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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
利用化学气相输运法制备出了过渡金属-磷-三硫化物FePS_3的高质量单晶样品,并对该单晶样品的晶体结构、电输运性质和磁各向异性进行了系统的研究.粉末X射线衍射结构精修显示FePS_3呈单斜晶体结构,具有典型的层状结构特征.面内电阻率随温度降低而升高,呈半导体行为,激活能大小为273 meV.在高温区,面内磁化率和面间磁化率都随温度降低而升高,呈居里-外斯顺磁行为;但是两个方向上磁化率的外斯温度符号相反,表现出明显的各向异性.随着温度的降低,两个方向上的磁化率在118 K附近都急剧减小,然后保持不变,表现出典型的反铁磁相变行为,但是该反铁磁相变具有明显的一级相变特征.  相似文献   

2.
用固态反应法和低温焙烧法制备(V_(1-x)Tex)_2O_3与PPS复合材料,在77~400K温区内测量其电阻率和介电常数与温度关系。结果表明,在Te与PPS同时存在的条件下,除了160K附近的反铁磁绝缘-顺磁金属转变之外,发现了在210K附近的电性异常,用偶极矩浓度讨论了所得的结果.  相似文献   

3.
稀土磷族化合物被认为是潜在的拓扑量子材料.本文以CeSb为研究对象,开展磁化率和电阻率的温度、磁场和角度依赖性研究.研究发现低温CeSb具有多个磁性相,在磁场作用下表现出反铁磁-铁磁转变以及补偿型磁电阻行为和磁电阻平台特征.另外,相比于非磁性和Gd基姊妹化合物,CeSb的低温转角磁电阻在(2n+1)/4(n=0,1,3,4)处出现极小值,表明该体系中磁性与电输运性质相互耦合.研究结果有助于深入理解稀土磷族化合物的磁电输运性质以及电子结构特征.  相似文献   

4.
Mn位掺杂是调整稀土锰氧化物中Mn3+-O2--Mn4+网络的一种十分有效的方法,对理解稀土锰氧化物材料的物理机制和微观机理具有重要作用。在Ln1-xAxMnO3体系中,当x=0.3左右时,Mn位微量掺杂即可破坏原有的长程铁磁有序与金属性共存,而产生团簇玻璃型(短程)铁磁有序行为;多数情况下,TP降低,对应的峰值电阻率ρp急剧升高,居里温度TC降低,CMR效应增强。当x=0.5时,通过在Mn位掺杂可以使反铁磁绝缘母体产生铁磁金属性行为;电阻率急剧降低,出现CMR效应。  相似文献   

5.
采用溶胶凝胶法制备了系列Pr0.5Sr0.5MnO3纳米晶样品,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜观察了材料的晶体结构和微结构,并用振动样品磁强计对其磁性和磁热效应进行了研究.结果表明,随着烧结温度的提高,材料颗粒尺寸也相应增大.当材料颗粒尺寸大于115nm时,材料表现出反铁磁到铁磁的一级相变和铁磁到顺磁的二级相变,而当颗粒尺寸小于115nm时,样品低温的反铁磁到铁磁相变消失,只剩下铁磁到顺磁一个相变.采用Maxell关系计算了材料在1T磁场下的磁熵变,在反铁磁到铁磁相变附近发现了正磁熵变,而在铁磁到顺磁相变附近具有负磁熵变.  相似文献   

6.
Te对Bi0.85Sb0.15低温热电性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用机械合金化法在553K、6Gp下压制30分钟获得Bi_(0.85)Sb_(0.15) x%Te(其中,x=0.1、0.2、0.5、1和2)的纳米晶热电材料,并对Bi_(0.85)Sb_(0.15) x%Te材料的热电性能进行了研究。通过对样品的X-ray衍射实验分析,证实已形成了单相合金。在80-300K温区测量了样品的Seebeck系数、热导率和电导率,并计算出材料的优质参数。结果表明:Bi_(0.85)Sb_(0.15) x%Te材料在80-300K温区表现出金属特征。Bi_(0.85)Sb_(0.15) 0.1%Te样品的电导率要比Bi_(0.85)Sb_(0.15)样品电导率高2-3倍,而Seebeck系数绝对值比Bi_(0.85)Sb_(1.15)样品减少了近80%。表明掺入Te可以提高Bi_(0.85)Sb_(0.15)纳米晶粉末材料的电导率。  相似文献   

7.
利用溶胶凝胶法在单晶LaAlO3(100)衬底上成功的制备了La0.7Pb0.3MnO3外延膜.用X射线衍射仪、直流四探针法对其结构及电特性进行了研究.结果表明,薄膜为赝立方钙钛矿结构,晶胞参数为a=3.907nm.电阻率随着温度的增加,从金属导电行为向半导体行为转变,转变温度为TP=336K,利用双交换理论对此现象作了合理的解释.其电阻率在低温区时满足ρ=ρ0+ρ1T2+ρ2T4.5,其导电机制主要是电子与电子的散射,在T〉TMI时主要是小极化子输运.  相似文献   

8.
具有极大磁电阻的半金属材料因其可能具有非寻常的拓扑电子结构、电输运特性,可为高能物理相关的狄拉克费米子、外尔费米子以及马约拉纳费米子的研究提供崭新的舞台,受到了广泛关注.本文通过助溶剂法合成高质量的GdSb单晶并系统地研究其结构、磁性、电输运等性质,发现该材料具有NaCl型晶体结构(空间群Fm-3m),并且在23.4 K附近经历反铁磁相变.电输运结果表明GdSb具有金属导电性,自旋无序效应可导致磁相变温度附近的电阻出现异常.更吸引人的是,样品在磁场(H=9 T)作用下,低温(2 K)电阻将出现平台,展示出极大的磁电阻效应(MR=12 100%).通过霍尔效应及第一性原理计算,发现GdSb是多带及补偿型半金属,其中电子与空穴的数目相当.电子-空穴补偿及较大的载流子迁移率是极大磁电阻的来源.  相似文献   

9.
采用自助溶剂固态反应法制备出Bi2212及其Ijb和Y掺杂单晶。X射线衍射图表明,除001峰外,没有杂相峰;其晶体结构参数计算表明,随着Pb和Y掺杂量的增加,晶体c-轴常数减小。c-轴方向的电阻-温度曲线则显示其超导转变温度为90K左右。  相似文献   

10.
本文用 [Mn3O( O2 CCH∶ CHCH3) 6 ( py) 3] Cl O4 和 4 ,4 —二甲基— 2 ,2 联吡啶在CH3CN溶液反应 ,合成了一个四核的锰配合物 [Mn4O2 ( O2 CCH:CHCH3) 7( Me2 bipy) 2 ]Cl O4。对化合物进行了元素分析及红外表征 ,在 2 ,2 - 30 0 K温度范围内测定了其变温磁化率 ,实验结果表明化合物存在反铁磁性交换作用  相似文献   

11.
本文完全解决了不定方程x~2+y~2+z~2=w~2的正整数解这一问题。  相似文献   

12.
本文用初等方法给出了丢番图方程X~2 y~2=Z~2 w~2的正整数解的一个极优表达式。  相似文献   

13.
This paper is the presentation of a simplified example of a technique, conceived by Yates and later developed by Goodman and Haberman, for the determination of appropriate log-models in the measurement of qualitative data in higher education.  相似文献   

14.
a2+b2≥2ab是一个最基本的不等式,它的变形、叠加、代换、推广可以解决数学竞赛中的一些不等式证明问题.  相似文献   

15.
16.
主要报道了过渡金属镉的含硫原子配合物和原子簇合物Cd[S_2P(OPr~i)_2]_2、Cd[S_2P(OCH_2Ph)_2]_2和簇合物MoCd_3O_2S_2(Ph_3P){S_2P(OPr~i)_2}_5的合成,并结合其红外光谱、紫外光谱进行综合分析。  相似文献   

17.
杨仕椿 《天中学刊》2007,22(2):9-11
利用Gel'found-Baker方法以及丢番图逼近的有关理论,证明了Pell方程组x~2-7y~2=2,32y~2-z~2=23仅有正整数解(x,y,z)=(3,1,3),(717,271,1533).  相似文献   

18.
年糕中残留吊白块的测定   总被引:6,自引:0,他引:6  
利用变色酸法对年糕中残留吊白块的检测进行了研究 ,结果令人满意  相似文献   

19.
一、教材内容Part B Let’stalk/Let’spractice本课是一堂对话新授课,主要通过两位小主人公Bai Ling和Chen Jie在家中看电视时的对话和语言练习项目中的猜测游戏来呈现、操练新句型Who’s thisboy/girl?,使学生进一步了解并掌握指示代词this与that的不同用法。同时,对话中还渗透了Come on.Let’s watch TV.Wow,how funny!等口语内容,有助于学生对情景的理解和语言的积累。  相似文献   

20.
The microwave frequency band is generally con-sidered in the range of 0.3—3 000 GHz. Its impor-tance is recognizable in the current growth of micro-wave communications systems which make use of thesuperior information density. Many kinds of dielectricmaterials have been developed for microwave applica-tions[1,2]. Among them, solid solution ZrO2-SnO2-TiO2(ZST) has a higher dielectric constant, a highquality factor (Q) value and a lowtemperature coeffi-cient of resonant frequency (TCF). B…  相似文献   

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