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选用ZrO2（5wt．％Y2O2）和Al2O2为粉体原料,采用溶胶凝胶法制备氧化锆基氧化铝（YSZ／Al2O3）复合陶瓷,研究了悬浮体的Zeta电位、分散性、流变性及其显微结构．结果表明：在pH=9～10附近、选用SD-00为分散剂,加入量为1．0wt．％,粉体最佳配比为70wt．％ZrO2（5wt．％Y2O2）和30wt．％Al2O3获得固相含量为50Vol．％的悬浮体,制备出了均匀致密、高强度的YSZ／Al2O3复合陶瓷． 相似文献
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在太阳光光照的条件下,采用正交实验法研究了Fe3O4／柠檬酸盐／H2O2催化氧化弱酸性红玉N-5BL废水的效果,探讨了染料浓度、Fe3O4和柠檬酸盐的用量以及溶液pH值对催化效果的影响．实验结果表明：在pH=2,1．5g／L柠檬酸钠,1．0g／LFe3O4和体积分数为0．5％H2O2体系中,0．04mg／L的弱酸性红玉N-5BL废水。在太阳光照射30min条件下。脱色率可达95％,弱酸性红玉N-5BL结构中的-N=N-和芳香环均被破坏． 相似文献
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以硝酸铋[Bi（NO3）3·5H2O]和钨酸钠（Na2WO4·2H2O）为原料,采用十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）辅助水热法成功合成了B2WO6晶体,并用XRD、SEM、IR、Raman、UV—vis分光光度计对样品进行了表征。测试结果表明,样品呈圆饼状形貌,属于正交晶系B2WO6晶体,平均晶粒尺寸约89．5nm。样品可见光降解罗丹明溶液（1×10^-5moL／L）表现为准一级反应,其反应速率常数为0．03111min^-1,光照60min时的光降解率可达91．6％。 相似文献
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TiCp/ZM5镁基复合材料的组织和性能 总被引：2，自引：0，他引：2
采用XD法制备TiCp／Al预制块．然后将其加入到Ar气保护的镁液中，通过机械搅拌制备TiCp／ZM5复合材料．对其显微组织和力学性能进行分析测试。实验结果表明：反应生成的TiC颗粒非常细小．粒径在1—3μm。加入5％TiC粒子后，TiCp／ZM5复合材料中的基体晶粒明显细化，Mg17Al12相变细小．加入10％的TiC粒子后，基体晶粒进一步细化，TiC粒子略有团聚。随着TiC粒子含量的增加．TiCp／ZM5复合材料的抗拉强度、屈服强度、硬度值提高，延伸率降低。 相似文献
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以平菇为材料,分析了不同浓度的Fe^2＋在其菌丝体和子实体中的富集及其生长的影响．试验表明：在液体培养基中添加150mg／L的Fe^2＋,平菇菌丝体中铁的含量最高为1．4mg／100g干重;在液体培养基中添加100mg／L和150mg／L的Fe^2＋,平菇菌丝体吸收铁的效率最高为2．0％;固体培养基Fe^2＋浓度为125mg／L时能明显促进菌丝体的生长;子实体中添加5gFeSO4．7H2O时能明显提高其产量,子实体中添加2．5gFeSO4．7H2O时吸收Fe^2＋的效率最高,为1．19％． 相似文献
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一、直接根据公式计算速率例1某温度下,反应2N2O5→←4NO2＋O2开始进行时c（N2O5）=0．0408mol／L,经1min后,C（N2O5）=0．030mol／L,则该反应的反应速率为多少？（用N2O5表示） 相似文献
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用常规的陶瓷工艺制备SnO2-Co2O3-Nb2O5-Y2O3陶瓷. 采用XRD、SEM来对陶瓷的微结构进行表征,详细研究了温度对陶瓷电学行为的影响. 结果表明:烧结的陶瓷结构致密,在陶瓷样品中,除了SnO2相之外,没有发现其他相,在晶粒与晶粒之间没有观察到明显的晶粒层. 在直流电条件下,陶瓷具有明显的稳定的变阻器行为,随着温度的升高这种行为减弱,电导率增大,表现出半导体行为. 这些事实可以归因于陶瓷中的固熔体和晶格中各种缺陷的形成. 相似文献
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运用浸渍法制备了一系列不同组成的（VTeO／SiO2）催化剂，研究了催化剂组成、制备条件和反应条件对丙烷选择氧化制丙烯醛反应性能的影响。结果表明，在VOx／SiO2催化剂中添加适量Te，丙烯醛选择性和收率显著提高。浸渍液的pH值为7，V、Te组分共浸渍制备的3V0．5Te／SiO2催化剂表现了最佳反应性能；在反应气组成C3H4：O2：He=1．2：1：1．2，反应气空速为3900mL.g-1.h-1，反应温度为520℃的最佳反应条件下，丙烷转化率为25．7％，丙烯醛选择性为25．5％，丙烯醛收率为6．6％。 相似文献
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杨树 《昆明师范高等专科学校学报》2006,28(4):90-91,100
合成了复合固体酸SO4^2-/Fe2O3-Al2O3，并将其用于催化乳酸与正丁醇的酯化反应．实验表明该催化剂不仅催化活性优于SO4^2-/Fe2O3，催化剂，而制备更容易．其最佳反应条件为：催化剂量为1．0g／0．1mol乳酸，醇酸摩尔比为2．5：1。反应时间2．5h．该催化剂具有催化活性高，不污染环境，可重复使用的优点． 相似文献
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利用磁控溅射的方法在n型硅基底制备了Cu／CoN／Si（100）和Cu／CoSiN／Si（100）薄膜,并对它们进行了不同温度的退火．用原子力显微镜观察了它们的表面形貌．用扫描透射电镜能谱分析法得到了在不同退火温度下铜在上面两种薄膜中浓度与表面距离的分布,然后利用菲克第二定律对Cu／CoN／Si和Cu／CoSiN／Si体系中cu的扩散进行了计算和分析,得出中温条件（300℃-700℃）下Cu在CoN和CoSiN两种薄膜中的扩散系数表达式分别为8．98×10^-13exp（-0．45eV／kT）cHf／s和5．39×10^-11exp（-0．49eV／kT）Cm2／s． 相似文献
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通过甘氨酸-硝酸盐（GNP）法合成了Ce0.8Sm0.2O1.9-δ-La0.9Sr0.1Ga0.8Mg0.2O3-δ（SDC-LSGM）复合电解质.采取共燃烧法制备了一系列不同质量百分比的复合粉体以提高这2种粉体的混和均匀度.通过XRD和SEM分析了复合电解质的物相和结构,并且采用直流四端子法和交流阻抗谱研究分析了复合电解质的氧离子电导率.SDC与LSGM的最佳混合质量比为8∶2,其电导率在800℃时为0.113S/cm,而电导活化能仅为0.620eV.交流阻抗谱显示,随着温度的降低,晶界电阻是复合电解质氧离子传输的主要障碍,在SDC中掺入一定量的LSGM不仅可以减少电解质的电子传导,还能改善电解质中晶粒与晶界微观结构,有助于氧离子传导性能的提高. 相似文献
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采用直流反应磁控溅射法,制备了铝掺杂的氧化锌薄膜.结果显示：薄膜在500℃退火后透光率高,光敏特性良好,并且有明显的紫外光响应.其XRD衍射谱表明随着O2与Ar流量比的增加,对应于（002）晶面的衍射峰趋于尖锐,c轴取向突出明显. 相似文献
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高立华 《洛阳师范学院学报》2012,31(5):34-36,45
在工作气压为1.9 Pa的氩氧气混合气氛中,改变氩氧的流量比和基片温度,采用射频反应磁控溅射法在不锈钢基片上制备了二氧化硅薄膜试样,并对薄膜的微观表面形貌和薄膜的亲水性进行表征.结果表明,在氩氧分压比为64和基片温度为90℃时制备的SiO2薄膜亲水性能最佳. 相似文献
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采用流变相法方法,成功地合成了六方晶型的LiMnBO3/C复合材料.用XRD、TG、SEM等技术对材料的结构和形貌进行表征,并对其电化学性能进行了测试,结果表明：在电压范围为1.0～4.6 V,电流密度为10 mA/g的充放电条件下,煅烧温度为800℃时,合成的样品首次放电比容量达到了139 mAh/g,而煅烧温度为800℃时,合成的样品首次放电比容量只有105mAh/g.其电化学性能有了明显的改善,具有较高的可逆比容量和优良的循环性能. 相似文献
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采用Stilling偶合反应合成了噻吩-苯-噻吩和2,5-二(三甲基锡)基噻并[3,2-b]噻吩窄带隙交替共轭聚合物PTPT-bT(Eg=2.03eV)。所得聚合物具有良好的热稳定性、溶解性及成膜性能。共聚物在四氢呋喃中和固体薄膜中的光致发光发射峰分别为566nm和583nm。最高占有分子轨道(HOMO)和最低未占有分子轨道(LUMO)值分别为-5.29eV和-3.01eV。在模拟太阳光照AM1.5(89mW·cm-2)下,基于PTPT-bT:PC70BM(1:4)共混膜的光伏器件的光电转换效率(PCE)为2.99%,开路电压(Voc)为0.80V,短路电流(Jsc)为6.97mA/cm2,填充因子为0.48。 相似文献
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利用N2物理吸附、XRD和空气热重对Cu-ZnO/Al2O3甘油加氢催化剂在制备过程中物相结构的变化进行了系统的研究.研究结果表明,干燥后催化剂主要由Cu2Zn4Al2（OH）16CO3 4H2O和Cu2（OH）2CO3物相组成,经过600℃焙烧4 h后,催化剂在沉淀过程中生成的Cu2Zn4Al2（OH）16CO3 4H2O和Cu2（OH）2CO3全部分解为CuO.在500℃催化剂具有最大的比表面积（79 m^2/g）和孔容（0.36 cm^3/g）. 相似文献
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溶胶-凝胶法制备四钛酸钾晶须 总被引：1，自引：0，他引：1
以Ti（n-OC4H9）4和CH3 COOK为前驱体，采用溶胶-凝胶法制备了高质量的K2Ti4O9晶须。以FT-IR表征溶胶-凝胶过程中的反应，运用TC-DSC和XRD研究了K2Ti4RO9的晶体生长过程。结果表明：溶胶很稳定，可长期保存；稀释剂和少量水对溶胶的稳定性无影响；溶胶-凝胶法制备K2Ti4O9晶须反应温度比固态烧结法低，276℃开始反应形成晶核，481℃开始生成K2Ti4O9纳米晶，597。C时形成K2Ti4O9晶粒，940℃制得的K2Ti4O9晶须长约50μm，K2Ti4O9晶须均匀、具有较大的长径比。 相似文献