10)米以下的微观世界和10~(11)米以上的宇观世界(当然,不用说在10~(-7)～10~(11)米范围内的宏观世界了),因此,介观 相似文献
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纳米科学与技术新进展 总被引：1，自引：0，他引：1
纳米科学与技术(简称纳米科技)是在纳米(1nm=10~(-9)米)尺度上研究物质(包括原子、分子)的特性和相互作用,以及利用这些特性的多学科的高新科技。它的最终目标是直接以原子、分子及物质在纳米尺度上表现出来的特性制造具有特定功能的产品,实现生产方式的飞跃。有人预言纳米科技将会给人类带来一次产业革命。本文简述了纳米科技的历史和最新进展,介绍了纳米生物学、纳米化学、纳米电子学、纳米机械学、纳米材料学方面的研究。另外对促使纳米科技发展的重要工具——扫描隧道显微镜(STM)和在STM基础上发展起来的其它扫描探针 相似文献
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近年来发展起来的蓝宝石图形化衬底(PSS)技术,不仅能减少生长在蓝宝石衬底上GaN外延材料的位错密度,延长LED使用寿命,还能提高LED芯片的出光效率,从而提高LED发光效率。本文着重介绍了蓝宝石图形化衬底的两种主流制备工艺及其优缺点,并比较了两种不同图形尺寸制备蓝宝石图形衬底的特点及对LED的光输出功率的改善,并展望了图形化衬底技术未来的发展方向。 相似文献
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近20年来,半导体薄层、超薄层异质外延技术如分子束外延、金属有机物化学汽相淀积等得到了巨大发展,用这种技术生长的AlGaAs/GaAs,InGaAsP/InP材料和异质结构已成功地制备出了高性能的电子和光电子器件,引起了世界上物理学家和工程技术专家们的极大兴趣。本文将简要地综述近几年来半导体材料异质外延技术的新进展。并对目前存在的问题及其进一步发展做初步讨论。 相似文献