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金属氧化物纳米点薄膜的模板法合成 总被引：6，自引：0，他引：6
报道了一种简便的金属氧化物纳米点薄膜的合成方法.首先制备了具有有序纳米凹坑阵列的多孔阳极氧化铝模板,然后在模板表面真空蒸镀金属薄膜,对所制备的金属薄膜进行氧化处理,得到了具有有序纳米点阵列的金属氧化物纳米点薄膜.纳米点的直径约为 1 0 0nm,高度约为 45nm,以六边形有序排列,密度约为 2× 1 0 1 3个/m2 . 相似文献
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硅是微电子技术的材料基础。为了发展光电子集成就必须研究硅基发光材料。多孔硅是硅基发光材料的一个重大突破,并实现了多孔硅发光二极管与集成电路的集成。同时,硅基发光材料研究的纵深发展,出现了发光强、稳定性好的硅基多孔SiC蓝光发射材料和发光波长范围宽的纳米半导体镶嵌SiO_2发光材料。硅基镶嵌纳米发光材料是一个富有活力,有应用前景的研究领域。 相似文献
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超疏水性纳米界面材料的制备与研究 总被引：8，自引：0，他引：8
制备并研究了几种超疏水性纳米界面材料,具体包括(1)以多孔氧化铝为模板,通过一种新的模板挤压法制备了聚丙烯腈纳米纤维,该纤维表面在没有任何低表面能物质修饰时即具有超疏水性,与水的接触角可高达173.8°.(2)利用亲水性聚合物聚乙烯醇制备了具有超疏水性的表面,打破了传统上只有利用疏水材料才能得到超疏水性表面的局限性,扩大了制备材料的应用范围.研究表明,这种特殊的现象是由于聚乙烯醇分子在纳米结构表面发生重排,使得疏水基团向外,分子间氢键向内,从而导致整个体系的表面能降低引起的.(3)将聚丙烯腈纳米纤维通过典型的热解过程,得到了具有类石墨结构的纳米结构碳膜,该膜表面在广泛pH值范围内都具有超疏水的特征,在基因传输、无损失液体输送、微流体等方面具有更广阔的应用前景.(4)利用喷涂-干燥技术制备了一种新型的同时具有超疏水及超亲油性的油水分离网膜.研究表明,网膜表面特殊的微米与纳米尺寸相结合的粗糙结构导致这种特殊的性质,该网膜具有很高的油水分离效率,具有极其广阔的应用前景. 相似文献
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利用硅基阳极氧化铝(AAO)模板制备的一维纳米管线在光电子学和磁存储领域有广阔的应用前景而硅基Al膜的制备是硅基AAO模板制备的前提。硅基Al膜的形貌,晶态结构,电阻率和剩余应力等都会影响硅基AAO模板的自组装过程。利用电子束蒸发在硅衬底上制备了一系列的Al膜,研究了沉积速率和薄膜厚度对硅基Al膜的形貌,晶态结构,电阻率等性能的影响和规律。 相似文献
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本论文通过改变前驱体浓度、水热温度等,使之对纳米棒生长机理的产生影响,同时通过对已合成的纳米棒薄膜生长晶种,进行二次水热,从而获得具有较高比表面积的树枝状纳米结构,进而提高电子的传输速度,有效提高太阳能电池的整体转换效率。 相似文献
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采用几种常用硅烷偶联剂以及两种自制偶联剂,分别对硅溶胶中的纳米SiO2粒子进行表面改性,之后将纳米SiO2粒子分散到含氢硅油中得到改性后的含氢硅油。考察了几种偶联剂对纳米SiO2粒子表面改性及其在含氢硅油中分散效果的影响。 相似文献
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用水热法,分别在0.01、0.02和0.05 mol/L的Zn2+浓度下生长了ZnO纳米棒,并用扫描电镜和光致发光的方法进行了分析.发现Zn2+浓度的提高增加了ZnO纳米棒的长度和密度.然而当Zn2+浓度超过0.02mol/L时,会引入较多的Zn间隙杂质,降低结晶质量. 相似文献
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利用交流电沉积在有序多孔氧化铝膜内制备了镍磁性纳米线。采用EFSEM、TEM等方法对镍纳米线阵列进行表征,并用VSM对样品的磁性能进行测试。结果显示,镍纳米线在生长过程中发生晶体演化现象,出现多晶→单晶→多晶→单晶的生长模式。 相似文献
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一、引言许多半导体器件表面都采用氮化硅作钝化膜。迄今,已经发展了许多种氮化硅的生长方法,如氮离子注入法、合金法、PECVD、LPCVD等。由于PECVD生长氮化硅设备及工艺简单,生长温度低,所以目前已被广泛采用。本文主要利用ADES400电子能谱仪,通过Auger电子能谱、深度剖析等手段,对国产平板型Si_4-NH_3混合气体PECVD生长设备生长的氮化硅膜的特性作一详细分析,从而揭示杂质及硅氮组成比对氮化硅膜性能的影响。二、实验条件和设备氮化硅薄膜淀积在〈111〉晶向的P/P~+硅外延片上,P型外延层的电阻率约为1Ω·cm。淀积设备为国产DD-P250型氮化硅淀积台。淀积过程中保持射频功率和频率稳定(50W, 相似文献
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