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相似文献
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1.
考虑GaN/Al_xGa_(1-x)N有限抛物量子阱(PQW)中空穴有效质量及声子模的各向异性,采用LLP变分法计算了外电场作用下有限PQW中激子的能量。结果表明,轻、重空穴激子的基态能随阱宽的减小而增大,结合能随着阱宽的减小,先增大后减小;考虑极化子效应时,结合能有明显的降低;轻空穴激子的结合能和基态能量均比重空穴激子的高;闪锌矿阱中激子的基态能量比纤锌矿阱中的高,而闪锌矿阱中激子的结合能比纤锌矿阱中的低;有外电场作用时,激子的结合能和基态能量降低较明显。  相似文献   

2.
考虑Ga N/Al N无限抛物量子阱(PQW)中声子模和空穴有效质量的各向异性,利用变分法计算了外电场下氮化物PQW中激子的能量。结果表明,重、轻空穴激子的结合能与基态能均随阱宽的增大而降低;考虑极化子效应时,结合能降低较明显;轻空穴激子的基态能量与结合能比重空穴激子的高;纤锌矿PQW中激子的基态能量比闪锌矿PQW中的低,而纤锌矿PQW中激子的结合能比闪锌矿PQW中的高;有外电场作用时,激子的基态能量与结合能明显降低。  相似文献   

3.
《集宁师专学报》2013,(3):109-114
考虑到纤锌矿氮化物抛物量子阱(PQW)材料中空穴有效质量和光学声子模的各向异性、声子频率随波矢变化的效应,作者利用LLP变分法研究了纤锌矿抛物量子阱中激子的能级。结果表明:轻空穴激子的基态能量和结合能高于重空穴激子的相应值;抛物量子阱中激子的基态能量和结合能随量子阱宽度和Al组分变化的规律和方量子阱中是一致的。  相似文献   

4.
本文利用有限势垒(左、右垒高不等)模型,研究了电场对GaAs/Ga_(1-x)A1xAs量阱中各子带所对应的激子之影响.采用级数展法开求得于带所对应的电子——空穴重叠函数.通过变分计算得到激子结合能.对阱宽为105(?)的GaAs/Ga_(0.66)A1_(0.34)As量子阱,电场由0至1.2×10~5V/cm,我们计算了(电子和空穴的)子带对应的激子之结合能.基于上述计算结果,所得激子峰的能移与实验测量符合得较好,体现出有限势阱模型比无限势阱模型好得多.  相似文献   

5.
在效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了类氢杂质对InxGa1-xN/GaN量子点中激子的基态能和结合能的影响。结果表明:量子点中心引入类氢杂质,量子点的结构参数(半径、高度)和In含量存在临界值,当参数大于临界值时,约束在QD中激子的基态能减小,结合能增大,激子态的稳定性增强。杂质位于量子点上界面时,激子的基态能最小,结合能最大,系统最稳定。随着杂质从量子点的上界面沿着Z轴移至下界面,激子基态能增大,结合能减小。  相似文献   

6.
我们已经研究了耦合量子阱结构中激子结合能随垒宽的变化关系[Chin,Phys 9.93(1992)]。本文将进一步研究激子结合能对势参数(阱宽等)的依从关系。我们的结果表明,势参数,尤其是阱宽,通过改变子带波函数的分布对激子结合能产生重要影响。  相似文献   

7.
利用有效质量近似和变分原理,考虑量子点的3维约束效应,研究了圆柱形闪锌矿GaN/AlxGa1-xN量子点的光学特性随势垒层Al含量的变化关系问题。结果表明,势垒层Al含量对量子点的发光波长、振子强度和激子结合能有重要的影响,激子效应对量子点发光波长的影响很大。  相似文献   

8.
提出了采用Ge/Ge_(0.85)Si_(0.15)量子阱结构制备Ge材料直接带隙发光器件的设计方法。基于量子力学理论,设计得到不同量子阱宽度下的能级分布情况以及载流子在Γ1-HH1之间的复合随量子阱宽度的变化趋势。设计结果给出了具体的能级与波函数的分布情况,可为实验制备Ge/Ge_(0.85)Si_(0.15)量子阱发光器件提供理论指导。  相似文献   

9.
电场对量子阱中弱耦合束缚极化子性质的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用线性组合算符及幺正变换的方法.研究了电场对量子阱中弱耦合束缚极化子性质的影响,得出基态能量和电场强度、阱宽、库仑束缚势、振动频率之间的关系.计算结果表明:随着电场强度的增加,束缚极化子的基态能量增大;随着阱宽的增大,束缚极化子的基态能量减小,且阱宽越小.量子尺寸效应越显著.  相似文献   

10.
采用线性组合算符及幺正变换的方法研究了量子阱中强耦合磁极化子的性质。得出磁极化子基态能量与耦合强度,阱宽,磁场强度之间的关系。数值计算表明:对于强耦合磁极化子,振动频率随磁场强度的增加而增大。基态能量随回旋频率的增加而增大。磁极化子的基态能量随着阱宽的增大而减小,阱宽越小磁极化子的量子尺寸效应越明显。  相似文献   

11.
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含有类氢离子杂质的InxGa1-xN/GaN应变类量子点中激子基态能、结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律,计算结果显示,类氢离子杂质束对束缚激子的基态能和结合能有很强的影响。  相似文献   

12.
考虑电子有效质量及禁带宽度随流体静压力的变化,讨论有限深量子阱中电子的基态能.对GaAs/ALxGa1-xAs量子阱系统中电子的基态能进行了数值计算,给出基态能随铝组份,阱宽和压力的变化关系.结果显示,基态能随阱宽和压力的增加而减小,随铝组份增加而增大.  相似文献   

13.
应用准经典粒子理论和量子力学测不准关系,得到了在三角形势阱中二维电子气的能级宽度,基于这个计算结果,发现三角形势阱中的二维电子气的基态第一激发态的能级宽度比导带的能级宽度要大,同时,随着电场强度的增大,相应的能级宽度也要增宽。  相似文献   

14.
在有效质量近似模型和实验数据的基础上,以CdS和CdSe小量子点系统为研究对象,分别在强受限区域和弱受限区域,分析有效质量、介电常数、势垒高度等因素对受限激子基态能谱量子尺寸效应的影响.分析发现:对于处在不同环境的量子点系统,考虑其空穴的有效质量的不同对激子基态能量的动能项进行修正是十分必要的,但仅仅考虑这个因素不能从根本上改善理论结果使其与实验结果符合.对于介电常数较小的CdS和CdSe这种小量子点,库仑相互作用能的贡献也是十分重要的,并且在强受限区域对激子基态能量曲线形状的修正起了关键作用.对于CdS和CdSe这种小量子点,把库仑项忽略或作为微扰项来处理会引起较大误差.分析还发现势垒高度引起的束缚能的变化也是影响激子的基态能量的重要因素之一.  相似文献   

15.
本文应用准经典粒子理论和量子力学测不准关系,得到具有椭圆轨道激子的能量测不准量和能级宽度。基于上述计算结果,发现椭圆激子轨道的偏心率很小,其轨迹接近于圆。对于偏心率较大的激子很容易离解,其寿命非常短,存在几率很小。  相似文献   

16.
在有效质量和有限高势垒近似下,变分研究了在双电子柱形GaN/Al0.2Ga0.8N量子点中掺入不同类型杂质时,杂质电子体系的基态能随杂质电荷、量子点的高度及杂质位置的变化规律。结果表明,随量子点高度增加,杂质电子体系的基态能单调递减;杂质带负电时,体系的基态能量都比较大,不易形成稳定的束缚态。随着杂质由量子点下界面沿z轴上移至上界面,对于类氢施主杂质,体系的基态能先减小后增大,在z0=1.0 nm处取得极小值;而受主杂质,变化趋势相反:体系的基态能先增大后减小,在z0=1.0 nm处取得极大值;若掺入中性杂质,杂质电子体系的基态能不变。  相似文献   

17.
Energy Levels of Strong Coupling Magnetopolaron in Quantum Dot   总被引:12,自引:0,他引:12  
By using variational method of Pekar type,we have studied the energy levels of strong coupling magnetopolaron in diskshape quantum dot(QD) and quantum well(QW),our esults show that ,with the increasing magnetic field and confinement strength,the magnetopolaron binding energy of QD and QW in the ground state and in the excited state is enhanced.The limiting results of bulk type and strict two-dimensional type are obtained.  相似文献   

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