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相似文献
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1.
1 半导体二极管、三极管和 MOS 管半导体二极管、三极管和 MOS 管的开关条件及开关工作状态下的特点。在数字电路中,半导体二极管、三极管和 MOS 管往往相当于一个“开关”,它的作用是使信号“接通”或“断开”。因此,这些半导体器件在多数情况下。工作在截止或饱和状态(导通状态),掌握半导体器件的开关条件和特点,是本章的重点。现将半导体(硅)管、NPN 型三极管(硅)和 NMOS 管的开关条件及特点汇总于表1中。  相似文献   

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1 半导体二极管、三极管和MOS管 半导体二极管、三极管和MOS管的开关条件及开关工作状态下的特点。 在数字电路中,半导体二极管、三极管和MOS管往往相当于一个“开关”,它的作用是使信号“接通”或“断开”,因此,这些半导体器件在多数情况下.工作在截止或饱和状态(导通状态),掌握半导体器件的开关条件和特点,是本章的重点。 现将半导体(硅)管、NPN型三极管(硅)和NMOS管的开关条件及特点汇总于表1中。 表1 半导体器件的开关条件及特点  相似文献   

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(一)填空题:1. 硅二极管的导通条件是___,导通后的特点是——;NPN硅三极管饱和条件是————,饱和状态的三极管的U_(CE)=—— 。2.三变星的逻辑函数,其最小项的个数共有  相似文献   

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1 半导体二极管、三极管和MOS管1.1 掌握的内容 半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容 半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数I_F,I_R,U_(BR)的物理意义,半导体三极管(NPN硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,α,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS管主要参数U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容  相似文献   

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1 半导体二极管、三极管和 MOS 管1.1 掌握的内容半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点,半导体三极管(NPN 型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点,NMOS 管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。1.2 熟悉的内容半导体硅二极管的伏安特性曲线、主要参数 I_F,I_R,U_((BR))的物理意义,半导体三极管(NPN 硅管)输入特性和输出特性曲线、主要参数β,a,I_(CBO),I_(CEO),I_(CM),P_(CM),U_((BR)CEO)的物理意义,NMOS 管主要参数 U_(TN)的物理意义及三个工作区域的特点。1.3 了解的内容  相似文献   

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“数字电子电路”是中央电大1999级工业自动化、电子仪器与测量、应用电子技术、通信工程等专业的一门必修课。为了便于同学们做好期末复习,现按教材章节顺序将教学要求予以小结,并给出一些练习题供同学们复习时参考。 1 半导体二极管、三极管和MOS管 1.1 掌握的内容 (1)半导体(硅)二极管开关应用时开关条件和开关状态下的特点。 (2)半导体三极管(NPN型硅管)截止、放大、饱和三种工作状态的条件及特点。  相似文献   

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在数字电路中,在稳状态,半导体二极管、三极管大多工作于截止或饱和态况,所以充分利用饱和和截止条件来判断其工作状态,进而确定电路的电压电流关系是很方便的。下面通过几个例题来探讨一下。例1.在图1所示电路中,已知输入电压V_i的波形见图2,试画出负截电流i_L和二极管上的压低V_D的波形。(设V_i频率不高,忽略二极管的反向恢复时间,并且V_i幅度大于0.7V)。解.利用二极管单向导电的特性,无论输入电压V_i是正弦波还是距形波,当V_i是正半周  相似文献   

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1 半导体二极管、三极管和MOS管 1.1 重点内容小结 (1)半导体二极管的开关条件及特点 表1列出了半导体二极管的开关条件及特点  相似文献   

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1 半导体二极管、三极管和 MOS 管1.1 重点内容小结(1)半导体二极管的开关条件及特点表1列出了半导体二极管的开关条件及特点  相似文献   

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对晶体三极管输入特性进行分析,利用电流表、电压表测量,证实当V_(CE)=0V时,集电极比发射极先导通;当V_(CE)>1V时,晶体管处于放大状态.  相似文献   

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归纳教学法在《模拟电子技术基础》教学中运用的比较普遍,主要方法有:二极管导通截止判断法、三极管工作状态判断法和三极管线性代换法等。  相似文献   

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现将数字电子电路教学基本要求作一小结,并结合典型例题的解析,进行复习辅导。 第一章 半导体二极管、三极管和MOS管 半导体二极管、三极管和MOS管是组成电子电路的基本元件,学习本章,要求: 1.掌握半导体二极管的单向导电特性,开关应用时的开关条件及开关状态下的特点。  相似文献   

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本文将按章节顺序,分掌握、熟悉、了解三个层次归纳教学要求,最后给出一些复习练习题,供同学们复习时参考。1 复习要求1.1 半导体二极管、三极管和MOS管(1)掌握半导体二级管的单向导电特性、伏安特性曲线、开关应用时开关条件及开关状态下的特点。(2)掌握半导体三极管三种工作状态的条件及相应的特点。  相似文献   

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本文将按章节顺序,分掌握、熟悉、了解三个层次归纳教学要求,最后给出一些复习练习题,供同学们复习时参考。 1 复习要求 1.1 半导体二极管、三极管和MOS管 (1) 掌握半导体二级管的单向导电特性、伏安特性曲线、开关应用时开关条件及开关状态下的特点。 (2) 掌握半导体三极管三种工作状态的条件及相应的特  相似文献   

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现将电子技术基础—数字电子电路课程的复习要求按教材章节顺序汇总如下,另外,给大家出了一些复习练习题,供大家期末复习参考。一、各章复习要求第一章半导体二极管、三极管和 MOS管1.掌握二极管的单向导电特性,开关应用时的开关条件及开关工作状态下的特点。2.掌握双极型三极管(主要是 NPN 硅  相似文献   

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1 填空题(1)理想运放的开环差模电压放大倍数Aod =,差模输入电阻Rid =,输出电阻Ro =,共模抑制比KCMR =。(2 )二极管导通时 ,PN结处于偏置状态下 ,电流由区流向区 ,硅管导通电压约为。(3)电路如图 1所示 ,判断各电路对于正弦信号有无电压放大作用 ,并说明无放大的原因 :图 (a)电路 ,图 (b)电路 ,图 (c)电路 ,图 (d)电路。图 1 交流放大器示意图2 选择题(1)图 2所示电路中二极管的工作情况为 (   )。图 2 直流电路图 A D1、D2 均截止     B D1、D2 均导通 C D1截止 ,D2 导通  D D1导通 ,D2 截止(2 )在某放大电路中 ,…  相似文献   

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本文介绍几个新实验——逻辑门电路实验。 1或门 1.1实验原理图1是用2个二极管做的一个非常简单的或门电路。根据二极管的伏安特性,当A点接高电压时,二极管1正向导通,二极管1上的电压降为0.7V,C点输出高电压;例样,当B点接高电压时,二极管2正向导通,二极管2上的电压降为0.7V,C点也输出高电压;当A点和B点同时接低电压时,C点输出低电压。  相似文献   

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安全停电器     
由于近来电力紧张,我们那儿常停电。停电后,人们离开房间时往往忘记关闭照明灯开关,而当供电恢复时,照明灯就会亮起来,造成浪费又容易引发事故。能不能发明一种开关,即使恢复供电,开关处于开启状态,照明灯也不会自动亮起呢?我设想利用电子元器件把现有的两触点按键式开关改制成具有三触点的停电保险开关,以实现来电时的自动断电保护。见电路图1。当K1接通时,如果K2处于闭合状态,电流经二极管V1-V4整流,通过电阻R的作用可使单向晶闸管V5导通而点亮电灯。当开关到位以后K2关断,而K1仍接通,此时由于电容C已充电,晶闸管V5不会关断。要切断照…  相似文献   

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1 填空题 (1)理想运放的开环差模电压放大倍数A0d=~,差模输入电阻R。d=——,输出电阻R。,=——,共模抑制比KcMR=——一。(2)完成下列数制的变换:(235)10=(_ )2=( (3)二极管导通时,PN结处于态下,电流由——区流向——电压约为 。 )16 偏置状区,硅管导通 (4)电路如图1所示,判断各电路对于正弦信号有无电压放大作用,并说明无放大的原因:图(a)电路——,图(b)电路 ,图(c)电路,图(d)电路 (c) (d)图l 交流放大器示意图选择题(1)图2所示电路中二极管的工作情况为 )。 图2 直流电路图 A.D1、D2均截止 B.I)1、D2均导通 C.D1截止、D2导通 D.Dl…  相似文献   

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半导体(硅)三极管既是基本的放大元件,又是重要的开关元件。因此,在数字电路的学习中,要注意在理解的基础上,熟悉其输入、输出特性,掌握其开关应用,一、半导体三极管的输入特性要理解三极管的输入特性,首先应该熟悉二极管的伏安特性。1.半导体二极管的伏安特性图1.1(a)是半导体二极管的符号,1.1(b)是伏安特性——反映加在二极管两端的电压V_D和流过其中的电流I_D两者间关系的曲线。  相似文献   

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