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以高熵合金(Al Cr Nb Si Ti V)为靶材,Ar为工作气体,N2为反应气体,利用反应式直流磁控溅镀在硅晶片和车削刀具上制备高熵合氮化薄膜,探讨不同溅镀沉积时间对(Al Cr Nb Si Ti V)氮化物薄膜表层微结构及机械性质的影响。沉积薄膜中所有元素的相对原子浓度与高熵合金靶材相当。氮化物薄膜组织均匀、致密地附着于基材,薄膜表面为颗粒状组织。随着溅镀时间的增加,显示薄膜表面晶粒变大,薄膜沉积速率下降。应用高熵合金(Al Cr Nb Si Ti V) N氮化物薄膜镀层刀具干式切削S45C中碳钢圆柱工件时,工件表面的粗糙度和刀具的侧面磨损显著降低。研究显示镀层可有效提升刀具切削效率,延长刀具使用寿命,溅镀时间30 min时,车削刀具的切削性能最佳。 相似文献
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采用反应磁控溅射法在镁锂合金衬底上沉积了CrN薄膜。并通过XRD、SEM、M263A电化学系统等技术分析了薄膜的组成、表面形貌,并着重研究氮化铬CrN薄膜在0.35%的NaCl溶液中对镁锂合金的防护性。结果表明：说明沉积的CrN薄膜提供了合金的抗腐性。 相似文献
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硬质Ti N薄膜在力学性能、耐腐蚀性能等诸多方面存在优势,是常用的合金表面改性材料之一。但是,长期使用过程中薄膜容易与基体脱离,关注并提高薄膜与基体之间的结合强度具有重要的现实意义。 相似文献
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机械合金化制备了Ti/Ni体系金属间化合物,利用X射线衍射分析仪、扫描电子显微镜观察分析观察Ti/TiNi合金的界面形貌。研究结果表明:初始Ti粉和Ni粉体颗粒较大,粒径约为40-50μm。Ti与30h机械球磨TiNi化合物粉体的连接界面处粉体连接致密,且界面平整,呈现了Ti/Ni金属箔连接界面的晶态连接特征。 相似文献
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以前,我们研究了金属镍与Ti45Zr35Ni17Cu3准晶合金球磨时,球磨时间和镍添加量对合金晶体结构及电化学性能的影响。结果表明,与具有电催化活性的金属球磨明显改善了电极的电化学性能。Jurczyk等报道了与镍粉球磨改善了Laves相(Zr,T)i(V,Mn,C)r2电极的电化学性能。Zr0.9Ti0.1(Ni0.57V0.1Mn0.28Co0.0)5与Co3Mo合金球磨,明显改善了电极的活化性能。Jaki指出,根据BrewerEngel理论LaNi5相对于氢分解反应具有优良的催化活性。用Zr和Al少量取代LaNi5合金中的La和Ni可明显增强电极循环稳定性和高温性能。因此,选择了Ti45Zr35Ni17Cu3与30mass%La0.9Zr0.1Ni4.5Al0.5准晶混合球磨,进而研究了球磨时间()t对合金的晶体结构及电化学性能的影响。 相似文献
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以4,4′——二氨基二苯醚(ODA)、氧化石墨烯(GO)和均苯四甲酸二酐(PMDA)为原料原位聚合制备聚酰亚胺/氧化石墨烯(PI/GO)纳米复合薄膜。通过扫描电子显微镜(SEM)证实氧化石墨烯的加入使得复合材料的结构更加致密。通过拉伸性能测试发现由于GO在PI基体中有良好的分散性,所以在拉伸过程中应力能够有效的转移,从而提高复合材料薄膜的力学性能。 相似文献
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高功率Ni/MH电池用AB5型负极储氢合金的研究 总被引：2，自引：0，他引：2
研究和开发具有优异高倍率特性的储氢电极合金是发展高功率型Ni/MH电池的技术关键,具有重大的理论意义和商业价值。基于合金热力学和动力学行为的讨论,研究了AB5型储氢电极合金的微结构对其倍率放电性能的影响。结果表明,由于非化学计量(B/A >5 )和高催化活性第二相的引入,B侧添加硼或钼可以显著提高合金的高倍率放电容量和低温放电容量。进一步结合A侧稀土成分优化,发展出一类具有优异倍率性能的MmNi3.55Co0.75Mn0.4Al0.3Bx(Mm为混合稀土)合金。该系列合金有望应用于高功率Ni/MH电池和低温( - 35 oC)Ni/MH电池。 相似文献
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采用浸涂工艺,使合金表面形成双-[3-(三乙氧基硅)丙基]四硫化物和3-[(2,3)-环氧丙氧]丙基甲基二甲氧基硅烷复合硅烷膜层。用红外光谱和扫描电镜对膜层进行了表征,结果表明,膜层的内层和外层和合金表面与内层分别形成形成了Si-O-Si和Al-O-Si共价键网络。 相似文献
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《中国科技信息》2007,(3):283-288
门极换向晶闸管(GCT)扩散阻挡层的研究The Research on Diffusion Barrier of Gate Commutated Thyristor摘要:通过对多种阻挡层特性的分析,选定了熔点高、化学稳定性好、电阻率低的TiN薄膜作为门极换向晶闸管阳极的阻挡层.采用磁控溅射技术生长的TiN,经俄歇电子谱仪分析表明,TiN阻挡层系统能有效地阻挡硅和铝的相互扩散,可作为门极换向晶闸管阳极理想的阻挡层材料.基金项目:辽宁省科技厅自然科学基金(002021);辽宁省教育厅自然科学基金(20021076)作者简介:吴春瑜(1953-),男,河北魏县人,辽宁大学教授,从事半导体物理与器件教学与研究… 相似文献
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采用粗粒化分子动力学模拟方法研究了柱状两嵌段共聚物/纳米粒子复合薄膜在剪切场下的相结构转变以及边界滑移行为。重点考察了表观剪切速率γ_a、纳米粒子以及纳米粒子与聚合物间相互作用强度ε_(A-NP)等因素的影响。通过分析薄膜内部的微观相结构、速度梯度分布、有效剪切速率以及各相间的相互作用能,探究了嵌段共聚物纳米复合体系的界面滑移机理。研究显示,纳米粒子的添加及纳米粒子与聚合物间相互作用强度的增大,均会使薄膜粘度升高,阻碍了其随剪切运动的能力,从而使体系出现急剧的边界滑移现象。当ε_(A-NP)20ε时,严重的边界滑移现象甚至使剪切作用无法有效地诱导纳米复合薄膜内部出现有序相结构。 相似文献
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本文采用磁控溅射法制备Ti、NdFeB薄膜,并研究分析了工艺参数对Ti薄膜及NdFeB磁性薄膜厚度的影响,这些工艺参数是溅射类型、溅射时间、基靶距。 相似文献
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在W_6Mo_5Cr_4V_2型高速钢表面沉积了新型的(Ti,AI川ie层,用透射电镜等研究了(Ti,AI)N/W_5Mo_5Cr_4V_2膜基界面区结构.结果表明,其界面区有一过渡层,由α-Ti和FeTi相组成,且与基体有一定的位相关系。 相似文献