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硅是微电子技术的材料基础。为了发展光电子集成就必须研究硅基发光材料。多孔硅是硅基发光材料的一个重大突破,并实现了多孔硅发光二极管与集成电路的集成。同时,硅基发光材料研究的纵深发展,出现了发光强、稳定性好的硅基多孔SiC蓝光发射材料和发光波长范围宽的纳米半导体镶嵌SiO_2发光材料。硅基镶嵌纳米发光材料是一个富有活力,有应用前景的研究领域。 相似文献
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随着电动汽车的快速发展,对锂离子电池的负极材料有了越来越高的要求。目前商用锂离子电池的负极材料还是以石墨为主,但是石墨负极的理论比容量较低(为372 mAh/g),严重限制了锂离子电池的能量密度。硅的理论比容量高达4 200 mAh/g,被认为是最有前途的锂离子电池负极材料之一。然而,硅负极材料在锂化的过程中会伴随着巨大的体积膨胀效应,导致电极材料破裂和粉碎,从而大幅度降低电池的循环稳定性,并且硅的电导率不理想,也限制了其倍率性能和循环性能。用石墨烯对硅负极材料进行改性,有望缓解其电极材料的体积膨胀以及导电性差的难题。本文重点阐述了石墨烯对于硅基负极材料的性能提升机理,期望对未来石墨烯改性硅基负极材料的制备和研究提供思路。 相似文献
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本文主要是结合真空包套热挤压和空气雾化水冷的相关工艺方法,针对轻质高硅铝合金材料,制造出高硅铝合金,作者进一步利用显微镜和热差分析仪等电子设备观察、测试和分析了该高硅铝合金的组织结构、物理方面性能和力学性能。得出结果为:随着硅含量的增加,高硅铝合金材料的热导性能减少的幅度会增加;热膨胀系数减少;抗拉强度减弱;热导率减少。 相似文献
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SnO2是一种重要的宽能级n型半导体金属氧化物,是一种重要的功能材料。制成的SnO2纳米棒可以在传感器方面发挥很大用途,在透明导电薄膜、太阳能电池电极、光催化剂等方面发挥重要作用。实验采用多孔硅为模板,使用直流磁控溅射的方法,向多孔硅的孔柱内溅射Sn,使孔柱内生长了一定厚度的Sn膜。然后进行氧化工艺,生成SnO2。再进行刻蚀工艺,将多孔硅表面的SnO2膜腐蚀掉,再腐蚀一段多孔硅模板,露出一段SnO2柱,在模板上生长出SnO2纳米棒。 相似文献
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硅是地球上仅次于氧的第二多元素，旧称矽。1823年，瑞典人贝齐里乌斯，用氟化硅或氟硅酸钾与钾共热，得到粉状单质硅。贝齐里乌斯将制得的硅在氧气中燃烧，生成二氧化硅——硅土，由此硅才被确定为一种元素，并被命名为silicium，元素符号是Si。硅的化学性质比较活泼，高温下能与氧等多种元素化合，在自然界中主要以二氧化硅和硅酸盐的形式存在，其质量约占地表岩石的四分之一。 相似文献
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红光器件是通信领域各种光纤跳线、尾纤以及光纤线路维护等的重要捡测工具。而目前,红光光源的制备材料均为三五族材料的化合物半导体,如掺磷砷化镓等。为了降低成本研究制备出硅基红光光源是非常好的选择。本文中介绍了应用常规的等离子体增强化学气相淀积技术制备基于碳化硅的Fabry—Pemt结构全固态一维平面微腔。在488nm的激光激发下得到线宽为11nm,品质因子为59,峰位在646nm的发光谱线。与有源层的发光相比强度增强了2倍。为实现硅基光源在通信领域的应用奠定了基础。 相似文献
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由于硅材料的吸收特性,硅太阳电池不能有效利用太阳辐射光谱中的紫外光和红外光。光频转换技术通过光致荧光、光频下转换和光频上转换过程将紫外光和红外光转化为可被硅太阳电池利用的可见光,从而提升硅太阳电池的光电转化效率。本文介绍由光频转换得到的全太阳光谱硅太阳电池的原理和结构,并对各种光致荧光、光频下转换和光频上转换材料及其在硅太阳电池中的应用进行讨论。 相似文献
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专家档案：成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。 相似文献
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硅肥是水稻种植生产过程中较为常用的一种化肥品种,这是因为水稻是一种典型的喜硅农作物,在硅含量充足的生长环境下,水稻的生长会更加健康快速,抗旱、抗倒伏以及抗病虫害能力更强,能够有效提高水稻产量,促进水稻增收。但是在水稻不同的生长时期对其施加硅肥,所带来的增产效果是有很大差异的,也就是说,只有在合适的时期对水稻施用硅肥,才能达到较为显著的增产效果。现本文就针对水稻不同生长时期下施用硅肥的增产效果进行调查,指出在水稻硅肥在作为基肥或分蘖肥时增产效果最佳。 相似文献
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光电技术是电子技术和光子技术的交叉,利用光来作为信息和能量的载体,主要研究内容包括光信号的产生、频率变换、调制、传输和检测。目前主要应用于现代办公设备、材料加工行业、医疗行业、通信领域、危险场合。近年来的研究热点主要有新型激光器、硅基光子学、有机光电材料、光互联、光计算、光存储和生物医学应用等。 相似文献