SiOxNy薄膜退火过程中N元素的流失对于Si结晶的影响     

李浩  杜希文  孙景  李静静 《实验技术与管理》2007,24(10):33-36

通过不同的溅射工艺制得了3组SiOxNy薄膜样品,并进行了不同的退火工艺。在退火后的样品分析结果中发现了薄膜中的N流失现象,并且对N流失促进了Si结晶的这种特点进行了分析和讨论,为今后利用N流失现象进行S i纳米量子点的制备提供了实验和理论依据。  相似文献   

纳米金刚石粉末的粒度分析     

孙景  李竞强  杜希文  翟琪  胡胜亮 《实验技术与管理》2007,24(4):28-29,54

该文针对激光法合成的纳米金刚石进行了一系列粒度分析研究，包括TEM、比表面分析法、x射线衍射法、显微激光拉曼分析和x射线小角度散射法，不同的研究手段得到的纳米金刚石粉的粒径不尽相同。比较各种研究手段得到的结果可以对纳米金刚石粉末的粒度有一个全面的了解，分析结果可以互相印证，并且针对不同的分析要求可选择不同的方法。  相似文献   

Si/SiC纳米复合薄膜退火工艺的控制     

贾士利  孙景  李家俊  杜希文  赵乃勤  师春生 《实验技术与管理》2006,23(7):30-32

讨论了Si／SiC半导体纳米复合发光薄膜退火工艺的控制。半导体纳米复合发光薄膜的光致发光性能，直接受到退火工艺的影响和制约，退火后薄膜的组态及其元素的变化等因素，可能使得薄膜变成并不是所期望得到的结果。该文采用了在不同气氛、不同退火介质、不同放置方法等防氧化方法下进行退火，提高了退火可信度，使纳米复合薄膜的结果更可靠。  相似文献   

半导体薄膜发光谱的修正     

杜希文  符杨  孙景 《实验室研究与探索》2006,25(4):418-420

讨论了半导体发光薄膜的光致发光谱修正要点。光致发光结果受到氙灯的光强、温度及薄膜表面的平整度等因素的限制,使得结果可比性差。采用了标准偏差的方法修正了数据,使其具有可比性。  相似文献