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对ZnO单晶材料不同温度下进行了光致发光研究。室温下ZnO单晶有两个发光峰,分别为375nm的紫外发光峰和570nm的可见光发光带。随着温度的降低,出现两个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)和束缚激子(D0X)发光峰,并且束缚激子发光峰随着温度降低较自由激子变化明显。较低温度时在370nm到400nm出现多个发光峰,为声子(LO)参与的受主束缚激子(A0X)发光峰。10K时出现四个紫外发光峰,分别为自由激子(FX)、表面激子(SX)和束缚激子(D0X)发光峰。 相似文献
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首次利用材料在超短脉冲激发下的瞬间高载流子密度特性研究了GaNxAs1-x/GaAs量子阱的光学特性。研究首次发现在高于量子阱的Mott迁移边(局域发光的高能端)存在一个非局域特性的新的发光峰。该峰具有与局域发光完全不同的光学性质。通过研究材料的不同温度和激发强度下的发光行为证实该新的发光峰是量子阱的本征能级发光。这一结果为目前人们在Ga(In)NAs材料体系中是否存在Ga(In)NAs合金态或者N是以杂质带的形式存在的争论提供了重要证据。在Ga(In)NAs以及InGaN等材料体系中都观察到PL发光峰随温度升高先红移，然后蓝移，再红移的所谓的“S”形变化。它的来源一直令人们疑惑不解。我们直接证明GaNxAs1-x材料中发光峰的“S”形变化是由于材料中的低能端的局域态随温度的淬灭以及相邻的局域态与非局域态之间在温度的作用下相互竞争的结果。这一结果为能量随温度的“S”形变化提供了最直接的实验证据。通过光荧光谱, 时间分辨光谱研究了低N含量的GaNxAs1-x光学性质。首次发现在低N含量的GaNxAs1-x材料(N%<1%)中，在N的杂质态的高能端(低于GaAs带边)存在一个新的，其光学性质与N的杂质态完全不同的发光峰。实验证明该峰是GaNxAs1-x材料的合金态。这一结果说明在GaNxAs1-x中即便在N含量<0.1%时就已经形成了GaNxAs1-x的合金态。这个结果的重要意义在于它直接证明N在GaAs中能够形成GaNxAs1-x合金，而不是仅仅以N的杂质态存在。这为目前人们所争论的N在GaAs所起的作用，GaNxAs1-x光跃迁的来源，以及Ga(In)NAs的基本能带结构提供了直接的实验证据。最后我们利用选择激发在GaAs1-xSbx/GaAs量子阱中实验上第一次同时观察到空间直接（Type-I）跃迁和间接跃迁(Type-II)。时间分辨荧光寿命谱进一步直接论证了GaAs1-xSbx/GaAs能带排列的Type-II特性。 相似文献
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研究了纳米硅在3K-250K温度范围的光致发光谱的特性。观测到纳米硅的三个发光峰,其中心波长分别为470nm、479nm和487nm。随着温度的升高,470nm的发光峰呈现蓝移且强度明显增强,479nm的发光峰位不随温度的变化而变化,487nm的发光峰随温度的升高出现微小的红移。基于量子限制效应,提出综合发光模型解释实验结果。 相似文献
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通过把Eu(TYA)3Phen分别分散到MEH-PPV和PVK中制成薄膜,对它们的光致发光和电致发光性能进行了研究.结果表明Eu(TTA)3Phen-MEH-PPV体系无论是光致发光还是电致发光都仅能观察到MEH-PPV发光;而对于Eu(TTA)3Phen-PVK体系,其光致发光和电致发光都只观察到稀土铕(Ⅲ)的发光,说明后者存在着从PVK到Eu(TTA)3Phen的Forster能量转移过程.另一方面,在Eu(TrA)3Phen-PVK体系的电致发光器件中增加MEH-PPV作为空穴传递层,则大大提高了铕(Ⅲ)的发光强度. 相似文献
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用水热方法制备了Co,Al共掺杂的Zn_(0.95-x)Al_xCo_(0.05)O(ZnAlCoO)纳米棒阵列,光致发光光谱显示随着Al浓度增加紫外峰值的位置向短波方向移动而可见光的峰值却先增加后减小,峰值朝着长波方向移动。对上述现象进行了讨论其结果对综合研究ZnO纳米结构有重要意义。 相似文献
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上转换发光是一种基于双光子或多光子机制的发光过程,当吸收到低能量光子的长波辐射之后,发射出高能量光子的短波辐射。长余辉发光是指材料经过一定时间的激发,在激发源关闭的一段时间内仍然可以持续的发光,能够持续发光数分钟到数十小时。上转换发光和长余辉发光本身属于两个研究领域,把这两种发光过程结合到一起,产生一种新的发光模型——上转换长余辉发光,这种发光材料既能实现上转换发光,又能产生长余辉效应。2014年美国乔治亚大学Pan等提出这一理论并且用实验证明了这一结论,他们选取镓锗酸盐基质,用高温固相法合成了Zn3Ga2Ge O8:0.5%Er3+、5%Yb3+、1%Cr3+近红外长余辉荧光粉,在980nm光源激发下在700nm处有发射峰而且余辉时间长达24小时。为了继续探索上转换长余辉发光材料的奥秘,我首先重复了Pan等的实验,通过观察化学元素周期表,我发现Cd与Zn为同一主族元素,而且Cd的分子量大于Zn,因此我用了同样的方法制备了Cd3Ga2Ge3O12发光材料,并且通过实验证明了烧结温度以及烧结时间对发光材料的结构以及发射光谱的影响。 相似文献
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纳米氧化锌对人肺腺癌细胞A549的毒性 总被引：3，自引：0，他引：3
探讨纳米氧化锌（ZnO）对体外培养的人肺腺癌细胞A549的生物学效应。使用原子力显微镜（AFM）、透射电镜（TEM）和X射线衍射仪（XRD）研究纳米ZnO颗粒物的理化性质。然后,使用0mmol/L、0.1mmol/L、0.5mmol/L、1mmol/L、5mmol/L、10mmol/L的纳米ZnO处理体外培养的人肺腺癌A549细胞,MTT 法测定细胞生长活性。并且测定1mmol/L 纳米ZnO染毒24h后细胞培养液上清中,乳酸脱氢酶（LDH）和胞内的超氧化物歧化酶（SOD）、过氧化氢酶（CAT）的活性以及丙二醛（MDA）的含量。使用透射电镜和流式细胞仪检测细胞凋亡的情况。荧光染色检测细胞产生活性氧（ROS）的生成。实验所用的ZnO纳米颗粒为长75 nm、直径20nm的针状纤锌矿晶体。细胞实验结果表明,纳米ZnO颗粒对A549细胞的生长活性具有明显的抑制作用,存在剂量－效应关系。培养液上清中LDH活性显著升高（P < 0.05）,胞内CAT活性显著下降、MDA含量显著升高（P < 0.01）,但SOD活性下降不明显。荧光染色检测发现染毒后A549细胞出现细胞凋亡,而且细胞内ROS的生成与纳米ZnO存在剂量－效应关系。结论是纳米氧化锌诱导人肺腺癌A549细胞产生活性氧,引发细胞凋亡,并产生细胞毒性。 相似文献
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在一般BCH-代数(X,*,0)中,令x+y=0*((0*x)*y),证明了(X,+)是可换半群,称之为(X,*,0)的导出半群,给出了导出半群的性质,讨论了导出半群的理想与核,表明了BCH-代数与半群之间的关系. 相似文献
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用水热法,分别在0.01、0.02和0.05 mol/L的Zn2+浓度下生长了ZnO纳米棒,并用扫描电镜和光致发光的方法进行了分析.发现Zn2+浓度的提高增加了ZnO纳米棒的长度和密度.然而当Zn2+浓度超过0.02mol/L时,会引入较多的Zn间隙杂质,降低结晶质量. 相似文献
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《内江科技》2021,(5)
本文采用高温固相法合成了 Mg_2Ti_(0.9975-x)O_4:0.0025Mn~(4+),xLi~+(x=0.01,0.02,0.03,0.04,0.05)系列荧光粉。采用X射线衍射仪、荧光光谱仪对荧光粉的结构和发光性能进行表征。研究结果表明,掺杂Li~+后荧光粉主晶相仍为Mg_2TiO_4结构,Li~+掺杂浓度对荧光粉的晶体结构影响较小;光学性能研究表明,Mg_2TiO_4:Mn~(4+),Li~+系列荧光粉可被350nm光波有效激发,发出位于656nm处的强红光,当x=0.04时,相对发光强度在未掺杂基础有显著提高,表明适量的Li~+掺杂可有效提升Mg_2TiO_4:Mn~(4+)荧光粉的发光效率,改善Mg_2TiO_4:Mn~(4+)荧光粉的发光性能。 相似文献
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β-二酮类化合物分子中存在着酮式与烯醇式的互变异构体,适于与金属离子发生配位作用。通过对各种金属离子的革取性能和机理的研究,表明它们是有效的革取剂,已广泛用于过渡金属和稀土离子的分离和分析中。相应Eu、Tb稀土配合物,具有独特的光致发光和电致发光性能,可以开发成理想的发光材料. 相似文献
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目前由于部分物质在3THz以下无特征吸收峰,因此研究高于3THz以上的宽带太赫兹波具有重要的意义。本文基于四波混频模型,利用BBO晶体产生二次谐波,通过让双色激光共同激励空气形成等离子体细丝,从而辐射出宽带太赫兹波。转动BBO晶体的角度,让入射基频激光与BBO晶体光轴形成不同的夹角,测量不同夹角时的太赫兹辐射强度。利用碲化锌(Zn Te)晶体和磷化镓(Ga P)晶体进行电光取样,获得的太赫兹波带宽分别是2.5THz和4.2THz左右。结果表明:Ga P晶体探测到的太赫兹波带宽比Zn Te晶体探测时宽,Ga P晶体可以实现宽带探测,但是Ga P晶体探测到的太赫兹信号强度明显不如Zn Te晶体。此外,太赫兹信号强度随着BBO晶体角度变化而变化,周期为90°。 相似文献
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《科技风》2019,(14)
铅基有机-无机杂化钙钛矿由于其在太阳能电池,发光二极管和光电探测器等领域的超高效率引起了人们的广泛关注。然而,铅基钙钛矿的毒性和环境不稳定性极大的限制了其实际应用,因此,无铅钙钛矿材料的光学性质已经成为研究人员关注的焦点。这篇文章中,我们采用低温溶液法制备了无铅有机-无机杂化钙钛矿(CH3)3NCH2Cl-MnCl3,并且研究了不同温度下钙钛矿(CH3)3NCH2Cl-MnCl3的光致发光光谱的变化趋势,发现其带隙能量表现出非单调的温度依赖性即低温下随温度增大带隙能量减小,高温下相反,遵循声子的Bose-Einstein振荡行为。我们将其归因于钙钛矿材料中电子-声子相互作用,并研究了其中的激子动力学机制。深入了解激子动力学对于理解有机-无机钙钛矿中的光与物质的相互作用,研究钙钛矿的光学特性是至关重要的。 相似文献