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相似文献
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1.
顾可 《学周刊C版》2014,(11):166-166
本文在讲述了三极管开关原理的基础上,依据三极管独特开关特性,以一种新的思路,设计出了一款负压控制电路.通过对偏置电路的设计以及对三极管的开关特性的应用,实现了在TTL电压的控制下,将-5V稳压电源,转换成-0.5V与-3V的脉冲电压输出.并且可以根据实际需求,通过改变输出端偏置电阻的阻值,达到输出电压大小可调的特性.  相似文献   

2.
介绍一种以运算放大器为核心器件,通过NPN型三极管集电极输出的高压小电流精密恒流源电路,分析了电路的工作原理、重要元件的参数选择及电压检测电路带来的电流误差,给出了以运算放大器比例运算电路实现补偿的方法.该电路结构简单、性能稳定、线性度好,输出电流通过0-5V模拟电压调节,输出电压可达1100V,适合用作中高压化成箔到达电压的测试电源.丈中还给出了利用该恒流源电路构成四通道高压化成箔时间电压自动测试仪的硬件方案.  相似文献   

3.
介绍一种以运算放大器为核心器件,通过NPN型三极管集电极输出的高压小电流精密恒流源电路,分析了电路的工作原理、重要元件的参数选择及电压检测电路带来的电流误差,给出了以运算放大器比例运算电路实现补偿的方法.该电路结构简单、性能稳定,线性度好,输出电流通过0-5V模拟电压调节,输出电压可达1100V,适合用作中高压化成箔到达电压的测试电源.文中还给出了利用该恒流源电路构成四通道高压化成箔时间电压自动测试仪的硬件方案.  相似文献   

4.
设计了一种输入电压为5.5V~25V,输出电压为5V的直流稳压电源及其漏电保护装置系统.直流稳压电源模块采用达林顿管TIP42、OP07运算放大器及三极管构成一个深度负反馈稳压电路.输出电压经ADS1286转换为数字量后送入单片机采样输出电压,经霍尔电流传感器CSM002A、跟随器OP07后,送入ADS1286,转换为数字量后送入单片机采样负载电流.由软件程序计算功率,并在液晶上显示.通过采样负载电流与总电流的差值实现漏电检测,并进行漏电保护.经测试,系统电压调整率Su≤1%,负载调整率SL≤1%,5.5V ~ 25V输入,输出为5±0.05V.  相似文献   

5.
设计了一种以STM32F103VET6为核心的晶体管输入输出特性曲线测试仪。通过数字电位器实现对待测三极管基极输入电流的阶梯控制,基极驱动电流0~160μA,分辨率达到0.1μA;通过内嵌DAC控制三端稳压电路的输出实现集电极扫描电压的调节,输出范围0~30V,最高分辨率3.18mV;电流的测量首先通过采样电阻转换为待测电压,经仪表放大器进行放大后由内嵌ADC进行采样,采用中位值平均滤波法滤除采样干扰。由STM32F103VET6处理器对所测得参数运算处理,绘制晶体管输入输出特性曲线,通过LCD实时显示晶体管特性曲线及放大倍数hFE值;测试仪还具有与上位机通信的功能,方便实现对所测数据做进一步处理。  相似文献   

6.
王红云 《考试周刊》2011,(70):198-199
在三极管放大电路中,为了使三极管在正常工作时对输入信号进行不失真的放大后在输出端有相同的信号的波形,就要使三极管始终工作在放大区而不进入饱和区和截止区,这就要给三极管加上一个稳定的静态工作点电流。而这个电流就由三极管的偏置电阻来提供,这些偏置电阻就构成了偏置电路,偏置电路向放大器的三极管提供的电流就称为偏置电流。因为要使晶体管处于放大状态,其基极—射极之间的PN结应该正偏,集电极—基极之间的PN结应该反偏。  相似文献   

7.
实验中,当偏置电压达到一定阈值时,串联组合(双层)半绝缘(SemiInsulating,SI)砷化镓(GaAs)光电导开关(PCSS)输出为近似方波的双峰脉冲波形。输出脉冲随外加偏置电压的升高,上升时间基本不变,脉宽和下降时间都略有减小,双峰峰值均明显增大,开关呈现出不同于普通单个(单层)开关独特的实验现象。分析认为:串联组合SI GaAs光电导开关和普通单个开关各处于不同的工作模式中,组合开关工作在介于光激发电荷畴(Photoactivated Charge Domain,PACD)和限制空间电荷积累模式(Limit Space charge Accumulation,LSA)(简称限累模式)之间的混合模式,此工作模式使得组合开关中的电场都被扫进阈值之上的负微分迁移率区,抑制了开关进入非线性模式的锁定状态,工作效率较高;而普通开关则工作在光激发电荷畴模式,开关输出电脉冲波形呈现出典型的非线性锁定特性。  相似文献   

8.
半导体(硅)三极管既是基本的放大元件,又是重要的开关元件。因此,在数字电路的学习中,要注意在理解的基础上,熟悉其输入、输出特性,掌握其开关应用,一、半导体三极管的输入特性要理解三极管的输入特性,首先应该熟悉二极管的伏安特性。1.半导体二极管的伏安特性图1.1(a)是半导体二极管的符号,1.1(b)是伏安特性——反映加在二极管两端的电压V_D和流过其中的电流I_D两者间关系的曲线。  相似文献   

9.
设计了一种以单片机Atmega16为控制系统的步进电源,输出电压为0-+12V,通过按键可以实现±O.5V步进输出;采用4094驱动数码管显示,显示精度为0.1V。当输出超限时,具有自动报警功能。通过实验验证了此步进电源的实用性。  相似文献   

10.
阐述了一种采用UC3844集成芯片实现的单端反激式开关电源。通过阐述主电路以及控制电路的工作原理,提供了完整的多路输出开关电源设计方案。经测试表明按此方法设计的开关稳压电源可输出5V,12V,+15V,-15V,24V,该电路实现简单,效率高,可靠性高。  相似文献   

11.
第一章.门电路一、会分析计算对于比较简单的门电路要会分析计算,为此应该注意下面三点。1.熟悉半导体(硅)二极管和三极管的开关特性。(1)二极管:(?)导通条件:V_D>0.7V。导通时的特点:V_D≈0.7V,如同闭合的开关。截止条件:V_D<0.5V。截止时的特点:I_D≈0,如同断开的开关。(2)三极管(?)饱和导通条件:I_B>I_(BS)=I_(CS)/β。饱和导通时的特点,V_(?)≈0.7V,V_(?)=V_(?)≤0.3V,如同闭合的开关  相似文献   

12.
介绍了一种新型双正激高频软开关通讯电源,该电源电路的拓扑结构利用主功率变压器漏感和串接的电容、电感作为谐振元件来完成谐振过程,从而实现功率管的零电压或零电流开关转换,大大降低了功率器件的开关损耗。分析了电路工作原理,建立了各个工作模式的数学模型,设计了电路主要参数。实验表明该系统能安全、可靠运行,达到了高频、高效率和高功率密度等各项设计指标的要求,电路最大输出功率500 W,输出电压24 V,开关频率50 kHz,额定输出时效率达到93%。  相似文献   

13.
三极管的损坏,主要是指其PN结的损坏.按照三极管工作状态的不同,造成三极管损坏的具体原因是工作于正向偏置的PN结,一般为过流损坏,不会发生击穿;而工作于反向偏置的PN结,当反偏电压过高时,将会使PN结因过压而击穿.  相似文献   

14.
三极管的损坏 ,主要是指其 PN结的损坏。按照三极管工作状态的不同 ,造成三极管损坏的具体原因是 :工作于正向偏置的 PN结 ,一般为过流损坏 ,不会发生击穿 ;而工作于反向偏置的 PN结 ,当反偏电压过高时 ,将会使 PN结因过压而击穿。  相似文献   

15.
尹明 《实验技术与管理》2011,28(12):72-75,79
在电源主电路中利用三极管集电极-发射极间的等效电阻作为LM317调节端可变电阻,解决了宽范围输出电压源中运算放大器需要较高电压供电的问题,并采用二档自动调节LM317输入电压的方法和电感负载保护电路,降低了故障率;以8位微控制器AT89S52为核心构成串级控制系统,提高了输出电压的响应速度和控制精度;设计了LCD实时显示和键盘、编码器输出电压设定电路,操作方便,减少了操作时间,适应了实验教学需要。  相似文献   

16.
描述了应用于电流模逻辑电路中的高线性度电压-电流转换电路的设计与实现.该电路采用高增益两级运算放大器构成负反馈,偏置电路利用工作在弱反型区的MOS管电压电流呈指数律关系构成PTAT(proportional to absolute temperature)基准电流源.详细分析了电阻的类型以及运算放大器的参数对线性度的影响.通过优化运算放大器的参数并采用电压系数较小的多晶硅电阻作为线性器件获得了较高的线性度.本电路已采用CSMC0.6μm CMOS工艺实现,测试结果表明:输出的总谐波失真为0.000 2%.输入动态范围为0~2.6V,输出电流为50~426 μA.PTAT基准电流源对电源变化的灵敏度为0.021 7.芯片采用5 V供电,功耗约为1.3 mW,芯片面积为0.112 mm2.  相似文献   

17.
V-MOS管发电机调节器结构简单方便,无移动触点。价格低廉,适用于国内各种汽车。电压不超过12V,功率不超过350W即可。调节器由三极管BG和场效应管V-MOS开头电路。调节励磁绕组LQ的励磁电压来调节输出电压。  相似文献   

18.
在对微波炉磁控管进行伏安特性研究的基础上,设计了一种可调恒流开关电源,其最高输出电压为4 200V,额定输出功率为1 200W,输出电流0~270mA连续可调,以其取代传统的恒压源来驱动微波炉磁控管,阐述了其设计方法及测试结果。  相似文献   

19.
为了探究换流器件IGBT的开关特性,设计一套用于中压IGBT动态特性测试的实验平台。该测试平台采用双脉冲测试的方法,以计算机为核心,通过充电电容提供母线电压,通过DSP提供双脉冲,以高效能示波器实现数据的采集和存储。借助实验所得的电压、电流波形曲线及存储的数据,可估算IGBT的开关特性参数和损耗。通过对FF50R12RT4(1200V/50AIGBT)的开关特性的测量,从而验证了该平台的实用性。  相似文献   

20.
本文分析了整流电路的拓扑结构和操作模式,并探讨了该电路关键参数的选取依据,提出了临界导电模式功率因数校正Boost开关变换器的设计方法。仿真结果表明,本文所设计的以MC33262为核心的临界导电模式有源功率因数校正器能在90V~270V的宽电压输入范围内得到非常稳定的400V直流电压输出,并使得功率因数达到0.99.系统性能优越,达到了设计要求。  相似文献   

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