首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 140 毫秒
1.
采用线性组合算符法乖变分法研究了电场对抛物量子线中弱耦合极化子性质的影响。在考虑电子与LO声子相互作用和加电场的情况下,计算了抛物量子线中弱耦合极化子的基态能量.数值计算结果表明:抛物量子线中弱耦合极化子的基态能量Eο随电场强度F和约束强度‰的增强而增大,而随量子线长Z的增大而减小.  相似文献   

2.
利用两种不同的理论方法对抛物量子点中束缚极化子的性质进行了研究.首先是从抛物量子点中电子一声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了外界温度、库仑势、量子点受限长度、耦合强度对抛物量子点中强、弱耦合束缚极化子的基态能量、振动频率及声子平均数的影响,接下来是从处于稳定的磁场抛物量子点中电子一声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了声子之间的相互作用、量子点受限长度、耦合强度和外磁场对弱耦合束缚磁极化子的基态能量及声子之间的相互作用对基态能量贡献的依赖因素。  相似文献   

3.
本文利用寝渐键荷(AdiabaticBOnd-Charge)模型研究了AlAs/GaAs(001)中声子运动对电子运动的影响,导出了量子阱中计入声子影响后电子的波函数.本文的计算结果及理论对于研究超晶格半导体中的声子模及极化子的运动具有重要价值.  相似文献   

4.
利用两种不同的理论方法对抛物量子点中束缚极化子的性质进行了研究.首先是从抛物量子点中电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了外界温度、库仑势、量子点受限长度、耦合强度对抛物量子点中强、弱耦合束缚极化子的基态能量、振动频率及声子平均数的影响.接下来是从处于稳定的磁场抛物量子点中电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法和幺正变换方法研究了声子之间的相互作用、量子点受限长度、耦合强度和外磁场对弱耦合束缚磁极化子的基态能量及声子之间的相互作用对基态能量贡献的依赖因素.  相似文献   

5.
本文利用两种不同的理论方法对极性半导体和离子晶体中束缚极化子的性质进行了研究.首先是从库仑场中电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法研究强、弱耦合束缚极化子的有效质量、振动频率、声子平均数与外界温度和库仑势的关系.其次是从稳定磁场中离子晶体或极性半导体的电子-声子体系的哈密顿量出发,用线性组合算符方法在强、弱磁场的条件下讨论了束缚极化子的有效质量,振动频率,声子平均数与外界温度,磁场的变化关系.  相似文献   

6.
采用线性组合算符和么正变换方法研究了非对称量子点中弱耦合杂质束缚极化子的性质.导出了极化子基态结合能随横向和纵向有效受限长度、电子-声子耦合强度和库仑束缚势的变化关系以及声子平均数随耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:基态结合能随横向和纵向有效受限长度的增加而减少,随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而增大.声子平均数随耦合强度的增加而增大.  相似文献   

7.
本文利用寝渐键荷模型研究了AlAs/GaAs(001)中声子运动对电子运动的影响,导出了量子阱中计入声子影响后电子的波函数。本文的计算结果及理论对于研究超晶格半导体中的声子模及极化子的运动具有重要价值。  相似文献   

8.
本文在电子与体纵光学声子强耦合的条件下,用P ekar类型的变分方法,计算出了三角束缚势量子点中电子的基态能量和第一激发态的能量.将量子点中的这样一个二能级体系作为一个量子比特,研究并讨论了不同电子与声子的耦合强度、极角和电场对量子点量子比特概率密度的影响.  相似文献   

9.
本文综述了近年来对抛物线性限制势量子点量子比特性质方面的部分研究工作,第一节从抛物量子点中电子-声子体系的哈密顿量出发,采用Pekar类型变分方法,得出了抛物量子点中的二能级体系,这样的体系可作为量子计算机的一个基本信息储存单元-量子比特.在此基础上考虑了电子-声子耦合强度,量子点的受限长度,库仑势,外磁场对量子比特的振荡周期的影响,同时给出了电子的概率密度分布随时间的演化.第二节在抛物量子点量子比特中,由于声子的自发辐射造成量子比特的消相干,计算了电子-声子耦合强度,量子点的受限长度,库仑势,色散系数对消相干时间的影响,同时得出了量子比特的密度矩阵随时间的演化过程.  相似文献   

10.
在电子与体纵光学声子与电子强耦合的条件下,应用Pekar类型的变分方法计算出了三角形束缚势量子点中电子的本征波函数,并计算出电子的基态能量和第一激发态能量.研究了极角、电子-光学声子耦合常数、声子色散系数度等因素对由于体系声子的自发辐射造成的消相干时间的影响.  相似文献   

11.
Feynman variational path-integral theory was used to obtain the ground-state energy of a polaron in a quantum well in the presence of a Coulomb potential for arbitrary values of the electron-phonon coupling constant α. Numerical and analytical results showed that the energy shift was more sensitive to α than to the Coulomb binding parameter (β) and increased with the decrease of effective quantum well widthl Z. It was interesting that due to the electronic confinement in the quasi-2D (quantum well) structures, the lower bound of the strong coupling regime was shifted to smaller values of α. Comparison of the polaron in the quantum well with that in the quantum wire or dot showed that the polaronic effect strengthened with decrease of the confinement dimension. Project (No. 19804009) supported by the National Natural Science Foundation of China  相似文献   

12.
根据边界条件中声子散射的不同情况,用Boltzmann方程研究了计算一维纳米材料-线的晶格热导率,结果发现,与体热导率相比, 线的热导率显著减小。  相似文献   

13.
陈国应  安宏 《大连大学学报》1999,20(4):33-36,70
本文从Sak[1]提出的表面极化子的哈密顿量出发,采用顾世洧教授[2]所用的方法,考虑到色散效应对表面激子的影响,用微扰法[6]计算正弦色散时对表面激子能量的影响及表面声学激子和表面极化子间关系  相似文献   

14.
基于介电连续模型与Loudon单轴晶体模型,研究了短波长纤锌矿氧化锌(ZnO)材料与闪锌矿氧化镁(MgO)晶体构成的准一维ZnO/MgO纳米线结构的晶格振动特性及相关的电子-声子相互作用耦合函数。结果表明,在准一维ZnO/MgO圆柱形纳米线体系中存在两种极化光学声子模,即界面模与准受限模。均给出了结构中的这两种声子模的声子态及其色散方程。而且,也导出了基于场的量子化方案,体系解析的电子一声子相互作用耦合函数。结果对进一步研究准一维ZnO/MgO纳米线体系的极化子效应对结构的光电平特,陛的影响具有鼋耍囊义  相似文献   

15.
The combined characterizations of mobility and phonon scattering spectra allow us to probe hole transport process in epitaxial PbSe crystalline films grown by molecular beam epitaxy (MBE). The measurements of Hall effect show p-type conductivity of PbSe epitaxial films. At 295 K, the PbSe samples display hole concentrations of (5-8)× 10^17 cm^-3 with mobilities of about 300 cm^2/(V·s), and at 77 K the hole mobility is as high as 3×10^3 cm^2/(V·s). Five scattering mechanisms limiting hole mobilities are theoretically analyzed. The calculations and Raman scattering measurements show that, in the temperatures between 200 and 295 K, the scattering of polar optical phonon modes dominates the impact on the observed hole mobility in the epitaxial PbSe films. Raman spectra characterization observed strong optical phonon scatterings at high temperature in the PbSe epitaxial films, which is consistent with the result of the measured hole mobility.  相似文献   

16.
The photoluminescence (PL) spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots (QDs) with InAlAs/InGaAs combination cap layer grown by molecular beam epitaxy are studied under different excitation conditions.The intrinsic optical properties of InAs QDs are investigated under resonant excitation condition.A longitudinal optical (LO) phononassisted peak can be well resolved under Eex 〈 E GaAs g,which give evidence that the phonon-related process is dominated for carrier relaxation in InAs QDs with InAlAs/InGaAs combination cap layer when they are under resonant excitation condition.A rate equation model is established to interpret the difference of thermal activation energy (Ea).The Ea measured under Eex 〈 E GaAs g,can exactly describe the intrinsic physical mechanism of temperature-induced quenching in InAs QDs,because it can be irrespective of the barrier materials.This result will benefit to validating the parameters of quantum dots infrared photodetector (QDIP) in sequent procedure of device fabrication.  相似文献   

17.
考虑第一个光学声子模式的影响,我们计算了碳纳米管的Umklapp过程的声子驰豫率和热导率。计算结果表明第一个光学模式能够极大地增强声子驰豫率。随着碳纳米管管径的增大,考虑和不考虑第一个光学声子模式所得到的驰豫率的差异将逐渐增大。此外,驰豫率的增大导致了驰豫时间和热导率的降低,并简要地分析了第一个光学声子模式对于热导率的影响。  相似文献   

18.
对一般的输运过程问题把电子运动近似当作经典粒子来处理.给出了电子准经典运动的两个基本关系式.定义了有效质量张量,说明它是一个二阶对称张量,讨论了有效质量的物理意义.计算了一维弱周期场情况下的有效质量,有效质量可以是正值,也可以是负值,与电子状态及能带结构有关,在能带极值附近电子可看成具有有效质量的自由电子.  相似文献   

19.
根据电阻产生的物理机制即电子声子相互作用提出了RLC电路量子化的一种新方法 .用这一方法研究电路中的量子涨落比用传统有效哈密顿方法得到的结果要小 .同时还发现 ,如果电容和电感含有时间 ,则可在电路中产生压缩态 .本文方法克服了传统方法在时间很长后电荷和电流趋于零的不足  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号