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相似文献
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1.
采用固相反应法制备了准同型相界处的0.68Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.32PbTiO3陶瓷,探索了其最佳预烧温度,并研究了不同烧结温度下制备的陶瓷样品的微观形貌、致密度、铁电、压电性能.结果表明,样品的致密度和剩余极化随着烧结温度的升高而略有升高,矫顽电场随着烧结温度的升高而降低.烧结温度对样品的压电性能具有非常大的影响.1 200℃烧结的样品具有非常良好的压电性能:压电常数d33~560 pC/N,厚度振动机电耦合系数kt~54.0%,径向振动机电耦合系数kp~30.4%.  相似文献   

2.
金属氧化物沉积法制备钛酸铋钠陶瓷的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
金属氧化物沉积法(MOD)成功地制备了Bi1/22Na1/2TiO3(NBT)基无铅压电陶瓷,样品的X射线衍射(XRD)结果显示其具有较好的结晶性,XRD指标化后的结果表明,晶胞参数的变化,在室温下是赝立方相。通过测量不同退火条件下陶瓷表观密度,得到NBT陶瓷采用MOD法的最大密度可在烧结温度约为1150℃左右。  相似文献   

3.
《商洛学院学报》2015,(6):37-40
以商洛市丹凤县梁水沟铁尾矿为主要原料来制备微晶玻璃,通过测试样品的XRD图谱、密度、莫氏硬度、抗压强度和耐腐蚀性能,来分析不同烧结温度对样品性能的影响。实验结果表明:随着烧结温度的升高,试样的密度、莫氏硬度及抗压强度均先增大后减小,失重率先减小后增大。在1150℃烧结时,各项性能均最好,密度为2.84 g·cm(-3),莫氏硬度为5.5-6.5,抗压强度达132.25 MPa,酸性失重率为0.016%,碱性失重率为0.121%。因此,为了获得较好的性能,此类尾矿的最佳烧结温度为1150℃。  相似文献   

4.
本文简要地述了PbTiO3压电陶瓷的掺杂改性研究现状,着重于PbTiO3压电陶瓷的掺杂改性的实用意义,介绍了一些具有典型优良压电特性的掺杂配方及其陶瓷材料的机电性能.  相似文献   

5.
用常规的陶瓷工艺制备SnO2-Co2O3-Nb2O5-Y2O3陶瓷. 采用XRD、SEM来对陶瓷的微结构进行表征,详细研究了温度对陶瓷电学行为的影响. 结果表明:烧结的陶瓷结构致密,在陶瓷样品中,除了SnO2相之外,没有发现其他相,在晶粒与晶粒之间没有观察到明显的晶粒层. 在直流电条件下,陶瓷具有明显的稳定的变阻器行为,随着温度的升高这种行为减弱,电导率增大,表现出半导体行为. 这些事实可以归因于陶瓷中的固熔体和晶格中各种缺陷的形成.  相似文献   

6.
采用传统方法制备了0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3无铅压电陶瓷,研究了烧结温度对其结构和电性能的影响规律.结果表明:0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06 BaTiO3陶瓷能够形成纯的钙钛矿型固溶体,其最佳烧结温度为1 180℃,其电性能为:d33=146pC/N;kp=22%;ε=1 357.3;tanδ=4.6%.  相似文献   

7.
Ti3Si C2是一种新型金属陶瓷材料,集金属和陶瓷特性于一身。文中采用浸渗反应烧结技术制备Ti3Si C2材料,同时对制备试样的性能进行了研究。研究结果表明:当浸渗温度为1550℃,保温时间为20min时,制备试样的纯度为96.1%,气孔率为5.3%;随着试样中Ti3Si C2含量的增多,材料的性能随之明显提高。  相似文献   

8.
利用传统陶瓷烧结工艺制备了(KxNa1-x)0.94Li0.06NbO3无铅压电陶瓷,研究了该系列陶瓷的微观晶体结构和压电性能.结果表明.随着组分的变化室温下该系列陶瓷呈现出2个正交-四方相界,分别位于x=0.40和x=0.60附近;组分石的变化对陶瓷的压电性能影响显著,其中x=0.45的(KxNa1-x)0.94Li0.06NbO3陶瓷表现出最优异的压电性能(d33=205pC/N,kp=48.5%).  相似文献   

9.
研究了双层压电悬臂梁的工作原理及其有效机电耦合系数,借助ANSYS软件并选用Solid5(压电材料),Solid45(中间金属层),Circu94(电阻)3种元素类型建立压电换能器的有限元模型,通过谐振仿真分别求出压电装置的短路和开路谐振频率,得到其有效机电耦合系数.仿真结果表明,压电装置的有效机电耦合系数要小于压电材料的耦合系数,且与理论计算结果基本一致,仿真方法可有效地评价压电换能器的工作性能,并为后续实验提供理论指导.  相似文献   

10.
层状复合材料NiMnGa/PZT的磁电耦合效应研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
选取NiMnGa合金和传统的压电材料PbZr0.52 Ti0.48 O3(PZT陶瓷),制备出2-2型层状复合磁电材料NiMnGa/PZT。在室温下测量了其磁电耦合效应,得到了该材料的磁电耦合系数随频率和偏置磁场的变化曲线。由磁电耦合系数随偏置磁场的变化曲线选择合适的模型,对该结果进行了比较理想的拟合,分析了拟合过程及磁电耦合效应的物理机制。可以为设计样品以提高磁电耦合效应提供参考。  相似文献   

11.
氮化硅对石英陶瓷性能影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了氮化硅加入物对石英陶瓷性能的影响。结果表明,氮化硅有助于石英陶瓷的烧结,而对烧结温度无影响。在1150℃-1200℃的温度范围内,添加0.5-1.5%的氮化硅不会引导石英玻璃的析晶。烧成在1150℃-1200℃温度范围内,石英陶瓷的强度、体积密度随氮化硅的添加量增大和烧结温度提高而增大,而石英陶瓷的显气孔率随氮化硅添加量的增大和烧结温度的升高而减小。  相似文献   

12.
采用溶胶凝胶法制备了系列Pr0.5Sr0.5MnO3纳米晶样品,用X射线衍射仪和扫描电子显微镜观察了材料的晶体结构和微结构,并用振动样品磁强计对其磁性和磁热效应进行了研究.结果表明,随着烧结温度的提高,材料颗粒尺寸也相应增大.当材料颗粒尺寸大于115nm时,材料表现出反铁磁到铁磁的一级相变和铁磁到顺磁的二级相变,而当颗粒尺寸小于115nm时,样品低温的反铁磁到铁磁相变消失,只剩下铁磁到顺磁一个相变.采用Maxell关系计算了材料在1T磁场下的磁熵变,在反铁磁到铁磁相变附近发现了正磁熵变,而在铁磁到顺磁相变附近具有负磁熵变.  相似文献   

13.
选用纯钨粉和纯铝粉通过实验方法探讨铝对钨的活化烧结行为,采用高真空钽加热炉进行烧结,应用扫描电镜(SEM)分析了样品组织形貌,并用洛氏硬度计和水静法等方法测试、分析了样品的硬度和密度等性能。结果表明,A l的加入使钨的烧结过程由固相烧结转为液相烧结,从而起到活化烧结作用;相同成分下,随着烧结温度的提高,烧结体的致密度、硬度提高;相同烧结工艺,随着含铝量的增加,烧结体的致密度降低、硬度提高。相比较而言,最佳的烧结工艺应选择在真空中以1 600℃烧结0.5h,最佳的成分应选择钨中掺杂0.99%的铝元素。  相似文献   

14.
用溶胶-凝胶法制备出EuFeO3纳米颗粒,通过调节蒸胶温度控制Eu3Fe5O12相的生成,X射线衍射测试结果表明当蒸胶温度升高到140℃时,样品会出现EuFeO3和Eu3Fe5O12的混合相.并且随着蒸胶温度的升高,样品的磁性逐渐增强,但可见光下对有机染料罗丹明B的催化降解效率逐渐减弱.当在光催化反应中加入少量H2O2后,由于存在非均相芬顿反应,罗丹明B的降解效率有了进一步的提高.  相似文献   

15.
以聚酯二元醇、甲苯二异氰酸酯、1,4丁二醇、1,1,1三羟甲基丙烷和纳米钛酸钡粉体为原料,采用一步法制备了一系列BaTiO3/聚氨酯复合物弹性体.BaTiO3/聚氨酯复合物弹性体的密度、硬度和介电常数随钛酸钡含量的增加而增加.采用数字散斑相关测量方法研究了复合物弹性体在电场诱导下的应变与复合物中钛酸钡含量的关系.结果表明BaTiO3/聚氨酯复合物弹性体在外加高压电场的作用下,随着高压电源的开合,其应变也随之呈现出相应的收缩与回复.复合物的电致伸缩系数高于相应的聚氨酯弹性体,但复合物的电致伸缩系数随复合物中钛酸钡含量的增加而逐渐减小.  相似文献   

16.
采用相同的工艺制备了氧化锌(Zn O)陶瓷坯体,然后在1 140℃下常压和高压(20 MPa)烧结2 h形成压敏陶瓷块样品。为了比较烧结方式对Zn O压敏陶瓷的微结构和电学性质的影响,利用扫描电子显微镜观察了压敏陶瓷的微结构,并测试了Zn O压敏陶瓷的I—U和C—U曲线。结果表明,热压烧结得到的样品晶粒较小,析出相的含量较低。I—U曲线的测试也表明,热压烧结和普通烧结的Zn O陶瓷的电位梯度分别为5 230 V/cm和3 980 V/cm,非线性系数分别为32和19,说明热压烧结Zn O陶瓷的压敏性能得到了较大的提高。C—U曲线表明,压敏性能提高的机理是热压烧结导致Zn O晶粒内部的掺杂浓度大大提高,这也与观察到的微结构相吻合。  相似文献   

17.
为了提高Pb(Zr0.52 Ti0.48)O3(PZT)压电陶瓷的性能,通过改进传统固相法,研究CeO2不同掺杂量对PZT压电陶瓷性能的影响。采用X射线衍射和阻抗分析仪对样品进行分析,研究结果表明,掺杂后的PZT压电陶瓷均为单一的钙钛矿结构,随着掺杂量的增加,晶相逐渐从四方相向三方相转变,相对介电常数和介电损耗先增加后减少。当CeO2掺杂质量分数为0.6%时,介电常数达到最大值,为934;掺杂质量分数为0.8%时,介电损耗最小,为1.3%。这表明了CeO2掺杂既可以是“软性”掺杂,又可以是“硬性”掺杂。  相似文献   

18.
采用常压烧结方法制备了Ga2O3陶瓷靶,用X射线衍射仪、金相显微镜对Ga2O3陶瓷靶的结构和形貌进行了研究.用射频磁控溅射Ga2O3陶瓷靶材和直流磁控溅射ITO(锡铟氧化物)靶材分别制备了Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜,用紫外-可见分光光度计、四探针测试仪对Ga2O3薄膜、Ga2O3/ITO/Ga2O3膜的光学透过率和电阻率进行了表征. Ga2O3薄膜不导电,光学带隙5.1eV;Ga2O3(45 nm)/ITO(14 nm)/ Ga2O3(45 nm)膜在300 nm处的光学透过率71.5%,280 nm处60.6%,电阻率1.48×10-2Ω.cm.ITO层的厚度影响Ga2O3/ITO/ Ga2O3膜的光电性质.  相似文献   

19.
研究了湿法合成ZnO陶瓷样品的结构及缺陷对材料电性能的影响。结果表明,湿法合成的ZnO材料是由主晶相ZnO、尖晶石相和富Bi液相组成的。随着烧结温度的提高,材料中出现了微空洞型缺陷。通过SEM、XRD结构分析和对材料电性能的测试,给出了阈值电压E0、非线性系数α的变化特点,并定性地讨论了材料的结构和缺陷对阈值电压、非线性系数的影响。  相似文献   

20.
采用共沉淀制备前驱体,微波高温固相烧结制备富锂正极材料0.5Li2Mn O3·0.5Li Ni1/3Co1/3Mn1/3O2.通过X射线衍射(XRD)、电镜扫描SEM、循环伏安(CV)、充放电性能等材料结构的表征和电化学性能测试,研究了不同烧结时间(微波3 min、5 min、7 min、15 min)对材料结构电化学性能的影响.发现较佳的合成条件所合成的富锂正极材料0.5Li2Mn O3·0.5 Li Ni1/3Co1/3Mn1/3O2结构是α-Na Fe O2型,为二维层状结构.在2.0~4.8 V的截止电压范围、17 m Ah·g-1的电流密度,首次放电容量为284.6 m Ah·g-1,20个循环容量的保有率为75.6%.通过微波高温烧结合成正极材料,研究了制备工艺对材料结构和电化学性能的影响,并探讨了该体系的应用前景.  相似文献   

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