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利用杂化密度泛函B3LYP方法,研究了硼氧小分子在铂团簇的表面吸附体系,研究的物性涉及不同自旋下团簇的几何结构、稳定性、电子结构、解离能和平均原子结合能等. 计算结果表明:BO两种原子作为一个分子整体吸附于铂团簇表面,其吸附方式随团簇尺寸的变化而变化;自然布居和Mulliken布居显示,电荷由铂原子转移到BO分子整体. 此外,解离能和平均原子结合能表明四重态Pt4BO的基态结构具有最大的相对稳定性. 相似文献
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对叠氮化钠晶体进行了第一性原理计算,获得了该晶体的电子结构和介电函数等光电性质。研究显示叠氮化钠晶体是间接能隙值为3.946eV的绝缘体。在-1.60eV~0eV能量范围内,也就是叠氮化钠晶体费米面附近的价带主要由N原子的p电子构成;在3.6eV~6.31eV能量范围内,也就是费米面附近的导带主要由N原子的p电子构成,Na原子的s电子和p电子也略有贡献。叠氮化钠晶体静态实介电函数值为3.946eV。叠氮化钠晶体虚介电常数在3.35eV~25eV很宽的频率范围内有5个峰值,分别在频率为5.47eV、10.87eV、13.85eV、16.26eV和19.31eV等处,其中最大峰值在5.47eV,可能是电子直接从费米面下的第二价带跃迁到费米面上导带底部形成的。 相似文献
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考虑出射道三粒子之间的动力学屏蔽(DS)效应(简称DS3C模型),用DS3C理论模型计算和分析了垂直平面几何条件下,入射电子能量为102eV,敲出电子能量为10eV,电子碰撞He原子单电离的完全微分截面(FDCS),将计算结果与绝对实验数据,及3C、CCC等模型的理论数据进行了比较。结果表明:DS3C能够较好的定性描述垂直平面的碰撞结果。说明入射电子能量较低时,对于非共面几何条件下的碰撞,出射道不仅要考虑核与电子、电子与电子间的相互作用,而且也不能忽略出射粒子间的动力学屏蔽效应。 相似文献
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文章论述脑态演化过程和脑态效应两方面内容;这些现象和效应,按照文中提供的方法和条件,是可以被重现和证实的。第一方面论述脑态演化过程:(1)专化过程:一个不专向任何科目的天然平均脑态者,每天用4~6小时学习一门科目,在此期间不学习其它科目,以避免其它科目的脑态对这科目脑态的干扰;如此坚持几年,在不断学习过程中,随着时间的推移,此人的脑态(包括物质结构的状态、能量运动和信息通道等)越来越趋向这科目;最终经过3~5年单一学习此科目后,此人的脑态已经完全专向这科目了,即他整个脑态在这个科目得到了极大的强化,而在其它科目上他的脑态被弱化(甚至显现比一般人更弱的状态)。(2)向非专化发展的退化过程:已专化于某科目的专化脑态者,开始每天用大量时间去学习多个科目,而且这些科目的信态相差很大。这样以来,他的脑态就摆布于这多个科目中,随着时间的推移(几年后),他原来专化科目的脑态就越来越被消减。如此坚持学习多科2~3年,他的专化态就完全消失,而新形成的脑态平均分布于各科,即多重平均脑态。天然平均脑态和多重平均脑态都属于非专化脑态。第二方面论述脑态现象及其影响效应:在上述漫长的脑态演化旅程中,脑态旅行者会遇到许多令人惊讶、令人感叹和奇异的脑态现象。(1)当专化脑态形成后,脑态旅行者在所专化的科目上的思维运动强度、理解深度、记忆能力、逻辑推理演绎能力、创新能力、持续学习时间耐受力、综合感悟力等各个方面,产生质的飞跃(与非专脑态相比,具有极大的提高);同时专化脑态也会影响脑态旅行者对整个人生世事的感觉,会影响他的性格和气质等。同时,在某个学科科目的脑态专化者,有些科目的信态与其所专化的科目的信态非常相近的,则他对这些科目表现天然的某种程度的专化水平,并且信态越相近专化程度越高;相反地,有些科目的信态与其所专化科目的信态相差很大,则他在这些科目上的思维运动能力甚至比不过一个天然平均脑态者或者多重平均脑态者,并且信态相差越远表现的思维能力越差。(2)当脑态旅行者由专化态演变退化到多重平均态后,他在先前所专化科目上的强烈思维能力就消失了,他的脑态为平均化状态,在各个科目上的思维能力比较平均,没有专化,与天然平均脑态者差不多。 相似文献
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对三垂面基体上非自发形核进行了研究. 根据非自发形核的条件,对临界形核半径和临界形核功进行了推导,得到了临界形核功与润湿角的数学表达式.结果表明,临界形核功仅与润湿角有关,说明润湿角在非自发形核中起非常重要的作用.对形核润湿角进行的讨论表明了,与自发形核相比,非自发形核具有更小的临界形核功. 相似文献
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闪锌矿型CdTe电子结构和光学性质的第一性原理 总被引:4,自引:0,他引:4
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了闪锌矿型CdTe的能带结构、态密度和光学性质.计算表明,闪锌矿型CdTe为直接带隙半导体,禁带宽度为0.671eV.计算并分析了闪锌矿型CdTe的复折射率、复介电函数、吸收系数、光电导率、损失函数和反射率,其折射率为2.69,静态介电常数为7.23.计算结果与其他文献结果吻合较好,为闪锌矿型CdTe的应用提供了理论依据. 相似文献
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陈超 《内蒙古科技与经济》2016,(5):83-85
采用电子束蒸发法结合氧化工艺制备得到多晶Zn(O,S)薄膜,在可见光范围内,其平均透射率约为85%,禁带宽度为3.35eV;制备得到结构为glass/ITO/Zn(O,S)/SnS/Ag的异质结器件,表现出明显的整流特性;探讨了Zn(O,S)薄膜厚度对器件I-V特性曲线的影响,当Zn(O,S)薄膜厚度为100nm时,器件具有光响应。 相似文献
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中国科学院物理研究所 《中国科学院院刊》2016,31(Z1):9-10
正拓扑绝缘体是一类新奇的量子物态,不同于传统意义上的金属或绝缘体。它的体态是有能隙的半导体/绝缘体,表面则表现为没有能隙的金属态。这种完全由材料体态电子结构的拓扑性质所决定的表面态,由于受到对称性的保护,基本不受杂质或无序的影响,非常稳定。因此,拓扑绝缘体有望从根本上解决现有电子技术的难题,带动产业技术的革命。 相似文献
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EBSD在多晶材料微观组织性能分析中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
电子背散射衍射(EBSD)是当今用来分析多晶材料微观组织性能的最高水平的分析技术.本文主要介绍了EBSD样品的制备以及它在微观领域的主要应用,进一步介绍了ABAQUS微观有限元模型的建立. 相似文献
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利用Fock态表象下Wigner函数的表示式,计算了湮没算符高次幂本征态的Wigner函数,并依据其Wigner函数在相空间中的分布规律,分析了这些本征态的非经典特性。数值结果表明,湮没算符高次幂本征态的Wigner函数均出现负值。因此,它们都是具有非经典特性的量子态。此结果为这些量子态的测量提供理论依据。 相似文献