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相似文献
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1.
沈锴 《大众科技》2010,(7):104-105
通过真空热氧化法氧化用电子束蒸发技术沉积于GaN衬底表面的Cu薄膜,制备出了单一相外延的Cu2O薄膜。接着对样品在不同的温度下(400℃到800℃)进行真空热退火处理,详细分析讨论了对薄膜所造成的影响。在低于700 oC的温度下退火,薄膜表面的均方根表面粗造度和禁带宽度都基本保持稳定。而X射线研究揭示了Cu2O薄膜保持着先前沉积的Cu薄膜与GaN衬底之间的外延关系。  相似文献   

2.
薄膜的表面粗糙度直接影响薄膜的最终性能。本文构建了薄膜的三维生长动力学模型,并采用蒙特卡罗方法实现了薄膜生长的数值模拟,得到了沉积速率、基底温度和原子覆盖度等因素对薄膜表面粗糙度的影响。模拟结果表明:随着沉积速率的增大、基底温度的降低和覆盖度的增大,薄膜的表面粗糙度增大;并且在沉积速率较小时,薄膜的表面粗糙度随沉积速率增加迅速,而沉积速率较大时,薄膜的表面粗糙度随沉积速率增加缓慢。  相似文献   

3.
以高熵合金(Al Cr Nb Si Ti V)为靶材,Ar为工作气体,N2为反应气体,利用反应式直流磁控溅镀在硅晶片和车削刀具上制备高熵合氮化薄膜,探讨不同溅镀沉积时间对(Al Cr Nb Si Ti V)氮化物薄膜表层微结构及机械性质的影响。沉积薄膜中所有元素的相对原子浓度与高熵合金靶材相当。氮化物薄膜组织均匀、致密地附着于基材,薄膜表面为颗粒状组织。随着溅镀时间的增加,显示薄膜表面晶粒变大,薄膜沉积速率下降。应用高熵合金(Al Cr Nb Si Ti V) N氮化物薄膜镀层刀具干式切削S45C中碳钢圆柱工件时,工件表面的粗糙度和刀具的侧面磨损显著降低。研究显示镀层可有效提升刀具切削效率,延长刀具使用寿命,溅镀时间30 min时,车削刀具的切削性能最佳。  相似文献   

4.
简述了非晶硅薄膜太阳能电池的基本原理和生产工艺,特别介绍了等离子化学气相沉积(PECVD)反应沉积室四种结构和特点,以及非晶硅薄膜电池生产设备的特点,以及未来发展方向.  相似文献   

5.
简要叙述了近年来固体薄膜制备技术,运用新技术进行薄膜样品的制备及性能的比较,主要介绍了目前应用较普遍的几种方法:如脉冲激光沉积法(PLD)、化学气相沉积法(CVD)、溶胶—凝胶法(Sol-Gel)等。  相似文献   

6.
为改进多晶硅薄膜制造工艺,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用x射线衍射仪(XRD)测试其晶体结构,用电导率设备测试其暗电导率.研究表明光照时间、光照强度都对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光波频率的影响作用更大.  相似文献   

7.
王德山 《大众科技》2013,(11):66-68
复杂元器件上采用磁控溅射镀膜,薄膜与基片结合强度关系产品质量。从薄膜的附着机理入手,构建其结合力学模型。通过实验分析得出,附着力主要与附着类型、附着力的性质、工艺和测量方法有关。影响附着力的因素主要包括材料性质、基片表面状态、基片温度、沉积方式、沉积速率和沉积气氛等。掌握简单附着、扩散附着、通过中间层附着及宏观效应附着内容,通过选择基片能与薄膜形成化学键,清洗基片去除污染层,合理提高温度、加速扩散反应形成中间层等措施来提高附着力。此外,薄膜中存在的内应力通过合理调控工艺指标来消除和减小对薄膜和基片附着力的影响。  相似文献   

8.
吕珂 《科技广场》2009,(5):131-133
本文综述了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的机理、特点及薄膜生长的主要过程,并介绍了其在制备半导体、高温超导、类金刚石、生物陶瓷薄膜等方面的应用.大量研究表明,脉冲激光沉积技术是目前最好的制备薄膜的方法之一.  相似文献   

9.
《科技风》2015,(15)
为改善晶体硅太阳电池表面存在的问题,利用等离子增强化学气相沉积法在晶体硅上沉积的三层氮化硅薄膜,对晶体硅太阳能电池起到很好的减反射效果,明显改善了电池对入射光的吸收。将三层薄膜的连续沉积改为间断性沉积,可以使氮化硅薄膜的致密性大大提高,并极大的改善了原本工艺中出现的电池表面色差较严重的问题。  相似文献   

10.
采用射频磁控溅射技术,以氧化锌(ZnO)为靶材,在PET塑料表面沉积制备了氧化锌薄膜包装材料,研究了氩气(Ar)流量对所制备的ZnO薄膜结构、形貌、沉积速率、透氧率以及透湿率的影响。实验结果表明,当氩气流量为40 sccm时,ZnO薄膜表面均匀且致密,其氧气透过率可以达到1.14 cc/(m~2.d),水蒸汽透过率为0.43 g/(m~2.d)。  相似文献   

11.
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,探索性研究制备μc-Ge:H薄膜的基本沉积参数,通过一系列处理技术实现了高晶化率超薄μc-Ge:H薄膜的制备,有效拓展了太阳电池的光谱响应范围。  相似文献   

12.
纳米硅(nc-Si:H)薄膜被视为新型硅基薄膜太阳能电池的核心材料.本文从溅射工艺,沉积过程、结构特征方面对溅射法制备纳米硅薄膜的研究进展作了综述.  相似文献   

13.
本文主要讲述了氮化镓(GaN)功率管的发展及优势,并以GaN管芯为基础,分析了采用MCM方案的GaN模块在第四代移动通信微型直放站中的设计及应用。  相似文献   

14.
《科技风》2017,(8)
能够实现热能和电能转换缓解能源紧张问题的热电材料已经被公认,为了提高材料的热电性能,最重要的是提高材料的热电优值。这里采用合金化来优化GaN的热电性质。主要采用基于密度泛函理论计算的软件VASP和基于玻尔兹曼理论的BoltzTraP软件对GaN以及Al_(0.25)Ga_(0.75)N进行了计算。通过计算得出GaN及其合金Al_(0.25)Ga_(0.75)N的能带结构,电导率,功率因子,塞贝克系数,热电优值。P型GaN的ZT在1100K时达到了0.039,P型的Al_(0.25)Ga_(0.75)N的ZT值在1100K时达到了0.661。Al_(0.25)Ga_(0.75)N的热电优值明显高于GaN的热电优值,合金化可以优化GaN的热电性质。  相似文献   

15.
LED照明是一种节能环保的新型照明技术,1986年,日本名古屋工业大学发明了生长GaN（氮化镓）的新方法,GaN基材料和器件很快成了研究的热点。在国内,北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室于1990年筹建金属有机化合物气相沉积实验室,  相似文献   

16.
本文采用直流反应磁控溅射法低温下在Mg-Li合金表面沉积Ti/TiN复合薄膜,薄膜厚度约为1.6μm,靶材是纯度为99.99%的钛靶。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、M263A电化学系统等技术分析了薄膜的相结构、表面形貌、及在0.35wt%NaCl中的抗腐蚀性能。结果表明:复合薄膜的腐蚀电位较合金基体正移82.6mV,腐蚀电流降了一个数量级,析氢速率也明显减小,说明Ti/TiN复合薄膜提高了镁锂合金的抗腐蚀性。  相似文献   

17.
李小宏 《内江科技》2012,(7):100+95
本文系统描述了利用紫外光辅助化学汽相沉积（UVCVD）技术在InSb芯片背面减薄抛光后沉积SiO2薄膜,作为减反膜以减少芯片表面对红外光的反射。通过测量SiO2薄膜的光谱透过率,并利用红外焦平面测试系统测试SiO2膜对器件性能的影响,表明UVCVD沉积的SiO2膜具有良好的增透效果和均匀性,能有效提高InSb焦平面器件的性能。  相似文献   

18.
用等离子增强化学气相沉积（PECVD）法,通过改变[SiH4]/[NH3：H2]的流量比沉积氮化硅薄膜。用椭偏仪测量氮化硅薄膜的厚度、折射率。研究了N型单晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的电性能。  相似文献   

19.
《科技风》2016,(17)
本文介绍了CuInS_2薄膜的概念和用途,阐述了电沉积法制备薄膜的方法,着重介绍了制备过程中电极和沉积液等参数的设置,并且对薄膜进行扫描电镜和XRD表征。  相似文献   

20.
本文制备了碳纳米管/聚二甲基硅氧烷(CNT/PDMS)柔性导电复合薄膜,并研究了CNT含量及固化温度对CNT/PDMS复合薄膜力学性能的影响。结果表明,所制备CNT/PDMS复合薄膜在应变20%内为弹性变形,增加CNT含量以及提高固化温度可以增加复合薄膜的弹性模量及抗拉强度,但断裂延长率有所下降。因此,选择合理的固化温度是优化材料综合性能的有效手段。  相似文献   

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