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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
介绍单分子膜的形成原理,以及一种超薄膜——LB膜的制备方法及膜类型,并举例介绍LB膜在葡萄糖生物传感器中的应用,可供一线高中化学教师用于拓展学生的视野.  相似文献   

2.
本文介绍一种合成ZrO_2超微粒子的新方法——二维直接压缩法.笔者在室温和PH值为5时,利用LB膜技术,控制二维目标压力,实现了ZrO_2粒子结晶时形态的以改变,即ZrO_2由无定形转变为单斜,再转变成四方结构,并由TEM和X—射线衍射图得以证实.  相似文献   

3.
综述了高分子基纳米复合材料几种重要的制备方法,包括插层法、溶胶-凝胶法、共混法、原位聚合法、微乳液聚合法和LB膜法;介绍了常用的几种结构性能表征方法和在涂料、医用材料、电子功能材料等领域的应用。  相似文献   

4.
膜污染的问题正限制着膜技术的进一步扩大应用,而两性离子聚合物具有亲水基团,能高度水化从而阻抗非特异性蛋白的吸附,因此,通过接枝改性技术将两性离子引入到膜材料中,制备耐污染性膜具有重要的研究意义.该文综述了两性离子聚合物在超滤膜领域的应用进展,对膜改性方法进行了分类,并展望了其应用前景.  相似文献   

5.
LB(Langmuir--Blodgett)技术制备了辣根过氧化酶-正十九烷酸LB单分子生物膜.探究其成膜条件(铺展量,亚相的pH,亚相的离子强度),并进行电化学表征.进一步的实验结果显示,HRP-正十九烷酸复合膜中的HRP能保持其对H2O2还原的生物电催化活性,而且能快速地响应H2O2浓度的变化.  相似文献   

6.
用膜法来处理废水有高效、低能耗和易操作处理、效率高的优点,而且有利于回收废液中的物质,在水处理中有着广阔的应用前景。文章概述了膜技术在污水处理中的应用。  相似文献   

7.
为探究袋式除尘滤料丙纶LB450和LB500的表面改性问题,利用溶液腐蚀法,在酸度、温度和时间三因素实验水平下,比较了二者的耐酸腐蚀性能。结果表明:LB500的耐腐性能优于同条件下的LB450;当温度低于40℃,二者适宜长时间使用;程度不同的氧化作用可能是造成耐腐性能差异的主要原因.  相似文献   

8.
对膜分离技术的原理、特点和膜材料及构型进行了介绍,并在此基础上综述了膜分离技术在果汁加工中的应用,分析了该技术目前存在的问题,探讨了膜技术在果汁生产中的应用前景.  相似文献   

9.
C60是碳的一种同素异形体,具有很多奇特的物理化学性质,[1]Langmuir-Blodgett膜(LB膜)是形成C60分子有序结构的一种有效的方法。[2]通过研究沉积在亲水玻璃基底上的单层C60/SA LB复合膜和单层C60/AA LB复合膜的π-A曲线和原子力显微镜(AFM)图片,发现C60/SA LB复合膜排列更为均匀有序,而C60/AA LB复合膜排布不如C60/SA LB复合膜均匀有序,但是膜的厚度较薄。  相似文献   

10.
10月13日上午,2008中国欧盟膜技术国际研讨会开幕式在山东大学威海国际学术中心举行。开幕式上,"中欧(威海)膜技术合作研发中心"正式揭牌。欧洲膜技术协会主席托欧夫·雷克尼斯和意大利膜技术研究中心主任恩瑞克·德里奥利在致辞中分别表示,欧盟和中国有着广泛的合作基础,希望以这次"中欧(威海)膜技术合作研发中心"的成立为契机,加强双方在海水淡  相似文献   

11.
讨论了Si/SiC半导体纳米复合发光薄膜退火工艺的控制。半导体纳米复合发光薄膜的光致发光性能,直接受到退火工艺的影响和制约,退火后薄膜的组态及其元素的变化等因素,可能使得薄膜变成并不是所期望得到的结果。该文采用了在不同气氛、不同退火介质、不同放置方法等防氧化方法下进行退火,提高了退火可信度,使纳米复合薄膜的结果更可靠。  相似文献   

12.
铁电薄膜与半导体集成技术而发展起来的集成铁电器件受到了众多学者的关注,文章重点介绍了一些常见集成铁电器件:铁电存储器、铁电红外探测器、微波可调器件和铁电集成光电器件的原理,特点,研究发展和应用,指出了集成铁电器件的铁电薄膜研究中需要解决的一些问题.  相似文献   

13.
利用光学薄膜的界面反射和透射的光学原理,通过对空气-薄膜-基片所构成的单层膜系统光学特性的分析,在考虑基片吸收的情况下推导出单层膜系统的透射率公式,依据透射率公式可以求解薄膜的光学常数.  相似文献   

14.
采用溶胶凝胶(sol-gel)法,在普通载玻片和Si-SiO2衬底上成功制备Ce掺杂ZnO薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)及光致荧光光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行表征.XRD谱表明大部分样品都有较好的c轴择优取向,而且随着退火温度的升高择优取向明显改善.PL谱中在390nm附近可观察到明显发光峰,退火温度升高能够提高本征发光峰强度,抑制可见光区发光强度.用AFM观察到的样品表面形貌表明,退火温度提高使样品表面更加平整,同时粒径变大.  相似文献   

15.
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)旋涂法在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,在室温下利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光谱(PL)等手段分析所得ZnO薄膜的晶体结构和发光特性.结果表明:当热分解温度为400℃,晶化温度为450℃~650℃时,溶胶.凝胶旋涂法制备的ZnO薄膜样品属六方纤锌矿结构,ZnO薄膜呈现沿各个晶面自由生长的特性;在室温下均有较强的紫外带边发射峰,这表明带间跃迁占了主导地位,与缺陷有关的可见发射带很弱.以上结果说明:溶胶.凝胶法制备的ZnO薄膜质量较高.  相似文献   

16.
采用sol-gel法制备了锐钛矿型TiO2薄膜与Ni2+掺杂TiO2薄膜。通过XRD、AFM表征了薄膜的晶相和形貌特征,用接触角测定仪测定接触角以评估薄膜的亲水性,以甲基橙作为有机污染物研究了薄膜的光催化性能。实验结果发现:少量Ni2+掺杂提高了TiO2薄膜的亲水性和光致亲水性。但Ni2+掺杂却使TiO2光催化性能有所降低。结果表明,TiO2薄膜表面的光致亲水性与光催化特性无正相关性。  相似文献   

17.
采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法,在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜.利用原子力显微镜,研究氮的掺入对薄膜表面形貌的影响,结果表明,N的掺杂改善了HfO2薄膜的表面形貌,同时抑制了高温退火过程中表面粗糙度的增加;通过椭圆偏振仪对薄膜的光学特性的研究表明,随退火温度的升高,薄膜的折射率和消光系数都呈上升趋势.  相似文献   

18.
Pt/Ti bottom electrodes were fabricated on SiO2/Si substrates by magnetron dual-facing-target sputtering system. Lead zirconate titanate(PZT) thin films were deposited on Pt/Ti/ SiO2/Si substrates by radio frequency (RF) magnetron sputtering system. The thickness of PZT thin films which were deposited for 5 h was about 800 nm. XRD spectra show that PZT thin films deposited in Ar ambience and rapid-thermal-annealed for 20 min at 700 ℃ have good crystallization behavior and perovskite structure. AFM micrographs show that mean diameter of crystallites is 70 nm and surface structures of PZT thin films are uniform and dense. Raw mean, root mean square roughness and mean roughness of PZT thin films are 34.357 nm, 2.479 nm and 1.954 nm respectively. As test frequency is 1 kHz, dielectric constant of PZT thin films is 327.6. Electric hysteresis loop shows that coercive field strength, residual polarization strength and spontaneous polarization strength of PZT thin films are 50 kV/cm, 10 μC/cm2 and 13 μC/cm2 respectively.  相似文献   

19.
以无机盐SnCl2·2H2O为主体原料,以Zn(CH3COO)2·2H2O2为掺杂剂,无水乙醇为溶剂,采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备了ZnO-SnO2薄膜;采用DTA-TG及XRD等分析手段研究了ZnO-SnO2薄膜的热分解和晶化过程,对ZnO-SnO2薄膜的结构进行了表征。研究了ZnO-SnO2薄膜的电学、气敏性能及机理。实验证明,ZnO-SnO2薄膜在常温下对H2S气体具有很好的气敏性能。  相似文献   

20.
利用磁控溅射法在玻璃基片上制备Zn095Ca005O薄膜,用X射线衍射(XRD)研究薄膜的结构特性,用LS920荧光光谱仪测量了样品薄膜的PL谱,探讨了衬底温度对薄膜结晶质量和光学性质的影响。研究发现,衬底温度对薄膜的质量影响较小,450℃时制备的薄膜结晶质量最好;不同衬底温度对发光峰强度有影响;薄膜在可见光区显示出较高的透过性,在350-400nm范围内薄膜透过率骤然下降,在该范围内存在吸收边。  相似文献   

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