氧等离子体处理聚硅烷涂层制备二氧化硅薄膜     

向少华  谢茂浓 《怀化师专学报》2002,21(2):48-50

用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜，红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为1075cm^-1，并随处理时间的延长峰位向高波数移动，可至1088cm^-1,光电子能谱测得薄膜中的Ols和Si2p的电子结合能分别为533．0ev和103．8ev，硅氧原子接近化学计量比,拉曼光谱分析也表明薄膜中含有一个极大的拉曼特征峰。  相似文献   

氧等离子体处理聚硅烷涂层制备二氧化硅薄膜     

向少华  谢茂浓 《怀化学院学报》2002,21(2):48-50

用氧等离子体法在低温下已将自合成的聚硅烷涂层成功地转变为二氧化硅薄膜 红外光谱分析表明薄膜的Si-O伸缩振动特征峰为 10 75cm-1,并随处理时间的延长峰位向高波数移动 ,可至 10 88cm-1 光电子能谱测得薄膜中的O1s和Si2p的电子结合能分别为 5 33 0ev和 10 3 8ev ,硅氧原子接近化学计量比 拉曼光谱分析也表明薄膜中含有一个极大的拉曼特征峰  相似文献   

电子束辐照对Poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响     

向少华  谢茂浓  张明高 《怀化学院学报》2003,22(5):32-35

利用剂量为 10 13 cm～ 10 16 cm- 2 ,能量为 0 .4Mev～ 1.8Mev的电子束辐照Poly -SiO2 Si结构 ,对辐照后样品进行了C -V特性曲线测试 .测试结果表明 ,高能电子束辐照Poly -SiO2 Si结构引起的MOS电容平带电压随辐照剂量、能量的增加而发生漂移 ,但其漂移量低于同一实验环境中干氧氧化生长的SiO2 Si结构  相似文献