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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
用非傅立叶热传导模型分析层状复合陶瓷结构的温度场,并与单热涂层结构的结果进行比较,同时进一步研究了夹层热物理性能参数对温度场的影响.研究表明:夹层可以有效地减缓内部结构的温度变化,夹层热物理性能参数(如:松弛时间、声速)对结构层的温度场有明显影响.  相似文献   

2.
为了分析薄壁件装配的焊接热态特性,针对不同厚度的T形装配结构,建立多尺度有限元模型和焊接热源模型,考虑不同焊接技术参数和焊接方向,采用不同焊缝参数的角焊缝方式对T形装配结构进行焊接仿真分析,研究不同工况下的焊接温度场分布情况.通过比较分析,结果表明:不同焊接方向、不同焊接厚度和焊接热源参数对焊接温度场分布有不同程度的影响;对相同厚度的薄壁件装配结构,当热源移动时,移动速度越快,受热面积越小,其焊接最高温度随之降低.通过适时调整焊接参数、热源参数、焊接结构厚度和焊接方向,可以改变焊接温度场分布状况,这将有利于选择合适的最佳薄壁件焊接厚度和相关的焊接过程参数,为以后大型尺寸焊接结构装配过程中提高薄壁焊接结构精度提供分析依据和基础.  相似文献   

3.
运用傅立叶方程建立了氟化体系稀土电解槽的温度场的有限元模型,采用VC6.0编程制作了相应的软件,并对导热系数、密度、比热等相关参数进行了运行计算研究.结果表明,建立的数学模型和编制的软件对稳态温度场的数学模拟计算结果与实际测试的结果基本吻合.可为新一代稀土电解槽体的开发设计提供参考.  相似文献   

4.
采用有限元方法,建立了激光焊接不锈钢的三维瞬态温度场的计算模型,考虑了材料的热物理性能、相变潜热与温度的非线性关系以及表面对流换热和辐射散热等影响因素,使用SYSWELD软件对激光焊接过程中的温度场进行了分析。结果表明:在激光焊接的开始阶段和结束阶段温度快速上升,中间阶段温度变化较缓慢;沿激光束扫描方向和与扫描方向垂直的方向都存在较大的温度梯度,温度梯度的存在引起较大的热应力,而热应力的存在是焊接过程中易产生裂纹的主要原因。  相似文献   

5.
《湘南学院学报》2019,(2):109-114
防护服装的温度变化模型和计算是缩短产品研发周期、降低研发成本的基础技术.在经典的Torvi的热传导模型中,皮肤层罗宾边界条件的选择直接影响数值模拟的效果.本文首先建立四层防护服装热传导系统及其边界条件,采用有限差分格式计算温度场的分布函数.然后通过虚设,四层偏微分方程系统被拓广到五层热传导模型,同时以虚拟层热传导率作为有待估计的模型参数,并以此参数代替罗宾条件的选择.优化估计后的第五层热传导系数充分反映了辐射、对流、热容变化等未考虑因素.改进的五层模型具有预测皮肤表面温度分布的功能,在防护服装参数设计中起到关键作用.  相似文献   

6.
研究了热机荷载作用下含功能梯度材料涂层的裂纹弹性底层条问题,提出一些新的边界条件,假设裂纹面上的温度降低是由通过裂纹的控制热传导的因子造成,利用傅里叶积分变换,将热弹性混合边值问题转化为一组奇异积分方程,奇异积分方程组可以利用Chebyshev多项式逼近方法近似求解.给出了温度、位移场和热应力强度因子的数值计算方法.通过算例分析了不同几何参数下裂纹表面标准温度的分布,并讨论了裂纹位置和热弹性非均匀参数对Ⅰ、Ⅱ型裂纹尖端标准热应力强度因子的影响.结果表明:弹性底层厚度不变时,梯度涂层厚度对裂纹表面的温度分布有重要的影响;梯度涂层厚度的变化对底层的裂纹有重要的影响.研究结果有助于对梯度涂层结构热机行为的理解.  相似文献   

7.
本文利用强子流夸克为主模型.分析了深度非弹极化 vP 散射和半轻子弱衰变过程,结果发现:当把结构函数矩中的夸克螺度视为纯流夸克螺度时,夸克、胶子携带质子自旋的67%,这跟 MIT 口袋模型的预言一致.  相似文献   

8.
使用飞秒瞬态反射-透射技术研究了金和铜纳米薄膜的电子和晶格动力学,应用双温和Curde近似模型分析了金属薄膜的非平衡热传导动力学.假设在瞬态反射中电子-晶格耦合常数为常数的情况下,计算超快脉冲加热后的电子和晶格温度.金和铜纳米薄膜的反射和透射信号在初始2 ps内相似,随后时间里信号明显不同,透射模式下的电子-晶格耦合效应要比反射模式下的更强和更敏感.这是由于沿着膜厚方向的温度变化受到金属薄膜和基底间的界面散射影响造成的.在研究半透明薄膜的超快动力学过程中,需要同时考虑反射和透射情况.  相似文献   

9.
建立了稳态热传导问题的有限差分方程,编写了相应的温度场差分计算程序,借此可求得不同恒温边界条件下带内热源的矩形区域内的温度分布,然后采用计算机图形学原理编写了图形显示程序,并将所得离散的温度分布数据转化为相应的图形.最后,基于所得计算图形讨论了相应区域内的热传导特性.  相似文献   

10.
采用氢等离子体加热的方法晶化a—Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响.结果表明,暗电导率随着晶化率的增大而逐渐增大.提出了一个简单模型解释了这一现象,  相似文献   

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