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本文对光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等常见的几种器件及其相关的应用电路进行了简单分析。 相似文献
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《黑龙江科技信息》2017,(16)
半导体材料作为场效应晶体管的关键组成元素,严重的影响器件性能,相对于小分子半导体材料,聚合物半导体材料具有很多优势,比如便于溶液加工、适用于室温制备等。目前,高迁移率聚合物半导体材料经过多年研发,已经取得了突飞猛进的成果,并且经过不断的创新,诞生了各种结构新颖、性能良好的聚合物半导体材料,不断优化器件制备工艺,使得聚合物场效应晶体管的载流子迁移率从10~(-5_cm~2v~(-1)s~(-1)提升到了36.3cm2v~(-1)s~(-1)。详细地描述了高迁移率聚合物半导体材料的研究现状,分析了高迁移率聚合物在半导体器件设计中的应用情况,从空穴传输型、电子传输型和双极传输型等三个方面分析高迁移率聚合物半导体研发现状,归纳和总结半导体材料,从而可以进一步的为半导体器件构筑提供一定的指导。 相似文献
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新一代半导体材料新贵GAN 总被引：1，自引：0，他引：1
6aN（氮化镓）时代即将到来 在当今半导体材料与器件的研究与应用中，GaN（氮化镓）系材料日益成为世人瞩目的焦点，并和SiC、ZeSe、ZeO、金刚石等半导体材料并誉为继以Si和GaAs为代表的第一代、第二代半导体材料之后的第三代半导体材料。以GaN为代表的Ⅲ-V族化合物材料为直接跃迁半导体材料， 相似文献
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<正>本文详细梳理了半导体功率器件用氮化硅基片的专利申请趋势、全球专利有效量占比、全球重点申请人、全球专利关注技术功效占比等,希望能对国内氮化硅基片的研发以及产业化提供一些指导方向。近年来,半导体功率器件朝大功率、高密度、集成化等方向发展,因此对陶瓷散热基板提出了更高的要求。目前, 相似文献
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刘式墉教授长期从事信息光电子学的研究，在光波导器件物理、半导体激光器及物理、光电子集成器件、有机发光器件、聚合物AWG、光电子及其集成器件的计算机辅助设计、多晶硅TFT阵列设计等方面做出了一些有意义的工作： 相似文献
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GaN材料在光电子和微电子领域中得到广泛的应用,因此它是第三代半导体材料的典型代表。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。在成像技术方面,GaN类的成像器件包括紫外摄像机和紫外数字照相机。 相似文献
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该系统是以AT89S52单片机作为主控器件的智能装置,利用红外热量释放人体传感器检测人体的存在,将光敏电阻作为光强采集器;系统通过对人体的存在信号和环境光信号的检测和处理,对人员个数和位置进行判断,完成对教室内灯光电路的智能控制。 相似文献
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半导体照明已成为光电转换效率最高的人工光源,节能效益显著.氮化物半导体材料与器件是半导体照明的"核芯",实现超高能效发光器件是国内外半导体照明研发和产业界追求的目标,对掌握半导体照明科技制高点和产业主导权意义重大.
在国家重点研发计划"战略性先进电子材料"重点专项"超高能效半导体光源核心材料及器件技术研究"项目(项目编号:2017YFB0403100)的支持下,由中国科学院半导体研究所牵头的项目团队依据半导体照明光源全技术链展开,系统突破材料、芯片、封装与光谱技术,在掌握载流子复合规律基础上建立高效器件模型,通过高质量外延材料提升内量子效率,通过芯片和封装设计提升光提取效率,通过光谱匹配实现高效白光器件,并取得了一系列重要进展. 相似文献
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《中国科技信息》2015,(22)
<正>项目概况碳化硅是制造高频、高温、大功率半导体器件的理想衬底材料,是发展第三代半导体产业的关键基础材料,己成为当前全球半导体产业的前沿和制高点。然而,碳化硅单晶制备技术被少数国家所垄断,并对我国实行严格的禁运,而国内对碳化硅晶片具有迫切需求,其已成为我国重要的战略物资,在《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》中明确列为"新一代信息功能材料及器件"优先主题。该项目的研发成功大大降低了碳化硅晶片的成本,填补国家在这一领域的空白,带动了上游的碳化硅原材料产业和下游的宽禁带半导体产业等的发展,并可满足国家国防事业在微波器件衬底上的需要。 相似文献
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<正>功率半导体器件已广泛应用于多个战略新兴产业,而散热问题是影响其性能、可靠性和寿命的关键因素之一。氮化铝粉体具有高热导率等优点,被广泛认为是用于制备半导体功率器件用陶瓷基板的优良材料。本文检索数据库包括CNTXT、ENTXTC、IncoPat, 相似文献
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王娜 《科技成果管理与研究》2021,16(6):6-7
量子信息科学是由物理科学与信息科学等多个学科交叉融合所形成的一门新兴前沿学科,在经济、社会乃至国防军工事业中发挥着重要的作用,已成为国家科技发展战略的重要组成部分.半导体光电子材料及其相关器件是发展量子信息科技的关键支撑之一,只有解决材料器件基础问题,才能掌握量子信息研究的主动权.宋海智教授长期致力于半导体光电子材料和器件等方面的开发,积累了丰富的量子信息研究经验. 相似文献
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自从上世纪90年代至今,人们一直致力于第三代半导体——宽带隙半导体的研究,其基本应用在紫外一蓝紫波段的短波长发光器件,主要包括发光二极管（LEDs）和激光器（LDs）。宽带半导体LEDs不仅具有节能、寿命长等优点,而且是一种高温、高功率器件,应用广泛,有着数百亿的巨大市场。目前,在短波长LEDs领域, 相似文献
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“38岁的黄大鸣教授是留美归国博士,他在半导体异质结构的光谱表征和物理参数测试、半导体异质结构的调制反射光谱的机理研究、半导体异质结构的器件应用探索等方面,做出了国际领先的成果。” 相似文献
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