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采用磁控溅射（Sputtering）方法在Si（100）上成功生长了Al2O3薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长。通过ZnO薄膜的表征。表明,ZnO薄膜能在Al2O3过渡层上沿c轴准外延生长,采用适当的Al2O3过渡层后,其电学性质也有大幅提高。 相似文献
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本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是:Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底;其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极,然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜,最后制备金属Al电极。由于本征层InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜具有可调禁带宽度,对该结构的太阳能电池起着巨大的作用,很大程度上提高了该结构太阳能电池的效率。 相似文献
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陈超 《内蒙古科技与经济》2016,(5):83-85
采用电子束蒸发法结合氧化工艺制备得到多晶Zn(O,S)薄膜,在可见光范围内,其平均透射率约为85%,禁带宽度为3.35eV;制备得到结构为glass/ITO/Zn(O,S)/SnS/Ag的异质结器件,表现出明显的整流特性;探讨了Zn(O,S)薄膜厚度对器件I-V特性曲线的影响,当Zn(O,S)薄膜厚度为100nm时,器件具有光响应。 相似文献
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ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有许多优异的光电特性。但一般制备出的ZnO薄膜材料均呈N型导电,要实现ZnO在光电器件领域的广泛应用,必须获得性能良好p型ZnO。然而,由于受主元素在ZnO中较低的固溶度、较深的受主能级、施主缺陷的自补偿等因素,很难制备出性能优异的p-ZnO。本文对P型ZnO薄膜的研究现状做一简要综述。 相似文献
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纳米ZnO在染料敏化薄膜太阳电池中的应用 总被引：8，自引：0，他引：8
尝试使用溶胶 凝胶法制备的纳米ZnO作为光阳极制作染料敏化薄膜太阳电池 ,并讨论了电池的性能 ,与染料敏化纳米TiO2 薄膜太阳电池作了比较 ,探寻利用纳米ZnO薄膜半导体材料作为光阳极的可行性 相似文献
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2001年,Matsumoto等人[1]报道了室温下有磁性的(Ti,Co)O的磁性半导体,得到磁矩为0.32μB/Co原子,且看到了磁畴结构。引起了人们对氧化物磁性半导体的极大关注[2-4]。但是随着对该体系研究的深入,越来越多的证据表明其磁性应该是来自Co的团簇[5,6]。ZnO是一种应用广泛的材料,它价格便宜,来源广,用途多。可以用作紫外线防护层、气敏传感器等。ZnO的帯隙是3.2ev,是六角密排结构并且很容易沿c轴择优取向,即使在无定型结构的衬底上低温生长也是如此。包括ZnO在内的Ⅱ-Ⅵ族的化合物通过掺杂后,会出现很多新的物理和化学现象,而ZnO可以很容易… 相似文献
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酞菁铜是一种重要的多功能高分子有机半导体材料,由于其特殊的化学结构,使其具有优异的耐热性,耐酸、碱性和耐化学品的性能,因此,是一种用途广泛的有机中间体。除了大量用于有机颜料及有机染料的生产外,在光学、电子、催化、原子能等高科技领域内也日益发挥着重要的作用。其中电学性能主要取决于酞菁铜内载流子迁移率的大小。本文详细介绍了酞菁铜薄膜热蒸发工艺,制作了ITO/Cu Pc/金属结构,测试了其电流-电压特性,并分析了在不同薄膜面积下其导电能力的变化。 相似文献
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通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。 相似文献
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比较两种不同的方法制备ZnO纳米结构 总被引：1，自引：0，他引：1
采用两种不同的制备方法,一是气-固反应法,得到ZnO和Zn的混合结构,其特征是棒状和片状纳米结构共存,具有良好的分散性,O和Zn的原子比接近2:3;另一种是均匀沉淀法,得到单一的ZnO纳米结构,ZnO以纳米棒形式存在,有少量的颗粒状结构。称取ZnO含量相同的两种不同产物进行光催化降解甲基橙实验,在距离30cm的30W紫外灯照射下,在降解50min之前,ZnO和Zn的混合结构的降解率大于ZnO纳米结构,在60min之后,ZnO纳米结构的降解率则大于ZnO和Zn的混合结构。 相似文献
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《黑龙江科技信息》2017,(25)
以硝酸锌、六次甲基四胺、聚乙烯基亚胺为原料,通过控制水热工艺,在柔性PET衬底上制备了具有有序阵列结构的氧化锌纳米棒,通过电子束蒸发镀膜方式在ZnO纳米棒周围包覆了Mn_3O_4薄膜,并结合微纳加工工艺,制备了基于Mn_3O_4@ZnO阵列复合电极材料的柔性透明超级电容器件。通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X光电子能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)等技术手段研究了复合材料的结构和形貌。并采用循环伏安法、电化学阻抗谱和循环充放电法研究了器件的电化学性能。结果表明,电子束蒸发工艺得到的Mn_3O_4薄膜具有优异稳定的电化学特性,三维ZnO纳米棒阵列可以作为透明电容器件的集电极,提供了较大比表面积,有利于提高器件的比电容,在2 m V/s时,器件的比电容可达9.2 m F/cm2,并且器件具有优异的抗弯折性能及稳定性,可以满足柔性储能器件的要求。 相似文献
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采用PLD方法制备了5at.%Co掺杂的ZnO0.95 Co0.05O薄膜,以及Co,Al共掺杂的样品,并对其进行了电学及磁学性质测量,发现ZnO:Co薄膜具有室温铁磁性,同时有着优异的透光特性及良好的导电性,有着集成磁光电特性与一体的潜质。Co,Al共掺杂的样品饱和磁矩有较为明显的增强,说明样品的铁磁性可能来源于载流子浓度的增加。 相似文献