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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
分析了电离总剂量加固的基本理论,提出了先进行P阱注入,高温退火形成要求的P阱结深,再进行高质量Si O2-Si3N4双层栅介质的生长工艺,来提高VDMOS器件的抗辐射能力,加固后器件的总剂量由原来的5k Rad(Si)增加到100k Rad(Si)。试验结果表明这种加固技术可以提高器件的电离总剂量强度。  相似文献   

2.
低压MOSFET具有低导通损耗、快开关速度和高输入跨导的优点,目前在一些便携电子设备中应用十分广泛。本文研究了低压P沟VDMOS产品的设计方法,针对40伏P沟VDMOS产品进行了参数设计和结构优化,利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟。产品经流片、测试,技术参数达到了设计要求。  相似文献   

3.
《中国科学院院刊》2009,(4):435-435
空间中心空间环境特殊效应实验室韩建伟等人利用基于自主技术研制的我国首台脉冲激光单粒子效应实验装置.首次在国内采用芯片背部辐照技术,对4M位SRAM器件和基于90nm SOI工艺的Power PC CPU器件进行了单粒子效应试验。试验获得了S洲器件单粒子锁定的微区分布,并测得了其发生单粒子锁定的阈值,与加速器重离子的试验结果非常吻合。激光扫描试验测得了CPU对单粒子翻转最敏感的部位;随后对该器件进行的版图分析表明,该部位正是此CPU芯片的通用寄存器所在区域。试验观测到脉冲激光诱发的该CPU一位和两位单粒子翻转及其对计算机系统的影响。实践表明,脉冲激光装置是进行卫星用器件单粒子效应敏感度评估、电路抗单粒子效应设计验证、自主抗单粒子效应集成电路设计效果试验的有力工具,是元器件空间环境特殊效应的重要平台,对促进我围卫星产品和国产宇航器件抗单粒子效应设计水平的提高具有重要意义。  相似文献   

4.
探讨了对某工业级DDS零部件抗单粒子锁定电路稳固规划原理,对体硅CMOS器件单粒子锁定道理进行详细的阐述,并对立单粒子零部件创造工艺、锁定指标及电路防护设计方案等进行探讨。进行了单粒子锁定辐射检验测验。测验成果显示,用实时检测器件供电电流来操控器件断电并重新开启的保障方案对抗单粒子锁定的真实有效性。  相似文献   

5.
VDMOS产品在高温反偏试验过程中,经常出现耐压和漏电流失效或不稳定的现象。对Si-Si O2系统中四种基本形式的电荷或能态以及高温反偏主要失效机理进行了分析,同时针对200V塑封VDMOS器件高温漏偏试验过程中漏源漏电IDSS增大且不稳定的现象,通过器件终端结构设计的改进,解决了此问题。终端改进后的产品在150℃、1000小时的高温漏偏试验过程中未发生漏源漏电IDSS增大的问题,试验后常温测试产品漏源漏电IDSS在90n A左右。  相似文献   

6.
《科技风》2020,(18)
地基换填工艺在公路路基设计施工过程中具有较为重要的作用,它能够有效增加公路路基的承载力,故而提升地基换填工艺的应用水平很有必要。在此之上,本文简要分析了地基换填工艺的内涵及作用,并通过合理设计地基换填方案、切实做好前期准备工作、注重公路路基加固效果、利用节能手段巩固地基等要点,以此改善公路工程中路基设计的现状,确保公路路基质量达标。  相似文献   

7.
一、引言 冷冲压工艺方案设计是冲压生产非常重要的一项工作。它对产品质量、产量、成本、劳动强度、安全生产等都有直接影响。 二、设计工艺方案的主要内容和步骤 设计工艺方案,知识面涉及很广,设计者不仅要具备一定的理论知识和相当的实践经验,而且要掌握设计工艺方案的内容和步骤。根据自己多年技术工作体会:要想设计出最佳工艺方案,必须抓住以下几个关键环节。 1.分析制件的冲压工艺性 产品图是最根本的原始资料。根据产品图认真分析和研究形  相似文献   

8.
现如今我国的工业自动化程度也在不断的提高,VDMOS器件的重要性也不断的显现出来。针对我国当前的VDMOS发展现状,相关的学者也进行了深入的研究,已经比较成熟。VDMOS器件主要是由两种类型的器件组成的,即增强型VDMOS器件和耗尽型VDMOS器件,而本文的主要目的就是研究耗尽型VDMOS器件的制造方法和具体的应用情况。  相似文献   

9.
针对N+掺杂区设计了一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构,新结构中源极N+掺杂区为梯形结构。该结构减小了元胞的尺寸,提高了单位面积的元胞数量,从而提高了单位面积的电流密度,减小了VDMOS器件的封装尺寸。  相似文献   

10.
VDMOSFET(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)功率器件不同于传统数模集成电路中器件,除了基本的静态和交流特性以外,UIS(非箝位感性负载开关)雪崩耐量(Eas)也是功率器件重要的衡量指标。非箝位感性负载开关过程所引起的VDMOS器件失效是VDMOS在应用过程中最主要的失效形式。故而,提高非箝位电感开关雪崩耐量的研究具有极为重要的意义。本文通过对工艺及器件结构的优化,使VDMOSFET的UIS雪崩耐量在不增加工艺层次的条件下增加接近70%。  相似文献   

11.
首先确定了坝体、溢洪道、输水洞和金属结构等方面水库除险加固方案,进而说明了枢纽工程总布置,并分别从拦河坝设计、坝顶高程和坝体稳定复核、上下游块石护坡稳定计算等方面进行水库除险加固工程设计。  相似文献   

12.
双曲拱桥加固设计中的桥梁内力计算较为复杂,人工计算量大且容易产生误差。利用大型有限元分析软件可以建立合理的模型进行分析,验证人工计算的正确性,并提供直观的桥梁内力的分布及加固前后的应力、应变和位移变化和对比分析。以宝西双曲拱桥加固设计实例为基础,借助大型有限元分析软件ADINA进行了建模分析,对加固前后的双曲拱桥进行了内力计算和对比分析,验证了加固方案的可行性,同时提出了适用于双曲拱桥加固设计计算的模型,可用于同类双曲拱桥的加固设计研究。  相似文献   

13.
在施加体外预应力进行旧桥加固设计时,其中重要一点就是体外预应力的大小以及体外预应力筋加固位置的选取。为了考察体外预应力的大小及预应力筋的作用位置对桥梁加固效果的影响,运用均匀设计方法和多元回归数学模型分析研究其对加固效果的影响。通过均匀设计试验结果,获得了优化的加固方案。  相似文献   

14.
依托LC大桥,对刚架拱桥的加固方案的确定和加固方案的设计方法进行应用性研究,类似桥梁的加固设计和施工积累了经验.  相似文献   

15.
在进行加固设计时,首先要结合工程所处的地质环境,分析高边坡可能出现的破坏情况,然后结合工程特点,提出相应的加固方案,最后综合考虑施工方法和经济条件选择便于实施的加固方案和措施.  相似文献   

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在对电子产品进行生产的过程中总装工艺是整个生产中最为重要的环节之一,总装工艺就是将电子半成产品当中所有部件进行装配与检验最终将电子整机产品成为合格产品的主要过程。如果想确保电子产品在生产阶段的质量不仅要对电路、元器件、零部件进行仔细的设计、选取、布局之外还需要有完美的总装工艺。本文主要对电子产品总转工艺的具体内容、顺序、要求进行了分析,进而简述了彩色电视机总装工艺的具体流程。  相似文献   

17.
结合孙庄矿四采区泵房加固工程的应用,简述了注浆加固技术方案,介绍了注浆加固工艺及设备性能,总结了该技术的特点和适用条件,分析了该技术的应用效果,结果表明,通过采用新联邦注浆材料,有效控制了围岩变形,降低了加固成本,达到预期目的。  相似文献   

18.
袁瑞  满先慧 《黑龙江科技信息》2010,(18):251-251,250
针对某连续刚构桥0#块在施工过程中出现的纵向裂缝进行了原因分析,通过对旧桥的受力评估和加固方案比较,提出一种基于断裂力学原理的新型加固方案。加固后的检测结果表明,这种加固方案是科学合理的,对以后同类桥梁的加固具有借鉴作用。  相似文献   

19.
文章从总平面设计、工艺设计和建筑设计三个方面介绍了工业建设项目设计评价,对设计方案进行技术与经济的分析、计算、比较和评价,从而选出最优方案。  相似文献   

20.
在桥梁工程施工项目中,桩基础在加固施工中的问题和具体设计情况引发了工程人员的思考和高度关注。桥梁工程的复杂性和难度通常都比较高,尤其是在处理桩基础部分施工中的问题是,必须要考虑到多种影响性因素和条件,设计人员也要考虑在具体的施工环境和要求下是否需要采取加固举措来强化桩基础的强度和稳固性。这些问题都需要设计人员根据具体的情况分别进行分析和评估,以此来明确加固设计和施工的具体方案和策略。  相似文献   

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