共查询到20条相似文献，搜索用时 15 毫秒
1.
2.
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,探索性研究制备μc-Ge:H薄膜的基本沉积参数,通过一系列处理技术实现了高晶化率超薄μc-Ge:H薄膜的制备,有效拓展了太阳电池的光谱响应范围。 相似文献
3.
《科技成果管理与研究》2008,(1):56-58
目前,等离子体科学和工程技术越来越广泛地被应用到国民经济的各个领域中。特别是低温非平衡等离子体已经广泛应用在半导体芯片的生产、功能薄膜的物理化学沉积和溅射、材料的切割和焊接、生物医疗和航空航天等各个领域。 相似文献
4.
采用直流磁控溅射工艺,在不同溅射压强条件下制备了薄膜太阳电池用金属Mo背电极。用场发射场发射扫描电子显微镜(FESEM)和四探针测试仪研究了溅射压强对薄膜的成膜速率和电学性能的影响。结果表明,较高溅射压强条件下,制得的薄膜电阻率较高,薄膜与衬底附着性能较好。随溅射压强减小,制备的薄膜电阻率降低,与衬底附着性较差。溅射过程中,改变溅射压强制备的双层Mo薄膜,能同时达到具有良好附着性和较低电阻率的要求,更适合做薄膜太阳电池背电极。 相似文献
5.
利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。 相似文献
6.
7.
本文综述了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的机理、特点及薄膜生长的主要过程,并介绍了其在制备半导体、高温超导、类金刚石、生物陶瓷薄膜等方面的应用.大量研究表明,脉冲激光沉积技术是目前最好的制备薄膜的方法之一. 相似文献
8.
为改进多晶硅薄膜制造工艺,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用x射线衍射仪(XRD)测试其晶体结构,用电导率设备测试其暗电导率.研究表明光照时间、光照强度都对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光波频率的影响作用更大. 相似文献
9.
为了消除单点金刚石车削(SPDT)后KDP晶体表面留下的周期性小尺度波纹,文章探索采用离子束溅射沉积-刻蚀的方法对车削后KDP晶体进行抛光加工。本文主要分析了平坦化层材料的选择,溅射沉积工艺参数对KDP晶体平坦化层粗糙度的影响,并计算了平坦化层刻蚀速率从而完成了刻蚀转移。利用刻蚀转移成功地将单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nmRMS,经过1.76nmRMS的平坦化层,最终刻蚀转移到KDP晶体表面得到1.84nmRMS的光滑表面,实验结果验证了离子束溅射沉积—刻蚀抛光方法的可行性。 相似文献
10.
11.
12.
13.
《科技成果管理与研究》2016,(1)
中国科学院合肥物质科学研究院(技术生物与农业工程研究所)黄青研究员带领的团队近年来在研究等离子体与生物及生物分子作用机理、低温等离子体生物技术及应用等方面取得进展.等离子体放电是得到低能带电粒子的一种重要方式,其放电过程中产生的带正电的离子和负电的电子与水分子碰撞产生活性氧和自由基,并伴有紫外线和冲击波等,作用于生物及生物分子,可诱导丰富的生物学效应. 相似文献
14.
简述了非晶硅薄膜太阳能电池的基本原理和生产工艺,特别介绍了等离子化学气相沉积(PECVD)反应沉积室四种结构和特点,以及非晶硅薄膜电池生产设备的特点,以及未来发展方向. 相似文献
15.
16.
本文利用等离子体接枝技术在纯钛表面成功接枝生物分子壳聚糖,通过通过衰减全反射红外光谱(ATRFTIR)、接触角(CA)、X射线光电子能谱(XPS)分析表明,利用等离子体活化技术可以在纯钛基底上键合生物分子. 相似文献
17.
本文采用磁控溅射法制备Ti、NdFeB薄膜,并研究分析了工艺参数对Ti薄膜及NdFeB磁性薄膜厚度的影响,这些工艺参数是溅射类型、溅射时间、基靶距。 相似文献
18.
19.
20.
通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。 相似文献