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1.
用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜，红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为1075cm^-1，并随处理时间的延长峰位向高波数移动，可至1088cm^-1,光电子能谱测得薄膜中的Ols和Si2p的电子结合能分别为533．0ev和103．8ev，硅氧原子接近化学计量比,拉曼光谱分析也表明薄膜中含有一个极大的拉曼特征峰。 相似文献
2.
利用群论和对称性分析的方法研究了具有D3d对称性构型的B2H6分子的声子态及其声子间耦合等问题。研究发现,B2H6存在5种不同的声子态,它们分别具有D3d群下的a1g、a1u、a2u、eg与eu对称性,其中a2u与eu具有红外活性,a1g和eg具有拉曼活性,而a1u是非活性的;在B2H6的声子态中只有eg是活跃的声子态;活跃声子态eg与eg之间的耦合作用将会产生耦合声子态a1g和eg;B2H6分子的电声耦合作用一定会导致B2H6分子发生杨-泰勒畸变,畸变致使B2H6分子从D3d对称性降低到C2h对称性。 相似文献
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利用群论和对称性分析的方法研究了具有D3d对称性构型的B2H6分子的声子态及其声子间耦合等问题。研究发现,B2H6存在5种不同的声子态,它们分别具有D3d群下的a1g、a1u、a2u、eg与eu对称性,其中a2u与eu具有红外活性,a1g和eg具有拉曼活性,而a1u是非活性的;在B2H6的声子态中只有eg是活跃的声子态;活跃声子态eg与eg之间的耦合作用将会产生耦合声子态a1g和eg;B2H6分子的电声耦合作用一定会导致B2H6分子发生杨-泰勒畸变,畸变致使B2H6分子从D3d对称性降低到C2h对称性。 相似文献
4.
本文采用溴化钾压片法对来自云南、广西、山东和安徽的蔓荆子红外吸收光谱进行了测定,并对其进行了分析对比。根据红外吸收光谱的不同,蔓荆子可以分成为两种类型,其中山东和安徽蔓荆子属于一种类型,云南、广西蔓荆子属于另一种类型。山东、安徽产蔓荆子的红外吸收光谱在2925 cm^-1,2850 cm^-1和3008 cm^-1处具有明显的C-H伸缩振动峰,而云南、广西蔓荆子则没有明显的2850 cm^-1和3008 cm^-1处C-H伸缩振动峰,不同蔓荆子在1741 cm^-1处和1648 cm^-1处的峰高也明显不同。利用红外吸收光谱法对于不同产地蔓荆子的鉴定是可行的。 相似文献
5.
用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜 红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为 10 75cm-1,并随处理时间的延长峰位向高波数移动 ,可至 10 88cm-1 光电子能谱测得薄膜中的O1s和Si2p的电子结合能分别为 5 33 0ev和 10 3 8ev ,硅氧原子接近化学计量比 拉曼光谱分析也表明薄膜中含有一个极大的拉曼特征峰 相似文献
6.
植物油红外光谱特性分析 总被引：4，自引：0，他引：4
采用红外光谱法对9种植物油的红外光谱特性进行了研究。不同品种植物油具有基本相同的红外光谱特性，如3009、2925和2854cm^-1处的C—H伸缩振动峰，1746cm^-1处的C=O伸缩振动峰，1464、1377cm^-1处亚甲基的弯曲振动峰，722cm^-1处碳链骨架振动峰以及1238、1163、1099cm^-1处甘油三酯中C-O伸缩振动峰等。不同品种植物油或同一品种植物油由于工艺、原料或存放时间的不同，可以形成不同的指纹特征。该方法简便、快速，对于植物油的质量控制和质量评价具有重要的意义。 相似文献
7.
正交试验法研究生姜油树脂的提取工艺 总被引：4，自引：0，他引：4
用正交试验法探索以乙酸乙酯提取生姜油树脂的最佳工艺条件，并对产品质量进行考核．用FTIR光谱仪鉴别成分．结果表明料剂比(g／mL)为20：100、室温浸泡2d时，提取率最高，FTIR光谱图中含有3436．56cm^-1、2929．62cm^-1、2840cm^-1、1710．89cm^-1、1516．3lcm^-1、1260．27cm^-1、1029．84cm^-1等的特征吸收峰，产品符合FCC(1981)的要求。 相似文献
8.
《实验室研究与探索》2017,(6):13-17
采用直流磁控溅射技术,在Si表面沉积了Pd掺杂MoS_2(Pd:MoS_2)薄膜,形成了Pd:MoS_2/Si异质薄膜太阳能电池器件,并综合利用拉曼光谱、紫外-可见光谱、紫外光电子能谱和伏安曲线测量等技术分析了Pd掺杂浓度(x%)对MoS_2薄膜微结构及Pd:MoS_2/Si异质薄膜器件光伏性能的影响。拉曼光谱结果表明,Pd掺杂明显改变了MoS_2薄膜中A_(1g) 晶格振动,而几乎不影响E_(2g)~1晶格振动。在模拟太阳光照射条件下,伏安性能测试结果显示:随着Pd掺杂浓度的增加,Pd:MoS_2/Si异质薄膜器件的光伏性能显著增强;当x=1时,器件表现出最佳的光伏效果,转化效率达到4.6%;继续增加Pd掺杂浓度,器件的光伏性能则逐渐减弱。进一步通过紫外-可见光光谱和紫外光电子能谱分析,构建了Pd:MoS_2/Si界面能带结构,阐释了Pd掺杂对器件光伏性能的影响机制。 相似文献
9.
采用直流反应溅射方法在N型Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.薄膜的晶体结构采用X射线衍射技术来表征,测量结果表明制备的样品是沿c轴高度取向的六方纤锌矿结构的多晶薄膜.扫描电子显微镜测量显示薄膜的表面粗糙度较低,且ZnO与Si衬底的边界线清晰,结构致密.此外,利用室温光致发光谱研究了薄膜的光学性能,ZnO薄膜的室温光致发光谱(PL)只有位于377nm处的一个很强的紫外峰,这与材料内的激子复合有关.此外对薄膜进行了拉曼散射的研究,拉曼频移的计算结果表明溅射生长的薄膜中存在张应力(0.25Gpa). 相似文献
10.
冯胜奇 《韩山师范学院学报》2010,31(6):42-46
依据群论与量子理论,利用对称性分析的方法探讨了具有D3d对称性构型的BzH6分子的声子间耦合及其杨一泰勒畸变．研究了B2H6分子的电子态与声子态的对称性以及其活跃的声子态,导出了B2H6分子的eg声子间耦合的CG系数计算公式,在此基础上进一步计算出了这些CG系数值．接着又分析了B2H6分子的杨一泰勒畸变方向及其基态能级的分裂,发现B2H6分子的杨一泰勒畸变方向是D3d→C2h畸变导致B2H6分子的二重简并的能级发生分裂,因此其能级的简并性因畸变而被完全消除． 相似文献
11.
1-（4-硝基苯基）-3-（5-溴-吡啶）-三氮烯的合成及其与铜的显色反应 总被引：1，自引：0，他引：1
报道了1-(4-硝基苯基)-3-(5-溴-吡啶)三氮烯(NPBPDT)的合成及其与铜的显色反应．在NP-10的存在下，pH11．0的Na2B4O7-NaOH缓冲溶液中，该试剂能与铜发生显色反应，铜与NPBPDT形成摩尔比为1：2型的黄色配合物，在440m处有一最大正吸收峰，在540nm处有一最大负吸收．以440nm为参比波长，540nm为测量波长进行双波长测定，表观摩尔吸光系数为1．91×10^5L·mol^-1·cm^-1，铜的浓度在0-12μg／25mL范围内遵守比尔定律．用拟定方法测定铝合金中的微量铜，结果满意． 相似文献
12.
采用Stillinger-Weber势,利用分子动力学方法模拟了Si原子在Si(001)表面和该表面单层台阶附近扩散的动力学过程。(1)给出单个Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散的扩散路径和扩散机制。Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散能够减弱Si原子在Si(001)表面扩散的各向异性。(2)模拟不仅给出与以往文献中原子从SA台阶下台面扩散到上台面相同的扩散路径而且还给出原子从成键的SB台阶上台面扩散到下台面的一种新的扩散机制:增原子通过与表面原子之间的交换。从而解释实验上观察到的Si(001)表面双层原子台阶形成的机制。无论是单个Si原子在Si(001)表面垂直于二聚体排方向扩散还是在Si(001)表面的单层台阶附近扩散,增原子和表面原子之间的交换机制都起着重要的作用。 相似文献
13.
为了在低温衬底(＜ 500℃)上制备出高品质纳米金刚石薄膜,使用辉光等离子体辅助热丝化学气相沉积法,用甲烷、高纯氢为源气体,P型Si (100)为衬底材料,在低温条件下合成了纳米金刚石薄膜,利用Langmuir探针对合成过程进行了实时原位诊断,研究了电子温度Te和电子密度ne的空间变化规律,探讨薄膜生长机理.对所合成的样品,利用扫描电子显微镜、Raman光谱仪、X射线衍射进行了分析.结果表明,实验所得样品为高品质、结晶完善、表面光滑的纳米金刚石薄膜,SEM形貌表明薄膜中晶粒的粒度为40～90 nm,Raman光谱在1331.5 cm-1处出现了金刚石的(111)特征声子峰.XRD谱在2θ =43.90、75.30处出现了金刚石的(111)、(220)特征衍射峰.实验得出了低温合成纳米金刚石薄膜的最佳工艺条件:①甲烷体积百分比浓度为0.6％;②反应室气压为5 kPa;③气体流量在1100～1300 mL/min范围内成核密度较高,并以(100)、(111)面为主,晶粒的平均粒度小于100 nm;在流量为1300 mL/min时,晶粒的生长表现为一定的定向生长. 相似文献
14.
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以Si衬底上外延Ge薄膜为吸收区,研究了Si基Ge光电探测器的材料生长与器件制作工艺,并对材料晶体质量和器件性能进行表征分析。Ge薄膜是采用低温缓冲层技术在超高真空化学气相沉积系统上生长的。1μm厚Ge薄膜的表面仅出现纳米量级的岛,表面粗糙度只有1.5 nm。Ge薄膜的X射线衍射峰形对称,峰值半高宽低于100 arc sec。Ge薄膜中存在0.14%的张应变。Si基Ge光电探测器在-1 V偏压时暗电流密度为13.7 mA/cm2,在波长1.31μm处的响应度高达0.38 A/W,对应外量子效率为36.0%,响应波长扩展到1.6μm以上。 相似文献
16.
应变Si是一种能在未来保持Si CMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料.本文结合SOI技术,利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的弛豫SiGe衬底,并使用超高真空化学气相沉积在较低温度下成功外延了厚度为25nm的应变Si单晶薄膜,扫描电子显微镜和原子力显微镜显示样品表面薄膜完整、平坦;高分辨透射电子显微镜和二次离子质谱表明:样品各层结构清晰、位错密度极低、界面陡直且元素分布均匀;紫外拉曼光谱证实了顶层Si中获得了1%的平面张应变,基于此的MOS器件有望获得比传统体Si大大提升的性能. 相似文献
17.
陈书汉 《广东教育学院学报》2011,(5):40-45
建立超薄膜Si外延生长的晶格一动力学蒙特卡罗模型,并应用该模型模拟了Si原子在Si（111）基底上外延生长的过程．系统研究了沉积时间、基片温度对于薄膜初始生长形貌的影响,如影响粒子的扩散与凝聚、岛的生长等微观过程． 相似文献
18.
《实验室研究与探索》2016,(8):33-36
以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了非晶硅(α-Si)薄膜,然后通过准分子激光晶化方式获得结晶硅(nc-Si)薄膜,采用激光显微拉曼光谱仪对非晶硅薄膜、结晶硅薄膜这两类薄膜的拉曼光谱效应和结晶质量等进行了定量分析。结果表明:当激光功率达到某一阈值时,非晶硅样品发生了晶化,即由非晶硅转化成了结晶硅,特征峰发生了46.8 cm-1的位移,薄膜的结晶性质发生根本变化。而结晶硅样品在激光功率变化过程中仅因能量积聚造成了薄膜内应力变化,激光能量消散后内应力恢复原来的状态,特征峰在±5.4 cm~(-1)位移内波动,薄膜的结晶性质并未发生明显变化,表明薄膜处于稳定的晶态结构。 相似文献
19.
本文用参数化紧束缚方法，从总能量最小原理研究了GaAs（001）面复盖单层Si表面的原子结构和电子结构．分别计算了As终止和Ga终止的GaAs（001）－1×1和2×1复盖单层Si薄片模型的总能量．结果表明：Si与As和Ga都能成键，但Si与As成键更强些。Si取代Ga的位置形成2×1结构，或者界面是由Si和As以及Si和Ga形成的赝合金GaxAs1-xSi．理论计算得到最近的实验支持． 相似文献
20.
采用溶剂热和常压合成方法,分别制备MOF-508 (Zn(BDC)(4,4’-Bipy)_(0.5)DMF(H_2O)_(0.5))粉末样品及其在Si、Au/Si、COOH-Au/Si基底上的薄膜,通过X射线广角衍射法检测其在基底表面上的取向生长。发现仅在常压法下COOH-Au/Si基底上MOF-508配位聚合物沿着[001]方向生长,用电子扫描电镜技术发现其在COOH-Au/Si基底上的晶体形状统一,多为长方形,说明常压法和基底对其取向生长起到关键性的因素,这对于以后配合物薄膜取向生长提供了参考数据。 相似文献