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采用脉冲激光沉积方法,以烧结的Fe3O4为靶材,在STO（100）基底上制备了Fe3O4（100）薄膜。XRD和AFM显示薄膜为纯相外延单晶薄膜、表面较平整。对薄膜的磁电阻进行测量,薄膜为负磁电阻,且在Verwey转变温度（约120K）时磁电阻最大。霍尔效应测量得到薄膜中栽流子浓度随着温度的降低而减小,In（n）与I／T基本呈线性关系,符合半导体热激活模型,迁移率随着温度的降低而减小,说明在薄膜内存在大量电离杂质中心。薄膜磁滞回线中较高的饱和磁化场。说明薄膜中APBs密度较低。 相似文献
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蒋丽钦 《福建师大福清分校学报》2009,(Z1)
RLC串联谐振电路实验中谐振特性的实验曲线与理论曲线总存在一定的误差,且谐振频率越高时,偏差越大.本文通过实验研究,分析了电感和电容串联总损耗电阻对谐振曲线及Q值的影响,利用实验所测得的电感和电容串联总损耗电阻对谐振曲线及Q值进行修正,发现修正后的理论结果与实验测量数据吻合得较好. 相似文献
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采用磁控溅射法制备了La0.8Sr0.2MnO3(100nm;50nm;17nm)TiO2(70nm)异质PN结,并对其进行电学性能研究.结果显示样品均表现出很好的整流特性.并且在La0.8Sr0.2MnO3/TiO2异质PN结中,当LSMO膜厚较薄时,由于LSMO薄膜与衬底之间的较高的应力局限了载流子浓度,导致扩散电压减小.变温电流电压特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化.值得提出的,异质PN结结电阻随温度变化曲线表现出单层LSMO具有的金属绝缘相变特性,并且在低温测量时,结电阻随着测量温度的降低而增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入造成的. 相似文献
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一、引言电热法是测定热功当量的传统方法 ,其电场力做功是采用伏安法测出加热电阻两端的电压Ｕ和通过的电流Ｉ来计算的 ,即电场力做功Ａ =ＵＩｔ。设系统吸收的热量为Ｑ ,不考虑系统和周围环境的热交换 ,电场力做功全部转化为热量 ,则热功当量Ｊ =ＡＱ 。在本实验中 ,由于电压表 ,电流表内阻的存在 ,无论采用内接法 ,还是外接法 ,用伏安法测定的电压Ｕ和电流Ｉ均存在一定量的系统误差 ,从而导致电场力所做功的实验值比真实值偏大 ,引起热功当量Ｊ值的偏大。 二、系统误差存在原因的分析设加热电阻的阻值为Ｒｘ,实验使用电压表 ,电流表的… 相似文献
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多用电表是日常修理中的常用仪表和得力助手,俗称“万用表”,因其用途众多而得名。常见的多用电表分指针式多用电表和电子多用电表,无论是哪种多用电表,通常都设计有交流电压、直流电压、直流电流、直流电阻等这几种测量模式,可通过旋钮来实现各种测量模式之间的转换。每一种测量模式中又有多种量程或倍率可选,以适应测量各种电路中的大小不等的交、直流电压,直流电流和直流电阻等等的需要。 相似文献
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介绍了一种测量谐振系统对地电容的新方法,首先向谐振系统中性点注入一定宽度、一定幅值的方波脉冲信号,再测量系统某一电气量（如中性点电压）的振荡频率,求得系统对地电容.本文通过理论分析得出了对地电容的算法,并对方波宽度和幅值做了约束.最后通过计算机仿真分析了阻尼电阻和中性点偏移电压对测量振荡频率的影响,提出了消除影响的措施. 相似文献
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基于阈值电压的负温度特性以及热电压的正温度特性,给以适当的权重后把它们相加,提出了一个零温度系数的基准电压电路。该器件由工作在亚阈值区的CMOS晶体管组成,不包含电阻和双极晶体管。采用3支路电流基准结构替代共源共栅结构和嵌入式运算放大器,具有芯片面积小和功耗低的优点。仿真结果表明,在标准0.18μmCMOS工艺下,该电路可在0.75 V电源电压下工作,输出电压为563 mV。在-40~125℃范围内,电压温度系数仅为17.5×10^-6/℃。电源电压范围在1.2~1.8 V时线性灵敏度为569.5×10^-6/V,电源抑制比可达到66.5 dB@100 Hz,最高功耗仅为187.4 nW。 相似文献