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1.
CaCu3Ti4O12材料的研究现状 总被引：4，自引：0，他引：4
综述了研究CaCu3Ti4O12材料反常巨介电特性的理论和实用意义。给出了CaCu3Ti4O12结构示意图和X射线衍射(XRD)谱。评述了制备不同维度CaCu3Ti4O12材料的常规制备方法、优缺点及低温下介电性能测定方法。从内禀和外赋的角度，分析了影响CaCu3Ti4O12巨介电特性的各种可能因素。指出了目前该材料研究需要解决的一些问题。 相似文献
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分别采用溶胶-凝胶法和固相反应法制备BaTiO3纳米粉体和CaCu3Ti4O12多晶块材,并系统地研究两者的介电性能。实验结果表明:BaTiO3体相陶瓷的介电性能受温度的影响较大,当频率在200~150 000 Hz范围内变动时,其室温介电常数ε最高达2 967,具有很好的频率稳定性、介电损耗小,可用来制作某些电子元件;然而CaCu3Ti4O12多晶块材的介电常数ε在(1 kHz,300 K)时高达14 000,并在100~350 K的温区内基本保持恒定,具有极好的温度稳定性。因此,在现实的应用过程中,CaCu3Ti4O12多晶块材以高介电常数、受温度影响变化小、介电损耗小等优点而更具应用前景。 相似文献
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常亮亮 《商洛师范专科学校学报》2014,(2):40-44,52
以Sr（OOCCH3）2·H2O,Ti（OC4H9）4·Nb（C2H5O）5为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了SrNb0.05Ti0.95O3（SNTO）膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃／60min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SNTO薄膜的最佳退火工艺。SNTO薄膜的介电特性分析：掺杂Nb^5＋能使SrTiO3转化为n-半导体。 相似文献
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以 L i2 CO3-Si O2 为液相掺杂剂 ,采用一次烧成工艺 ,制备出半导体的 Sr Ti O3基压敏与介电性的双功能陶瓷 .通过电性能与微观结构分析 ,研究了液相掺杂浓度、L i/Si比值及烧结温度对材料性能的影响 .结果表明 ,以 6× 10 - 3mol/L的 Li2 CO3 Si O2 为液相掺杂剂 ,L i/Si=3 /2 ,温度为 13 80℃时 ,在石墨和氮气形成的还原性气氛中烧成的 Sr Ti O3基材料可获得优异的压敏与介电双功能特性 相似文献
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溶胶-凝胶法制备四钛酸钾晶须 总被引：1，自引：0，他引：1
以Ti（n-OC4H9）4和CH3 COOK为前驱体，采用溶胶-凝胶法制备了高质量的K2Ti4O9晶须。以FT-IR表征溶胶-凝胶过程中的反应，运用TC-DSC和XRD研究了K2Ti4RO9的晶体生长过程。结果表明：溶胶很稳定，可长期保存；稀释剂和少量水对溶胶的稳定性无影响；溶胶-凝胶法制备K2Ti4O9晶须反应温度比固态烧结法低，276℃开始反应形成晶核，481℃开始生成K2Ti4O9纳米晶，597。C时形成K2Ti4O9晶粒，940℃制得的K2Ti4O9晶须长约50μm，K2Ti4O9晶须均匀、具有较大的长径比。 相似文献
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采用表面印迹技术制备了磁性分子印迹聚合物（Fe3O4@SiO2@MIPs）,使用扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）和红外光谱（FT-IR）对产物的结构进行了表征。通过吸附性能实验研究证实了制备的Fe3O4@SiO2@MIPs对目标分子2,4-二氯酚（2,4-DCP）具有快速的吸附动力学特征和较高的吸附容量;与非印迹聚合物（Fe3O4@SiO2@NIPs）比较,Fe3O4@SiO2@MIPs对2,4-DCP表现出显著的亲和性;吸附选择性实验表明,Fe3O4@SiO2@MIPs对2,4-DCP具有较强的特异结合性能。此外,5次的重复使用后,制备材料的吸附效率仍可达80%以上,说明该材料具有可重复使用性。 相似文献
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用传统的固相反应方法制备了高价V掺杂的Bi4Ti3O12陶瓷样品,用X射线衍射对其结构进行了分析,并测量了样品的铁电和介电性能.结果发现,随着V的掺入,由氧空位引起的样品介电损耗峰的峰高被极大压制.氧空位的减少,使得样品中的畴钉扎效应减弱,从而提高了样品的抗疲劳特性和剩余极化.同时V的掺入,降低了材料的居里温度. 相似文献
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采用共沉淀法制备Fe3O4微粒,后用四乙氧基硅烷（TEOS）将其表面包覆SiO2,得到Fe3O4/SiO2,分别在Fe3O4粒子和Fe3O4/SiO2粒子上键合葡萄糖和蔗糖,得到四种复合磁性材料：Fe3O4-葡萄糖（F-G）、Fe3O4-蔗糖（F-S）、Fe3O4/SiO2-葡萄糖（F-S-G）、Fe3O4/SiO2-蔗糖（F-S-S）。合成材料用IR进行表征,结果表明,蔗糖和葡萄糖已成功修饰。以甲苯、二甲苯、苯乙烯的混合溶液为目标物,考察四种材料对芳香烃类化合物吸附性能,实验表明,四种材料均有较好的的吸附效果,其中F-S和F-S-G吸附性能尤佳。 相似文献
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以Sr(OOCCH3)2·H2O,Ti(OC4H9)4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60 min退火形成立方钙钛矿结构。用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SrTiO3薄膜的最佳退火工艺。STO薄膜的介电特性分析:在100 kHz下,室温时,STO薄膜的介电常数为475而介电损耗为0.050。 相似文献
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Structure and Dielectric Properties of Sb2O5-Doped ZrO2-SnO2-TiO2 Microwave Ceramics 总被引：1，自引：0，他引：1
The microwave frequency band is generally con-sidered in the range of 0.3—3 000 GHz. Its impor-tance is recognizable in the current growth of micro-wave communications systems which make use of thesuperior information density. Many kinds of dielectricmaterials have been developed for microwave applica-tions[1,2]. Among them, solid solution ZrO2-SnO2-TiO2(ZST) has a higher dielectric constant, a highquality factor (Q) value and a lowtemperature coeffi-cient of resonant frequency (TCF). B… 相似文献
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Aluminum nitride （AlN）/borosilicate glass composites were prepared by the tape casting process and hot-press sintered at 950 ℃ with AIN and SiO2-B203-ZnO-Al2O3-Li2O glass as starting materials. We characterized and analyzed the variation of the microstructure, bulk density, porosity, dielectric constant, thermal conductivity and thermal expansion coefficient （TEC） of the ceramic samples as a function of AIN content. Results show that AIN and SiO2-B2O3-ZnO-Al2O3-Li2O glass can be sintered at 950 ℃, and ZnAI204 and Zn2SiO4 phase precipitated to form glass-ceramic. The performance of the ceramic samples was determined by the composition and bulk density of the composites. Lower AlN content was found redounding to liquid phase sintering, and higher bulk density of composites can be accordingly obtained. With the increase of porosity, corresponding decreases were located in the dielectric constant, thermal conductivity and TEC of the ceramic samples. When the mass fraction of AlN was 40%, the ceramic samples possessed a low dielectric constant （4.5-5.0）, high thermal conductivity （11.6 W/（m.K）） and a proper TEC （3.0× 10^-6 K^-1 which matched that of silicon）. The excellent performance makes this kind of low temperature co-fired ceramic a promising candidate for application in the micro-electronics packaging industry. 相似文献
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The structural and dielectric properties of Ba0.92Sr0.08Ti0.95Sn0.05O3 (BSTS) +x (molar ratio, %) Y3+ ceramics are investigated. Combining the lattice parameters and the distortion of crystal lattice, an alternation of substitution preference of Y3+ ion for the host cations in perovskite lattice is found. Owing to Y3+ ion entering the A site, the maximum dielectric constant is 5 627 for 1.25% Y3+-doped samples; when Y3+ ion is more than 1.25%, it tends to occupy the B site in perovskite lattice, causing a drop in the dielectric constant. Owing to the appearance of oxygen vacancy, the optimized dielectric loss is 0.004 for 1.25% Y3+-doped samples. The thermal stability of BSTS ceramics is significantly improved and the Curie temperature shifts to lower value with the amount of Y2O3 increased, making it a superior candidate for capacitor applications. 相似文献
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王爽 《天津职业技术师范学院学报》2010,(1):12-14,68
对稀土氧化物CeO2掺杂的BaTiO3系统微观结构和介电性能进行了研究。结果表明,在BaTiO3陶瓷中掺杂CeO2会产生细晶效应、介电常数增大以及介电损耗减小等现象。由X射线衍射仪（XRD）计算可知,c轴变长,a轴变短,增强,Ti^4＋“自发极化强度,因而介电常数有所提高。由于Ce^4＋离子进行A位取代,Ce^4＋离子半径（0．103nm）小于Ba^2＋离子半径（0．135nm）,导致晶格常数有所减小,居里温度向低温移动。掺杂CeO2的摩尔分数为0．5％的BaTiO3陶瓷在1240℃下烧成的主要性能指标为：室温介电常数ε25℃≈3160,介电损耗-0．9％,-55℃到125℃范围内最大电容量变化率不超过±15％。 相似文献
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Thelongafterglowphotoluminescentmaterialshavebeenstudiedforalongtime.Thephotoluminescentmaterialscouldbeusedinmanyfields,forexample,asluminouspaintsinhighway,railway ,airport,ferry,andonthefacadeofbuildings.ZnS basedmaterialsdopedwithCuorMnwerefirstpreparedandappliedtovariousfields.However,theywerenotstableenoughformanyapplicationsandcouldonlymaintaintheirphosphores cenceforafewhours.Comparedwithsulfidephospho rescentphosphors,aluminates based phosphorsshowedexcellentphotoresistanceandchemic… 相似文献