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本文综述了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的机理、特点及薄膜生长的主要过程,并介绍了其在制备半导体、高温超导、类金刚石、生物陶瓷薄膜等方面的应用.大量研究表明,脉冲激光沉积技术是目前最好的制备薄膜的方法之一. 相似文献
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利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。 相似文献
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,探索性研究制备μc-Ge:H薄膜的基本沉积参数,通过一系列处理技术实现了高晶化率超薄μc-Ge:H薄膜的制备,有效拓展了太阳电池的光谱响应范围。 相似文献
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通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。 相似文献
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二氧化钛薄膜材料制备工艺研究进展 总被引：1，自引：0，他引：1
TiO2薄膜材料由于其具有颜料特性及高的催化活性和光稳定性而应用广泛。本文通过查阅大量文献资料，主要对制备TiO2薄膜的常用方法，如溶胶-凝胶法，溅射法，化学气相沉积法进行了综述，以及对TiO2薄膜的制备工艺的发展趋势进行了简述。 相似文献
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以高熵合金(Al Cr Nb Si Ti V)为靶材,Ar为工作气体,N2为反应气体,利用反应式直流磁控溅镀在硅晶片和车削刀具上制备高熵合氮化薄膜,探讨不同溅镀沉积时间对(Al Cr Nb Si Ti V)氮化物薄膜表层微结构及机械性质的影响。沉积薄膜中所有元素的相对原子浓度与高熵合金靶材相当。氮化物薄膜组织均匀、致密地附着于基材,薄膜表面为颗粒状组织。随着溅镀时间的增加,显示薄膜表面晶粒变大,薄膜沉积速率下降。应用高熵合金(Al Cr Nb Si Ti V) N氮化物薄膜镀层刀具干式切削S45C中碳钢圆柱工件时,工件表面的粗糙度和刀具的侧面磨损显著降低。研究显示镀层可有效提升刀具切削效率,延长刀具使用寿命,溅镀时间30 min时,车削刀具的切削性能最佳。 相似文献
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用等离子增强化学气相沉积（PECVD）法,通过改变[SiH4]/[NH3：H2]的流量比沉积氮化硅薄膜。用椭偏仪测量氮化硅薄膜的厚度、折射率。研究了N型单晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的电性能。 相似文献
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本文采用直流反应磁控溅射法低温下在Mg-Li合金表面沉积Ti/TiN复合薄膜,薄膜厚度约为1.6μm,靶材是纯度为99.99%的钛靶。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、M263A电化学系统等技术分析了薄膜的相结构、表面形貌、及在0.35wt%NaCl中的抗腐蚀性能。结果表明:复合薄膜的腐蚀电位较合金基体正移82.6mV,腐蚀电流降了一个数量级,析氢速率也明显减小,说明Ti/TiN复合薄膜提高了镁锂合金的抗腐蚀性。 相似文献
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目的:三种不同方法制备胡黄连脂质体。方法:采用薄膜超声分散法、乙醚注入法和复乳法对胡黄连提取物进行脂质体的制备,并测定胡黄连苦苷Ⅰ和Ⅱ的包封率(n=3)。结果:薄膜超声分散法、乙醚注入法和复乳法制备脂质体的胡黄连苦苷Ⅰ包封率分别为:8.24%±0.11、6.91%±0.50和8.62%±0.14;胡黄连苦苷Ⅱ包封率分别为:5.65%±0.14、4.81%±0.09和5.48%±0.08。结论:薄膜超声分散法和复乳法制得的脂质体较均匀,重现性好,且两种方法得到的胡黄连苦苷Ⅰ和Ⅱ的包封率相差较少,所以可采用薄膜超声分散法和复乳法来制备胡黄连脂质体。 相似文献
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陈超 《内蒙古科技与经济》2016,(5):83-85
采用电子束蒸发法结合氧化工艺制备得到多晶Zn(O,S)薄膜,在可见光范围内,其平均透射率约为85%,禁带宽度为3.35eV;制备得到结构为glass/ITO/Zn(O,S)/SnS/Ag的异质结器件,表现出明显的整流特性;探讨了Zn(O,S)薄膜厚度对器件I-V特性曲线的影响,当Zn(O,S)薄膜厚度为100nm时,器件具有光响应。 相似文献
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简述了非晶硅薄膜太阳能电池的基本原理和生产工艺,特别介绍了等离子化学气相沉积(PECVD)反应沉积室四种结构和特点,以及非晶硅薄膜电池生产设备的特点,以及未来发展方向. 相似文献
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采用反应磁控溅射法在镁锂合金衬底上沉积了CrN薄膜。并通过XRD、SEM、M263A电化学系统等技术分析了薄膜的组成、表面形貌,并着重研究氮化铬CrN薄膜在0.35%的NaCl溶液中对镁锂合金的防护性。结果表明：说明沉积的CrN薄膜提供了合金的抗腐性。 相似文献
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《黑龙江科技信息》2016,(32)
稀磁半导体的研究对于自旋电子学器件的研发与应用具有极其重要的意义。宽带隙ZnO基稀磁半导体因其具有独特的光电性能而备受青睐,尤其是在Ditle等人预言p型ZnO基稀磁半导体具有室温铁磁性之后,从而引起了人们的关注。虽然许多科研人员在ZnO基稀磁半导体材料的研究方面取得了丰硕的成果,但迄今为止所报导的结果大相径庭,仍然还有很多问题存在争议,尤其在磁性方面。常规的稀磁半导体制备方法,如磁控溅射和脉冲激光沉积技术等,均需要很高的生长温度,高生长温度容易催生颗粒在薄膜中的形成,但其低温下制备也难以保证薄膜的质量。运用等离子体增强化学气相沉积法制备稀磁半导体薄膜,具有无法比拟的优越性,对稀磁半导体的研究具有非常重要的学术意义和实用价值。 相似文献