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相似文献
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1.
VDMOSFET(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)功率器件不同于传统数模集成电路中器件,除了基本的静态和交流特性以外,UIS(非箝位感性负载开关)雪崩耐量(Eas)也是功率器件重要的衡量指标。非箝位感性负载开关过程所引起的VDMOS器件失效是VDMOS在应用过程中最主要的失效形式。故而,提高非箝位电感开关雪崩耐量的研究具有极为重要的意义。本文通过对工艺及器件结构的优化,使VDMOSFET的UIS雪崩耐量在不增加工艺层次的条件下增加接近70%。  相似文献   

2.
针对N+掺杂区设计了一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构,新结构中源极N+掺杂区为梯形结构。该结构减小了元胞的尺寸,提高了单位面积的元胞数量,从而提高了单位面积的电流密度,减小了VDMOS器件的封装尺寸。  相似文献   

3.
低压MOSFET具有低导通损耗、快开关速度和高输入跨导的优点,目前在一些便携电子设备中应用十分广泛。本文研究了低压P沟VDMOS产品的设计方法,针对40伏P沟VDMOS产品进行了参数设计和结构优化,利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟。产品经流片、测试,技术参数达到了设计要求。  相似文献   

4.
VDMOS产品在高温反偏试验过程中,经常出现耐压和漏电流失效或不稳定的现象。对Si-Si O2系统中四种基本形式的电荷或能态以及高温反偏主要失效机理进行了分析,同时针对200V塑封VDMOS器件高温漏偏试验过程中漏源漏电IDSS增大且不稳定的现象,通过器件终端结构设计的改进,解决了此问题。终端改进后的产品在150℃、1000小时的高温漏偏试验过程中未发生漏源漏电IDSS增大的问题,试验后常温测试产品漏源漏电IDSS在90n A左右。  相似文献   

5.
随着我国国民经济水平的不断提高,我国的科学事业也得到了蓬勃的发展。对此,主要针对TSW2500型中的500k W短波发射机真空器件进行了研究,并从大型真空电子管的维护、高压测试俗称电极冷打压、真空电容器的维护进行了分析,并提出了合理化建议,提供给相关人士,供以借鉴。  相似文献   

6.
分析了电离总剂量加固的基本理论,提出了先进行P阱注入,高温退火形成要求的P阱结深,再进行高质量Si O2-Si3N4双层栅介质的生长工艺,来提高VDMOS器件的抗辐射能力,加固后器件的总剂量由原来的5k Rad(Si)增加到100k Rad(Si)。试验结果表明这种加固技术可以提高器件的电离总剂量强度。  相似文献   

7.
半导体材料是制作功率器件、晶体管、集成电路、光电器件的基础材料,随着社会不断的进步和发展,直接或间接的影响着人们的生活,同时半导体业的也是物理材料研究的主要方向之一,因此本篇文章对新型的半导体材料的性能以及其应用前景进行了分析和概述。  相似文献   

8.
褚君浩院士是我国著名半导体物理和器件专家,中国科学院院士,我国自己培养的第一位红外物理学博士。他长期从事红外光电子材料和器件研究,在窄禁带半导体、非制冷红外探测、太阳能电池和太赫兹物理、材料及器件等诸多红外科学技术领域做出贡献。近年来他带领的研究团队继续在红外物理前沿不断探索,做出新的创新成果,这些成果从原理规律的发现到技术发明创新,都具有非常重要的意义。  相似文献   

9.
转台作为惯性器件的测试平台和仿真平台,在航空、航天和国防等领域中有着重要的作用.随着现代航空、航天技术的飞速发展,惯性器件精度的不断提高,对转台的性能要求也在不断的提高.我们概述了国内外转台研究现状,并对转台控制系统的研究现状进行了阐述.  相似文献   

10.
田立达 《科技风》2015,(3):49+51
近些年,我国板式无砟轨道施工技术不断发展,同时很多大型企业在不断吸收和引进国外先进的施工技术,并加以不断改进创新,研究了属于我国自主知识产权的新型施工技术。目前,板式无砟轨道主要有三种结构形式,即CRTSⅠ型、CRTSⅡ型和CRTSⅢ型,本文主要就CRTSⅠ型板式无砟轨道CA砂浆施工进行介绍,阐述其灌注施工工艺质量控制技术。  相似文献   

11.
《科技风》2015,(3)
近些年,我国板式无砟轨道施工技术不断发展,同时很多大型企业在不断吸收和引进国外先进的施工技术,并加以不断改进创新,研究了属于我国自主知识产权的新型施工技术。目前,板式无砟轨道主要有三种结构形式,即CRTSⅠ型、CRTSⅡ型和CRTSⅢ型,本文主要就CRTSⅠ型板式无砟轨道CA砂浆施工进行介绍,阐述其灌注施工工艺质量控制技术。  相似文献   

12.
张毓敏 《科教文汇》2011,(36):85-86
最近十几年来,分子器件由于其诱人的应用前景已经成为了国际科技界竞争最为激烈的研究领域之一,这也使得分子器件领域在过去短短的时间里取得了很多优秀的研究成果。本文主要对分子器件的概念,以及分子器件研究中一些重要的实验和理论进展进行了简要的概括。  相似文献   

13.
微纳光学是指研究微米乃至纳米尺度下的光学现象的学科,随着光学系统体积的不断缩小,光学特性也会发生改变,当特征尺寸达到微纳米量级,就会出现许多宏观条件下所没有的特性。利用微纳尺寸结构的光学特性,可以设计出新型光学器件、系统和装置。微纳光学制造业主要利用微纳光学技术生产因微纳结构而产生特殊光学性能或呈现特殊视觉效果的光学膜和器件。  相似文献   

14.
随着我国电子技术的不断发展,各项先进技术不断进入到广播电视行业中,其中应用比较成熟的全固态发射机技术已逐步代替了电子管发射机成为主流机型,在全固态发射机技术中,场效应晶体管是全固态发射机的核心器件,本文主要阐述场效应管的分类、特点和应用。  相似文献   

15.
现代半导体器件工艺的快速发展,对硅表层的质量提出了愈来愈高的要求。本文报导一种评价表层工艺质量的实验方法。一、理论分析简述若对MOS电容施加一个耗尽的阶跃脉冲,则MOS电容将处于深耗尽态。图1为一个N型衬底的MOS电容在深耗尽状态下的能带示意图由图可见,体和表面产生中心贡献的总产生电流可表为:  相似文献   

16.
通过分析VDMOS产品总剂量和单粒子的失效机理,提出了相应的总剂量和单粒子加固方案,同时对具有抗辐照要求的VDMOS在终端设计和管芯工艺设计中重点需要考虑的问题进行了分析和总结。本文所采用的总剂量和单粒子加固方案已经在N沟200V产品的设计和工艺中应用,试验结果证明方案可行、措施有效。  相似文献   

17.
改革开放以来,温州民营企业依赖渐进型创新取得了竞争优势。但是,由于渐进型创新潜力的耗尽,以及重大创新与基础性创新的缺乏,温州急需从依赖渐进型创新转向突破型创新。本文在总结温州民营企业技术创新模式基础上,研究温州企业的渐进型创新与企业集群模式的相互强化,提出培育温州民营企业重大创新和自主创新能力的政策建议。  相似文献   

18.
随着我国经济水平的不断提高,我国的科学领域也得到了蓬勃的发展。TSW2500型短波发射机属于目前世界上新型的发射机之一。对此,主要从TSW2500型发射机的基本工作原理、发射机射频网络工作原理、发射机频率调谐原理及要点分析、发射机调谐人工干预技术要点几方面来对TSW2500型短波发射机调谐方法好维护技巧进行分析,笔者依据多年经验总结合理化建议,提供给相关人士,旨在推动我国经济建设的不断发展。  相似文献   

19.
分子材料和器件主要探讨共轭有机、高分子的设计、合成,研究其聚集态结构、分子之间相互作用,光电磁物理性质及相关现象,制备器件并研究其性能,是多学科交叉前沿研究领域。该领域发展迅速,取得了许多重要突破,但仍然蕴藏着重要创新机遇。经过几代人的努力,我国在该领域已有很好的研究基础,已经占有一席之地。  相似文献   

20.
随着社会的发展,电力电子的控制技术也在逐渐的朝着高效性和智能化的方向进行发展。可编程逻辑器件在电力电子的控制技术中得到了较为广泛的应用,处理速度快是可编程逻辑器件的优点。本篇论文主要对可编程逻辑器件的特点和具体的应用情况进行了深入的分析,在可编程逻辑器件的高集成和高速性的基础上,提出了具体的可编程逻辑器件在电力电子地控制技术的设计方案,对于可编程逻辑器件在电力电子的控制技术中的应用进行了深入的研究和分析。  相似文献   

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