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许鸿鹤 《世界华商经济年鉴·科学教育家》2008,(5)

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基于ISE的AlGaN/GaN HEMT的C-V 转移特性模拟     

鲁小妹  吕长志  张小玲  朱修殿  刘婧  许鸿鹤 《闽江学院学报》2006,27(5):67-69,87

主要叙述了在ISE软件平台上对AlGaN／GaN HEMT的转移特性以及C—V特性的模拟．首先实现了通过引入δ掺杂层的方法对器件的极化效应的模拟．其次,在此基础上改变了的AlGaN／GaN HEMT中spacer层的厚度,分别模拟了器件的转移特性和C-V特性．从结果得知,随着spacer层厚度的增加器件的跨导和电容均有所降低,所以应该在不同的应用领域选择不同的spacer层厚度．  相似文献