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宽带CMOS LC压控振荡器设计及相位噪声分析 总被引：1，自引：0，他引：1
应用标准0.18μm CMOS工艺设计并实现了宽带交叉耦合LC压控振荡器.采用开关电容阵列拓宽频率范围.设计过程中对相位噪声进行了优化.应用线性时变模型(LTV)推导出相位噪声与MOS晶体管宽长比之间的函数关系,从理论上给出相位噪声性能最优的元件参数取值范围.为简化推导过程,针对电路特点按晶体管工作状态来细分电路工作区域,从而避免了大量积分运算,以尽可能简单的比例形式得到相位噪声与设计变量间的函数关系.测试结果表明,在1.8V电源电压下,核心电路工作电流为8.8mA,压控振荡器的频率范围为1.17 ～1.90GHz,10kHz频偏处相位噪声达到-83dBc/Hz.芯片面积为1.2mm×0.9mm. 相似文献
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采用覆层测厚仪、SEM、电化学工作站等研究了脉冲占空比和频率对Mg-4Gd-3Y-0．5Zr微孤氧化膜的生长、表面微观形貌和耐腐蚀性能的影响．结果表明,占空比、频率对膜层厚度影响较小;随着脉冲频率的增加,氧化膜袁面微孔数量增多、孔径减小,粗糙度降低;而随着占空比的增加,变化趋势则相反;膜层耐蚀性随频率和占空比的增加均先增强后降低,最佳频率和占空比分别为600Hz、10％． 相似文献
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