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利用低温分子束外延技术制备高质量的GaMnAs薄膜,通过XRD对样品进行分析,从实验和理论上分析生长条件、退火条件对薄膜缺陷及薄膜性能的影响.尤其是分析系统的研究间隙位Mn原子与As反位原子缺陷的变化,从而深入理解掺杂原子的周围结构与磁性之间的关系,为下一步制备自旋器件提供高载流子浓度、高居里温度的（Ga,Mn）As材料提供了可能性. 相似文献
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用射频溅射法制备了FeZrBNb合金薄膜,研究薄膜厚度对巨磁阻抗效应的影响。结果表明,适当增大薄膜的厚度可以降低薄膜样品的临界频率,提高阻抗比。频率为13MHz时,厚度为10．8μm的薄膜样品的最大纵向阻抗比达到了5．9％,高于3．5μm的薄膜样品（最大纵向阻抗比为1．9％）;而临界频率为400kHz,远低于薄膜厚度为3．5μm的样品（临界频率为1．3MHz）。 相似文献
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