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为研究根式基础在电塔基础上的受力特性,采用透明土与粒子图像测速(particle image velocimetry, PIV)技术,分析3种根式基础受上拔、水平荷载时的荷载-位移(Q-s)关系曲线,以及极限荷载条件下透明土的位移矢量变化,通过数值模拟探究不同根键长度对基础承载力的影响。结果表明：相同工况下,单层根式基础竖向抗拔承载性高于双层根式基础,但单层根式基础抗水平承载性低于双层根式基础。根键竖向间距为0.02 m双层根式基础位移矢量图显示,位移较大区域符合经典摩尔-库仑理论中的剪切破坏理论。数值模拟结果显示,双层根键竖向布置间距范围为0.83～1.25倍基础直径、根键长度为0.6 m时,抗拔承载性能较优。 相似文献