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利用第一性原理计算方法研究了单斜结构氧化钨的电子性质,计算表明,单斜结构氧化钨是窄带隙的间接带隙半导体,零压下的带隙为1.36 eV。W-O化学键是共价键和离子键的混合。 相似文献
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