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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
<正>项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米,4毫米厚的ZnO单晶。  相似文献   

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正项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米,4毫米厚的ZnO单晶。  相似文献   

3.
正项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异、光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法(CVT法),而且采用CVT法已生长  相似文献   

4.
程佳 《科技风》2011,(21):47+64
利用交流电沉积在有序多孔氧化铝膜内制备了镍磁性纳米线。采用EFSEM、TEM等方法对镍纳米线阵列进行表征,并用VSM对样品的磁性能进行测试。结果显示,镍纳米线在生长过程中发生晶体演化现象,出现多晶→单晶→多晶→单晶的生长模式。  相似文献   

5.
<正>项目概况ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力,如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体,又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸ZnO单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法  相似文献   

6.
《大众科技》2009,(5):5-5
近期,河南理工大学材料学院超硬材料研究中心臧传义博士等人合成出目前国内最大的优质六面体钻石大单晶,晶体直径达到7.3mm,重1.2克拉。据悉,目前该实验室正在研究更大、更快的优质单晶生长工艺。  相似文献   

7.
沈德忠(1940-),贵州贵阳人。人工晶体专家,中国工程院院士。沈德忠院士长期从事无机非金属功能晶体材料的探索、生长及应用研究,先后研究生长出铌酸钾(KN)、磷酸钛氧钾(KTP)等十多种晶体,成功地解决铌酸钾晶体生长过程中的赋色、开裂以及晶体应用过程中的定向、极化等一系列难题,研制出大尺寸高光学质量的单畴铌酸钾单晶,  相似文献   

8.
刘威 《科技风》2013,(11):14
本文通过对单晶炉热场加热器进行探究,优化加热器的结构与参数,以期设计出更加合理与节能的加热器,延长加热器寿命,降低单晶炉能耗。  相似文献   

9.
《科学中国人》2011,(13):5-5
沈德忠,中国工程院院士,人工晶体专家,1941年生,贵州省贵阳市人。中材料技集团总公司人工晶体研究院高级工程师,清华大学教授。长期从事无机非金属晶体材料的生长、应用及探索研究。先后生长出铌酸钾(KN)、磷酸氧钛钾(KTP)等10多种晶体;研制成功高光学质量的大单畴KN晶体,使该晶体的批量生产和实际应用成为可能;首次在掺铁KN晶体上实现了室温自泵浦相位共轭;首次用改进熔剂法研制成功大块高光学质量的KTP单晶,不但打破了美国对该晶体的垄断和对我国的禁运,而且批量生产和出口,效益显著。  相似文献   

10.
<正>听多了虚拟货币、虚拟现实、虚拟主机……有没有听过虚拟生长?"要长出高质量的碳化硅(Si C),我们需要对生产工艺进行设计、调试和优化。"晶体材料国家重点实验室教授陈秀芳带领的课题组有一项重要任务——通过物理气相沉积法生长出高质量、大尺寸的Si C单晶材料。"但实际的生长耗时、耗料,可能也不稳定,通过计算机模拟‘虚拟生长’过程,可提前获知温度、生长  相似文献   

11.
结晶饰品     
正饱和溶液可以通过"蒸发浓缩——冷却结晶——过滤——洗涤——干燥"得到晶体,也可以通过"蒸发结晶——过滤——洗涤——干燥"得到晶体。如果不计时间,常温敞口放置带结晶核的饱和溶液,数日后也能得到漂亮的簇状晶体,如明矾石的摆件。挑选一枚形状完整的小晶体用细线拴住悬挂在饱和溶液中,常温浸泡数周后可析出大的单晶。热溶液骤冷容易析出透明度较差的双晶、多晶或晶簇。看上去是不是很容易就能实现?一起来制作吧。一、爱心摆件将铜丝扭成心形,并用细棉线缠绕,棉线  相似文献   

12.
总结了我院有关研究所在空间材料科学中的砷化镓单晶空间生长及其地基研究、光电子晶体的空间生长及其地基研究、空间金属合金凝固和物理化学特性及其地基研究、空间高温氧化物晶体生长研究及空间和地基实验硬件研制等方面取得的重要成果 ,并提出我院空间材料科学的发展方向。  相似文献   

13.
利用Cz法生长的单晶硅是半导体和光伏行业的重要基材,但该常规工艺存在一定缺陷:单晶硅头部容易产生较多OSF缺陷,导致头部无法使用。作者通过计算机模拟技术结合实际试验,对常规工艺进行优化。通过对常规和试验单晶硅头部OSF缺陷检测,得出:提升晶体转速、降低石英坩埚转速、提高晶体头部拉速可有效降低单晶硅头部OSF缺陷。  相似文献   

14.
《科技风》2021,(3)
锗单晶晶片作为一种重要的外延层衬底材料被广泛应用于航天航空领域。衬底外延生长要求锗晶片表面有极低的表面粗糙度、无表面/亚表面损伤和残余应力等,需要通过对锗表面进行抛光去除表面缺陷、提高表面质量,从而满足外延生长。本文综述了锗单晶衬底抛光的技术进展,分析了抛光液组分、pH值、离子强度、抛光工艺参数等对锗片抛光质量的影响,阐述了锗晶片的化学抛光机理,指出了目前锗抛光技术中存在的问题并对其未来发展方向进行了展望。  相似文献   

15.
用定向再结晶技术可以制备单晶或柱状晶结构,本文讨论了定向退火工艺参数对显微结构演变的影响,评述了定向退火过程中柱状晶长大的热力学和动力学条件,结合单相金属或合金,硅钢和高温合金等材料探讨了在退火过程中柱状晶生长的影响因素,讨论了晶体学织构,杂质或第二相和表面对晶粒异常长大的影响。  相似文献   

16.
《中国科学院院刊》1989,4(2):150-152
人工水晶的研制,在国外是从第二次世界大战时开始得到重视的.当时由于军事工业急需,美国、苏联和日本等国都发展很快.我国于1958年开始研制,起步虽晚,发展较快.30年来,我们完成了人工水晶结晶习性与生长机理的实验室研究、中间试验直至工业化生产的全过程.晶体的结晶习性是指在一定生长条件下晶体的形态特征而言的,可以据其特征反馈出最佳的生长条件,了解了这一互相制约的关系,给人工晶体生长指出较好的研究途径.晶体中的缺陷与晶种的内在质量和生长条件密切相关.摸透晶体的结晶习性则可以因势利导,控制生长条  相似文献   

17.
碲锌镉单晶体是近年发展起来的一种性能优异的三元化合物晶体材料,具有良好的光电性质,被广泛用于制作核辐射探测器、红外探测器外延衬底等而引起了越来越多的研究者重视。研究碲锌镉晶体生长方法,对于低成本制备大体积、高质量的碲锌镉单晶体具有重要意义。数值模拟的发展,加深了对各种生长碲锌镉单晶体技术的认识,对加大碲锌镉单晶生长及应用的研究具有重要的意义。  相似文献   

18.
借助单晶X射线衍射可以得到DNA弯曲的实验数据,生物信息学可以帮助我们分析这些数据。首先建立DNA碱基对和碱基对梯阶晶体结构数据库,利用线性回归的方法分析B-DNA参数之间的关联特性,根据参数之间的关联提出DNA弯曲的数学模型。  相似文献   

19.
Science     
正高镍单晶阴极研究Science封面:充入高压的微米级阴极晶体中滑动现象示意图。Science杂志第6522期封面文章报道了如何使富含镍的单晶阴极坚固高效。美国能源部太平洋西北国家实验室的科学家使用高镍含量的单晶材料作为阴极,实现了性能"兼得"。研究人员通过使用高性能单晶作为模型材料,观察了高镍阴极的变化,研究电压如何触发单晶从原子级到微米级的结构变化及其对阴极电化学性能的影响。结果表明,在单晶富镍阴极中观察到沿(003)平面的可逆晶格滑动和微裂纹。论文开发了一种扩散引起的应力模型,以了解平面滑移的起源,并提出了稳定高镍阴极的方法。  相似文献   

20.
组织间技术转移的界面分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
技术转移在很多情况下是大学、科研院所等知识生产组织与企业等经济生产组织之间在系统界面上发生交互作用的一个极其复杂的演化过程。详细阐述了界面的概念,指出技术转移的界面具有渗透性、多样性、演化性的特征。组织间的信息不对称,不同质的主体间的差异性,是引起组织间技术转移界面障碍的主要原因。通过改变界面特性或者通过界面移动的途径,可以降低甚至消除转移障碍,实现技术转移中对界面的跨越。  相似文献   

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