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相似文献
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1.
研究单分子磁体的自旋极化输运性质。搭建由扫描隧道显微镜钴针尖、铒单离子磁体以及金(111)衬底所构成的分子器件模型。在小偏压下,计算铒单离子磁体在正立和倒立2种构型下的自旋极化电流曲线,发现此单分子磁体器件的隧穿磁电阻最高达120%,自旋过滤效率在70%~100%。对比2种构型下的整流比,发现倒立构型有较大的整流比。通过分析体系的透射谱、分子投影哈密顿量、器件投影态密度等,对上述物理效应的根源进行解释。  相似文献   

2.
采用一维紧束缚模型,研究了一维有机磁性聚合物中极化子在外加电场下漂移的动力学行为.计算结果表明:侧基和主链电子的自旋耦合使得侧基悬挂格点上电子的在位能升高(或降低),作为一个势垒(势井)阻碍极化子的运动.当驱动电场大于某临界值时,极化子会突破势垒(势井)的束缚,在磁性聚合物分子内自由漂移.磁性聚合物分子中的自旋反转因素可以通过调节极化子自旋降低临界电场.  相似文献   

3.
采用基于第一性原理的密度泛函理论与非平衡格林函数相结合方法,系统地研究了含不同氮原子的吩嗪类分子与金电极构成的不同分子器件中接触构型对其电子输运性质的影响.结果表明,分子与电极的接触构型是影响其电子输运特性的重要因素,不同的接触构型会产生不同平衡电导值,特别是以top位非对称方式接触时电导值最大,也就是说此连接方式最利于电子的传输,可以为进一步探索分子器件的电子输运性质和设计具有实用功能的分子器件提供一定的理论指导.  相似文献   

4.
以苯基乙炔化合物——MPPA分子为研究对象,利用第一性原理计算方法和非平衡格林函数理论,研究了其在一定偏压下的电输运性质.计算结果表明,以MPPA构建的分子器件呈现明显的整流现象,并且在较高的偏压下,出现负微分电阻效应.  相似文献   

5.
基于非平衡格林函数结合密度泛函理论的第一性原理量子输运方法,预言一种完全自旋极化的电子器件。该器件是由半金属TiCl3做电极,半导体RhCl3做中心区搭建的磁性隧道结。分别计算小偏压范围(0~20 mV)和大偏压范围(0~0.6 V)下的自旋极化电流曲线。发现在小偏压范围内,器件的隧穿磁电阻(tunneling magnetoresistance,TMR)高达100%,并在这一偏压范围内维持稳定;在电极极化方向平行构型(parallel configuration,PC)下的自旋注入效率也高达100%,具有很强的稳定性。在大偏压范围内,随着偏压的增加TMR逐渐减小,PC构型下的自旋注入效率一直保持100%不变。最后,通过对器件投影态密度图的分析,解释上述物理现象。  相似文献   

6.
以2,4′-聚噻唑,聚噻吩以及噻吩噻唑两嵌段聚合物分子为研究对象,利用第一性原理计算方法和非平衡格林函数理论,研究了分子极性对分子结器件的电输运性质的影响.计算结果表明,噻唑单元在输运方向上存在分子偶极矩,从而导致在含有噻唑单元的2,4′-聚噻唑和噻吩噻唑两嵌段聚合物的分子结中产生电流整流效应.两种分子结的整流比率分别达到38(2.0V)和24(1.4V).通过对外场下能级的偏移和分子轨道在实空间扩展性变化的分析,对分子结中整流现象进行了详细的阐述.  相似文献   

7.
在非中心对称超导体中,反对称的自旋-轨道耦合会导致自旋单态配对与三重态配对的混合. 这里主要关注重费米子超导体CePt3Si,研究自旋-轨道耦合以及宇称混合对该系统比热和自旋磁化率的影响,得到了与实验可以比拟的理论结果.  相似文献   

8.
利用杂化密度泛函B3LYP方法,研究了硼氧小分子在铂团簇的表面吸附体系,研究的物性涉及不同自旋下团簇的几何结构、稳定性、电子结构、解离能和平均原子结合能等. 计算结果表明:BO两种原子作为一个分子整体吸附于铂团簇表面,其吸附方式随团簇尺寸的变化而变化;自然布居和Mulliken布居显示,电荷由铂原子转移到BO分子整体. 此外,解离能和平均原子结合能表明四重态Pt4BO的基态结构具有最大的相对稳定性.  相似文献   

9.
分析铁磁-量子点-超导体异质结中,量子点内存在自旋翻转相互作用时的自旋输运问题. 采用非平衡格林函数方法,计算隧穿自旋流和自旋电导. 结果表明,即使在一般温度和自旋极化强度下,自旋电导依赖于铁磁体内交换场方向,产生可控的巨自旋磁阻效应.  相似文献   

10.
通过实验改进,得到了合成5,5'-次甲基-双8-羟基喹啉配体的最佳制备方案,使合成工艺简化,合成产率提高,将该配体和锌离子制备了一种新型的双8-羟基喹啉类金属配合物.利用红外吸收光谱、X射线衍射谱(XRD),研究了配合物的分子结构、物相结构;利用热重(TG)分析研究了配合物的热稳定性;利用紫外吸收光谱、荧光激发和发射光谱研究了该配合物的光物理性能.结果表明:DZnq2的热分解温度为346℃,具有较高的热稳定性.DZnq2的荧光发射峰位于534.5 nm,为黄绿光发射.与Znq2相比,荧光强度有所减弱,这是由于次甲基相连的两个喹啉环的扭曲导致了DZnq2的刚性和共平面性不好;由于分子共轭体系的增大,使DZnq2分子的π电子更加离域化,导致了荧光发射峰发生了红移.DZnq2有望在有机电致发光器件和有机光伏器件中的得到应用.  相似文献   

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