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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 126 毫秒
1.
根据场效应管器件应用越来越广泛的现状,结合"模拟电子技术基础"理论课程内容,设计了一款场效应管实验电路。该实验电路将理论知识、EDA技术及实验测试技术融为一体,加深了学生对理论知识的理解,提高了学生的工程实践能力及现代电子技术设计能力。  相似文献   

2.
导热油(Therminol50)饱和蒸汽压的测定   总被引:3,自引:0,他引:3  
用自制的装置测定了导热油Therminol 50在200~300℃温区以及分别在空气和氮气气氛下的饱和蒸汽压,实验表明,两种气氛下所得结果相近.以5℃间隔给出了线性拟合的分度值,列出了详细的数据表,并且给出了该导热油的平均摩尔蒸发焓△Hvap为47.16KJ·mol-1.导热油饱和蒸汽压实验前,用纯水和分析纯乙醇作为标准物质,在其液相区进行饱和蒸汽压测量,确证装置的测试准确度在±0.5%以内.  相似文献   

3.
采用磁控溅射法制备了底栅反交叠刻蚀阻挡型(ES)金属氧化物薄膜晶体管(α-IGZO TFT),测试了TFT电流-电压特性曲线。根据TFT的一级近似模型,结合实验数据提出了TFT电特性参数提取方法。在TFT的线性区和饱和区采用线性拟合提取了TFT的场效应迁移率和阈值电压,定义了TFT的开态电流和关态电流,在TFT的亚阈值区分别采用线性拟合和一阶导数的方法提取了TFT的亚阈值摆幅。通过筛选测试条件和数据拟合范围,得到α-IGZO TFT线性区和饱和区场效应迁移率和阈值电压分别为6. 27 cm~2/V·s和7. 7 V;7. 24 cm~2/V·s和4. 3 V,α-IGZO TFT的开关比和亚阈值摆幅分别为109和272 m V/dec。  相似文献   

4.
设计和搭建了一套新型饱和蒸汽压及传质系数测试装置,并介绍了该装置的结构及工作原理。通过静态法测定液体饱和蒸汽压实验测试去离子水在不同温度下的饱和蒸汽压,对该装置的准确性进行了验证。实验结果表明:测试结果与理论值相吻合,其测试误差在±10%以内。该装置基于气液平衡原理,实现了在同一装置中采用同一压力传感器对液体饱和蒸汽压和气液传质系数进行测试,成功消除了系统误差,对改善实验质量具有明显的效果。  相似文献   

5.
本文通过研究晶体管、场效应管电路符号,揭示了晶体管、场效应管电路符号表示的意义。并引导学生应用这些结论:一方面,准确识别给定的电路符号对应的晶体管、场效应管的种类;另一方面,准确画出给定类型的晶体管、场效应管对应的电路符号。期望本文对学习涉及晶体管、场效应管有关理论知识的学生有所帮助。  相似文献   

6.
开发了一套基于金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)并联的限流式固态断路器,并以此为基础设计了一套电力电子器件及固态断路器测试实验装置。该实验装置可实现MOSFET的稳态和动态均流特性测试、二极管反向击穿电压测试、MOSFET的关断能量损耗测试等实验,还可验证固态断路器在防止越级跳闸及降低电气火灾隐患等方面的功能。该实验装置有利于加深学生对MOSFET、二极管相关电气特性以及基于电力电子器件的固态断路器的理解,提高学生综合运用专业知识的能力。  相似文献   

7.
配合理论课程在实验课程中增加场效应管及其放大电路的内容.以N沟道结型场效应管2N5486为例,介绍运用EDA软件Multisim对场效应管特性曲线及由其构成的共漏放大电路的设计与仿真分析方法.  相似文献   

8.
本文就场效应管在教学中执行不到位,学生对其掌握不牢的现状,提出了教学中应解决好沟道、夹断等基本问题,有利于学生自学,从而较好地掌握场效应管的基本知识。  相似文献   

9.
随着大功率场效应晶体管(Power MOSFET)的应用越来越广泛,由于场效应管失效引起的整机失效的比例也在逐渐上升.这这些失效中,很大一部分是由于器件无法承受瞬间高电压脉冲,致使器件管芯烧毁失效.即器件位通过雪崩能量测试或者说器件未通过合适的雪崩能量测试.本文就雪崩击穿的机理、雪崩能量测试的原理、雪崩失效的分析进行一些探讨,从而给出减小雪崩失效的方法.  相似文献   

10.
文中剖析了现行部分电子技术教材中判断三极管导通工作状态的两种方法的弊端,提出对饱和区进行区域划分,明确用VCEO表示临界饱和时的饱和电压VCE,改进了原有的近似估算法,使其适用于分析饱和状态饱和程度且更易于初学者理解.  相似文献   

11.
针对教学中学生常对单管放大电路输入信号幅值与静态工作点对输出波形失真的问题,利用电路分析理论,近似估算了单管共射极放大电路静态工作点对应的参数值,并利用微变信号等效法分析了放大电路的交流特性。利用Multisim软件仿真和硬件实验测试,实验设计让学生更好掌握单管放大电路相关知识。  相似文献   

12.
Monolithic integration of resonant tunneling diodes (RTDs) and high electron mobility transistors (HEMTs) is an important development direction of ultra-high speed integrated circuit. A kind of top-RTD and bottom-HEMT material structure is epitaxied on InP substrate through molecular beam epitaxy. Based on wet chemical etching, metal lift-off and air bridge interconnection technology, RTD and HEMT are fabricated simultaneously. The peak-to-valley current ratio of RTD is 7.7 and the peak voltage is 0.33 V at room temperature. The pinch-off voltage is -0.5 V and the current gain cut-frequency is 30 GHz for a 1.0 μm gate length depletion mode HEMT. The two devices are conformable in current magnitude, which is suitable for the construction of various RTD/HEMT monolithic integration logic circuits.  相似文献   

13.
陈志静 《茂名学院学报》2011,21(4):31-33,40
基于FLUENT软件对制冷剂R134a在水平螺旋槽管管外沸腾换热进行了三维数值模拟,得到了其饱和泡状沸腾过程中体积含汽率的分布规律和换热系数,并和光管进行了比较。结果表明螺旋槽管外侧能够很好地强化沸腾传热。此外,还通过改变边界条件分析了质量流量、热流密度的变化对螺旋管管外沸腾换热系数的影响。  相似文献   

14.
我们考虑了具雪崩效应的稳态多结的半导体器件模型.利用奇异摄动方法获得了电流—电压近似曲线并分析了饱和电流产生的缘因和条件.特别是,我们指出了雪崩效应是造成饱和电流爆破的原因.同时,我们还证明了与离化率适当小时存在多个稳态解并给出几个数值例子以说明理论结果的可靠性.  相似文献   

15.
三倍压电压倍增器的性能及其实验   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文阐明了电源通过恒流管激励三倍压电压倍增器,并以实验结果为依据论述了这种电压倍增器的性能,指出了这种倍增器的可用性.实验表明这种电压倍增器的输出电阻比较小,所以它的对电流变化的稳定性比较好.恒流管激励三倍压电压倍增器比电阻激励三倍压电压倍增器的稳定性要好得多.  相似文献   

16.
设计了一个新颖的温度测量与控制的实验项目,该实验项目内容广泛,涵盖了电工电子技术中的受控源、电流/电压变换、电压跟随器、信号放大器、电压比较器、继电接触控制、A/D转换以及数码管显示等内容,还可以延伸到单片机、控制理论等学科。可以根据不同专业、不同实验层次对该实验项目的实验内容进行适当取舍,非常适合作为学生的综合设计性实验和课程设计项目。  相似文献   

17.
研究外电场作用下向列液晶盒的阈值电压随锚定强度、弹性系数等各种参数的变化关系.  相似文献   

18.
阐述用高压电脉冲发生器驱动LiNbO3电光偏转器,对激光脉冲进行快速偏转.产生幅度稳定激光脉冲输出的工作原理.分析由冷阴极管、雪崩管和MOS管制成的电脉冲发生器对输出激光脉冲幅度稳定性的实验结果.比较这三种电脉冲发生器对激光脉冲的稳幅作用.发现用雪崩管或MOS管代替进口冷阴极管制成的高压电脉冲发生器,同样获得优良的激光脉冲稳幅的效果.这一结果对于光电器件国产化研究有一定的实际意义.  相似文献   

19.
在Piella G等人提出的自适应提升小波变换的基础上,提出了有效分析电能质量信号扰动检测与定位的改进的自适应提升小波预测算法;根据改进的自适应提升小波对信号的极强分类能力,将经过派克变换后的电能质量信号分为正常区与扰动区以及间断点区与非间断点区,再对各不同的区运用不同的更新算法与预测算法,能够快速准确地对电能质量信号作出扰动检测定位以及扰动程度的定量刻划;并且根据测出的扰动时间及扰动方向可以对扰动类型做出准确的分类;运用该算法对电压凸起、电压凹陷、电压暂态中断、电压瞬时脉冲、电压暂态振荡的检测与定位以及电压谐波的分析都证实了该算法的准确性和有效性。  相似文献   

20.
以TI公司生产的MSP430F149作为控制器,以MOS场效应管作为恒流源的调整管,并选用TI公司生产的OP07、TLV5616、ADS1212等为核心器件,设计了恒流控制电路、信号调理电路、键盘及显示电路、直流稳压电源电路、A/D及D/A电路等。为提高恒流源的精度及稳定性,电路采用了闭环反馈控制。测试结果表明,系统性能稳定,达到并超过了项目要求的设计指标。  相似文献   

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