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本文对双光栅调谐TEACO激光器的输出光脉冲中两个波长成分光场的空间重叠特性进行了实验研究,发现通过改变两光栅的有效使用面积可以改善两波长成分光场的空间重叠性;并对光场输出进行了定性的理论分析。2 相似文献
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选择典型的地裂缝段进行静力触探试验,根据试验结果对西安地裂缝两盘锥尖阻力和侧摩阻力进行了对比分析,发现地裂缝两盘的地两盘锥尖阻力和侧摩阻力存在着显著的差异:地表下10.0m、平面宽度10.0m范围内影响最为显著,表现为地裂缝南盘地层的两盘锥尖阻力和侧摩阻力指标明显降低,相应的地基承载力也有降低。 相似文献
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首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性。研究首次发现在高于量子阱的Mott迁移边(局域发光的高能端)存在一个非局域特性的新的发光峰。该峰具有与局域发光完全不同的光学性质。通过研究材料的不同温度和激发强度下的发光行为证实该新的发光峰是量子阱的本征能级发光。这一结果为目前人们在Ga(In)NAs材料体系中是否存在Ga(In)NAs合金态或者N是以杂质带的形式存在的争论提供了重要证据。在Ga(In)NAs以及InGaN等材料体系中都观察到PL发光峰随温度升高先红移，然后蓝移，再红移的所谓的“S”形变化。它的来源一直令人们疑惑不解。我们直接证明GaNxAs1-x材料中发光峰的“S”形变化是由于材料中的低能端的局域态随温度的淬灭以及相邻的局域态与非局域态之间在温度的作用下相互竞争的结果。这一结果为能量随温度的“S”形变化提供了最直接的实验证据。通过光荧光谱, 时间分辨光谱研究了低N含量的GaNxAs1-x光学性质。首次发现在低N含量的GaNxAs1-x材料(N%<1%)中，在N的杂质态的高能端(低于GaAs带边)存在一个新的，其光学性质与N的杂质态完全不同的发光峰。实验证明该峰是GaNxAs1-x材料的合金态。这一结果说明在GaNxAs1-x中即便在N含量<0.1%时就已经形成了GaNxAs1-x的合金态。这个结果的重要意义在于它直接证明N在GaAs中能够形成GaNxAs1-x合金，而不是仅仅以N的杂质态存在。这为目前人们所争论的N在GaAs所起的作用，GaNxAs1-x光跃迁的来源，以及Ga(In)NAs的基本能带结构提供了直接的实验证据。最后我们利用选择激发在GaAs1-xSbx/GaAs量子阱中实验上第一次同时观察到空间直接（Type-I）跃迁和间接跃迁(Type-II)。时间分辨荧光寿命谱进一步直接论证了GaAs1-xSbx/GaAs能带排列的Type-II特性。 相似文献
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提出了一种利用虚拟仪器开发软件LABVIEW模拟经典热光场的方法,并对经典热光源“鬼成像”实验进行了仿真。程序中通过将相互独立的随机光叠加制造出非相干热光源,然后分为两路并分别记录光场强度信息,最后输入关联器作乘法运算,再对乘积进行多次平均后得到强度关联分布。 相似文献
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从老年住宅室内光环境的现状与老年人自身的视觉特征入手,结合心理学家马斯洛（A·Maslow）的＂需要层系理论＂来阐述老年人对住宅室内光环境的需求。旨在通过对老年人需求的分析,来达到老年住宅室内光环境质量及居住品质的提高。 相似文献
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对蚌埠隆起区中生代不同时期的花岗岩中6个岩体的锆石LA-MC-ICP MS原位Hf同位素的研究,据此限定它们的岩浆源区和重建华北克拉通东南部的构造格架.结果表明,中生代不同时期的花岗岩中岩浆锆石的初始Hf同位素组成（εHf（t））可以分成两组：第一组的女山（130 Ma）和西庐山花岗岩（130 Ma）的εHf（t）值分别为-18.4和-16.1;第二组的曹山（110 Ma）、锥山二长花岗岩（110 Ma）和蚂蚁山花岗岩（110 Ma）以及淮光花岗闪长岩（130 Ma）的εHf（t）值分别为-22.3、-23.1和-21.1以及-28.1,这些岩浆锆石低的εHf（t）值表明它们可能来源于古老的大陆下地壳.女山和西庐山岩体中早古生代-新元古代继承锆石具有低的εHf（t）值（-2.3～-7.7）和1.52 Ga～1.79 Ga的Hf同位素两阶段模式年龄,表明它们的岩浆源区主要以扬子克拉通下地壳物质为主.曹山、锥山和蚂蚁山以及淮光岩体中岩浆锆石的Hf同位素两阶段模式年龄为1.89 Ga～2.58 Ga,结合淮光岩体中古元古代继承锆石和3400 Ma捕获锆石中低的εHf（t）值（-5.7～-6.8,-0.6、-0.9）和古老的Hf同位素两阶段模式年龄（2.44 Ga～2.80 Ga,3.7 Ga）,表明它们主要来源于华北克拉通下地壳物质的部分熔融.淮光和女山岩体中古元古代-新太古宙继承锆石中正的εHf（t）值（0.3～6.7）以及高的εHf（t）值（16.9～21.7）的存在,暗示形成这些古老继承锆石的初始物质中有幔源物质的涉入.蚌埠隆起区深部地壳中扬子克拉通基底物质的存在暗示扬子克拉通可能沿着郯庐断裂带向西或北西方向俯冲于华北克拉通之下. 相似文献
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光开关是全光系统中关键的光交换器件。对基于密集波分复用系统（DWDM）的全光系统,光微机电系统技术（MEMS）是最有前景的光器件制作技术。文中对二维、三维MEMS光开关进行了介绍。对基于高速光时分复用（OTDM）系统的全光网络,全光解复用技术是其关键技术之一,文中介绍了基于相移型全光开关的解复用技术。 相似文献
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使用完全活化空间自洽场(CASSCF)和多组态的二级微扰理论(CASPT2)方法,对C6H5CN+离子去CN的光解离反应进行了研究.计算了12B1,12A2,12B2,22B1和12A1电子态的去CN解离势能曲线.通过对渐近产物的能量、构型、电荷和自旋密度布居的分析,得出结论:12A1,12B1,12A2,22B1和12B2的解离产物分别为C6H5+ (X1A1)+CN(X2∑+)（第1解离限）,C6H5+(1 3B1)+CN(X2∑+)（第2解离限）,C6H5 (11A2)+CN(X2∑+)（第3解离限）,C6H5+ (11B1)+CN（X2Σ+）（第4解离限）和C6H5+ (X1A1)+CN(12(Ⅱ))（第5解离限）. 相似文献
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