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相似文献
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1.
文章阐述了对集成电路版图的基本认识,并对基于版图的电路提取步骤进行了细致说明.文中的版图层次分析和电阻阻值计算方法等可普遍应用于集成电路设计当中.  相似文献   

2.
任建  孙承松 《科教文汇》2007,(6S):185-185
文章阐述了对集成电路版图的基本认识,并对基于版图的电路提取步骤进行了细致说明。文中的版图层次分析和电阻阻值计算方法等可普遍应用于集成电路设计当中。  相似文献   

3.
王守绪  张利红 《科技通报》1999,15(5):370-372
合成了BaO-ZnO-P2O5玻璃粉体,并研究了它对铂膜传感器电阻和温度系数的影响。研究表明,形成的保护膜透明,机械强度高,对器件性能的影响比用电真空低软化点封接材料包封后低。  相似文献   

4.
采用溶胶-凝胶法制备不同锶钡比、不同膜厚的钛酸锶钡薄膜,研究了薄膜的介电行为。性能测试表明,在不同的锶钡比的钛酸锶钡薄膜中,介电性能最好的锶钡比为0.5:0.5,此时介电系数最大介电损耗最小;膜厚与薄膜的介电系数呈线性关系,随膜厚增加薄膜的介电系数线性增加。  相似文献   

5.
初二、高二年级物理教材中都介绍了导体电阻跟温度的关系。一般情况下,导体温度升高,电阻变大;温度降低,电阻减小。为了让学生  相似文献   

6.
过对热膜式气体流量传感器发热控制电路的分析,设计和优化补偿电阻,提出了R1是温度补偿主要电阻。补偿电阻R1对环境温度变化时,对恒定加热丝温度起到关键作用,环境温度变化时使温控电路分压比相应发生变化63.70%~69.63%(环境温度由-15℃~85℃),且在不同结构、量程的热膜流量传感器,设定的加热电阻温度和分压比是有差异的,对补偿电阻的合理选取及匹配电阻参数合理设计,可扩展热膜式流量传感器温度使用范围,可提高传感器热灵敏度漂移及热零点漂移等性能指标。对提高流量精度、完善热膜流量设计、开发新产品、形成产品系列化有指导意义。  相似文献   

7.
薄膜的表面粗糙度直接影响薄膜的最终性能。本文构建了薄膜的三维生长动力学模型,并采用蒙特卡罗方法实现了薄膜生长的数值模拟,得到了沉积速率、基底温度和原子覆盖度等因素对薄膜表面粗糙度的影响。模拟结果表明:随着沉积速率的增大、基底温度的降低和覆盖度的增大,薄膜的表面粗糙度增大;并且在沉积速率较小时,薄膜的表面粗糙度随沉积速率增加迅速,而沉积速率较大时,薄膜的表面粗糙度随沉积速率增加缓慢。  相似文献   

8.
本文设计一种低温漂系数的电压可调式CMOS带隙基准电压源,与传统的CMOS带隙基准电压源相比,该电压源不仅能生成1.24V的标准带隙基准电压,还可以可通过调整电阻的比值产生更低或者更高的基准电压。利用电阻分压法,基准电路可以在低电压条件下运行。采用TSMC 0.18umCMOS工艺,使用spectre仿真,在1.8V的供电电压下,可以产生1.2V的基准电压,在-40℃~120℃的温度范围内,其温度系数为12ppm/℃,电源抑制比为66d B。  相似文献   

9.
介绍了汽车空调制冷控制系统的空调放大器性能变差,使制冷温度不能降至设定的温度值,引起制冷系统装置的恒温温度偏高于正常恒温值,令空调制冷系统制冷量不足。通过在恒温控制电路上选择一个适当的电阻,并联接在蒸发器温度传感器(这是个负温度系数的热敏电阻)上,从而迭到不用更换昂贵的电路板,就可降低空调的恒温温度,加大制冷量,消除制冷效果不佳的目的。  相似文献   

10.
本文设计中以8031最小系统为系统的控制核心对电路进行控制。电路中包含有7279显示电路、键盘电路、控制电路等电路,能实现对焊接的四个过程(预压、焊接、保持、停止)的时间、设定和运行,电路中有过零保护功能,并且当焊接温度高于设置的温度时温度采集电路会把温度传输给单片机,当温度高于预设温度时,单片机会发出信号使焊接电路停止运行并进行报警,达到对焊接的控制,设计的多点温度采集系统上位机程序虽结构简单但实用性强,且具有较强的抗干扰能力,基本上实现了电阻点焊的要求,可靠性高。本系统经过初步运行、调试,性能良好,具有应用和推广价值。  相似文献   

11.
域外科技     
松下电器产业开发成功一种薄膜电路制备技术,可直接在有机薄膜上形成厚度小于1μm、具有电容器和电阻等电路元件的薄膜。该技术的最大亮点是:在薄膜制备过程中控制纳米级结晶构造的新工艺。电  相似文献   

12.
<正>本文对某型滑油温度传感器通过标定给出内插公式后,给出了其校准方法和测量结果的不确定度,并证明了该方法是可行有效的。某型滑油温度传感器是电阻型感温元件,测温原理和铂、铜热电阻相同,但标称电阻值与铂、铜热电阻不同,且电阻温度系数未知,不属于JJG229-2010《工业铂、铜热电阻》国家检定规程规定的适用范围,不能依据国家检定规程校准。为了解决某型滑油温度传感器无法校准的问题,本文通过标定先确定其内插公式,求出校准点的标称电阻值和电阻对温  相似文献   

13.
《中国科学院院刊》2011,(4):462-462
中科院物理所/北京凝聚态物理国家实验室(筹)金奎娟研究组利用激光分子束外延设备,成功地制备了具有优越铁电性的BFO外延薄膜,并首次在BFO外延薄膜中观察到了可反转二极管特性和相应的电致电阻效应。  相似文献   

14.
《科技风》2015,(15)
目前的电阻焊接技术随着科技地不断发展也在日渐成熟,但在其可靠性方面依旧有所欠缺。为了提高生产点焊工艺中焊点焊接质量的可靠性,本文进行了优化方法的探究,通过全过程质量监控的方法对焊接质量加以有效保障,对今后的电阻焊接质量的提高做出积极思考。  相似文献   

15.
为了研究铜薄膜厚度的变化对飞秒激光烧蚀铜薄膜过程的影响,考虑反射率和吸收率随温度变化的特性,采用抛物线型双温模型,使用隐式差分的方法进行离散化,对250、500、1000 nm三种不同厚度铜纳米薄膜,在脉宽为100 fs、能量密度为6500的激光烧蚀下,铜纳米薄膜表面的电子温度、晶格温度、反射率、熔化深度的变化进行计算。计算结果表明:铜纳米薄膜厚度的增加对表面电子温度的影响不明显,对表面晶格温度的影响较大,熔化深度具有较大幅度的减小;在烧蚀过程中,薄膜表面的反射率和吸收率有明显的下降,将其考虑为常数处理是欠稳妥的。  相似文献   

16.
科学技术的快速发展,使得多晶硅薄膜的制作工艺得到了完善优化,并且,多晶硅薄膜也已经得到了广泛的应用。本文介绍了结合现有工艺条件制作多晶硅纳米薄膜的多种工艺方法,细致研究了工艺条件对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响,分析了多晶硅薄膜制备工艺的应用发展,希望能够为相关人员提供参考借鉴。  相似文献   

17.
针对电阻室温度太高,直接影响到提升机的安全运行,安装了一台排风扇解决了电阻室温度高的问题。  相似文献   

18.
沈锴 《大众科技》2010,(7):104-105
通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。  相似文献   

19.
Pb(Znl/3Nb2/3)O3(PZN)弛豫铁电陶瓷是一种高介电、高机电耦合系数以及较高居里温度的介质材料。PZN薄膜在微位移器、微传感器等领域有广阔的应用前景。  相似文献   

20.
本文介绍了大规模集成电路功能测试的基本原理,并对集成电路功能测试的几个主要方法进行了概述,通过对比每种测试方法的优缺点,进而得出模拟故障法为适合我国大规模集成电路功能测试的最佳方法。该方法主要是解决了随着大规模集成电路的发展,单个电路本身的输入、输出管脚数量不断增加而带来的测试矢量呈现指数增长的问题,从测试时间和测试成本上考虑,使用传统的穷举法已经不可能符合大规模集成电路的测试要求。与传统的穷举法相比,它可以在不降低测试结果的准确性和可靠性的同时,使编制程序所需要的测试矢量控制在可以接受的水平上。最后,本文介绍了模拟故障法的主要思路和测试顺序。  相似文献   

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