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复杂元器件上采用磁控溅射镀膜,薄膜与基片结合强度关系产品质量。从薄膜的附着机理入手,构建其结合力学模型。通过实验分析得出,附着力主要与附着类型、附着力的性质、工艺和测量方法有关。影响附着力的因素主要包括材料性质、基片表面状态、基片温度、沉积方式、沉积速率和沉积气氛等。掌握简单附着、扩散附着、通过中间层附着及宏观效应附着内容,通过选择基片能与薄膜形成化学键,清洗基片去除污染层,合理提高温度、加速扩散反应形成中间层等措施来提高附着力。此外,薄膜中存在的内应力通过合理调控工艺指标来消除和减小对薄膜和基片附着力的影响。 相似文献
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《科技成果管理与研究》2009,(12):20-20
美国康奈尔大学的研究人员制成了一种高效低耗的氮化镓晶体管,有望在短期内取代硅晶体管,成为电力应用中的“半导体之王”。相关的研究报告发表在近期出版的《应用物理快报》上。 相似文献
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随着科学技术不断研发,我国的各个领域都进行了很大的改革与创新。国内的相关学者加大了对薄膜应力的研究,使用溅镀或蒸镀的方法将薄膜材料附着在基片表面上,能够促进微光机电系统和大型积体电路的制程。本文通过对平板力学的理论结构进行研究,对薄膜应力引起基片弯曲变形的力学行为和数学结构。利用电脑软件Abaqus建立模型提供数值解,提高数学模型的正确性。 相似文献
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《黑龙江科技信息》2017,(16)
半导体材料作为场效应晶体管的关键组成元素,严重的影响器件性能,相对于小分子半导体材料,聚合物半导体材料具有很多优势,比如便于溶液加工、适用于室温制备等。目前,高迁移率聚合物半导体材料经过多年研发,已经取得了突飞猛进的成果,并且经过不断的创新,诞生了各种结构新颖、性能良好的聚合物半导体材料,不断优化器件制备工艺,使得聚合物场效应晶体管的载流子迁移率从10~(-5_cm~2v~(-1)s~(-1)提升到了36.3cm2v~(-1)s~(-1)。详细地描述了高迁移率聚合物半导体材料的研究现状,分析了高迁移率聚合物在半导体器件设计中的应用情况,从空穴传输型、电子传输型和双极传输型等三个方面分析高迁移率聚合物半导体研发现状,归纳和总结半导体材料,从而可以进一步的为半导体器件构筑提供一定的指导。 相似文献
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半导体材料是制作功率器件、晶体管、集成电路、光电器件的基础材料,随着社会不断的进步和发展,直接或间接的影响着人们的生活,同时半导体业的也是物理材料研究的主要方向之一,因此本篇文章对新型的半导体材料的性能以及其应用前景进行了分析和概述。 相似文献
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改革开放，拉开技术引进帷幕 自从上世纪六十年代，世界上第一个晶体管发明以来，人类历史就进入了一个以电子技术发展为标志的历史时代。六十年代晶体管诞生，标志着人类历史开始进入了半导体时代；七十年代集成电路诞生，标志着人类历史又开始进入了微电子时代；八十年代微处理器诞生， 相似文献
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ZnO是一种宽禁带半导体材料(3.37eV),具有许多优异的光电特性。但一般制备出的ZnO薄膜材料均呈N型导电,要实现ZnO在光电器件领域的广泛应用,必须获得性能良好p型ZnO。然而,由于受主元素在ZnO中较低的固溶度、较深的受主能级、施主缺陷的自补偿等因素,很难制备出性能优异的p-ZnO。本文对P型ZnO薄膜的研究现状做一简要综述。 相似文献
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褚君浩研究员主要从事窄禁带半导体以及铁电薄膜的材料器件物理的应用基础研究，并且取得了一系列的科研成果。其中一些科研成果更引起世界同行的关注。 相似文献
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