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溅射铜基材上浸镀银的微结构表征 总被引：3，自引：1，他引：3
在铜基材上采用电化学浸镀技术沉积银已成为当今一项热门技术。研究采用了含有添加剂的乙醇溶液作为镀液。沉积的银采用场发射扫描电子显微术(FESEM)和原子力显微术(AFM)加以表征。研究表明，采用乙醇基镀槽制备的浸银层具有很强的表面轮廓覆盖能力，在铜基材的凸台区覆盖的银粒子尺寸为15nm左右，而在低凹区的银粒子的尺寸为10m左右。 相似文献
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通过球铁曲轴的等温淬火和表面超音频淬火复合处理的工艺研究,把等温淬火和超音频淬火两种热处理技术有机地结合在一起,应用于球铁曲轴上,获得了曲轴心部为上贝氏体、残余奥氏体和微量的下贝氏体,保证了心部的高强韧性;表面淬硬层为高密度位错马氏体的综合组织,提高了表层的高耐磨性。其抗拉强度达1 200MPa以上、延长率达到4%~6%、表面硬度达50~58HRC。因此具有优良的力学性能,完全可以取代钢件曲轴应用于中、高端内燃机曲轴。 相似文献
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借助SEM与XRD分析手段,对自制的AlTiCCeP(含2%P)中间合金进行物相分析,并以Al-30%Si合金为变质对象,探讨其对初晶硅的变质效果与变质机理。结果发现:AlTiCCeP中间合金组织中含有TiC、AlP、TiAl3和Ti2Al20Ce等物相,当AlTiCCeP的添加量(以磷的实际添加量计算)为Al-30%Si合金质量的0.15%时,对初晶硅变质效果显著,平均尺寸约为28μm,优于商用Cu-P中间合金。 相似文献
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研究熔体温度处理工艺(包括熔体混合及熔体过热处理)与磷铜变质对Al-20％ Si合金中硅相形态的影响.结果表明:在本试验条件下,单纯添加磷铜变质剂的Al-20％ Si合金,当添加其合金质量的0.4％时,初晶硅由未变质前的97 μm减小到65 μm,减小了33％;当将熔体温度处理工艺与磷变质处理相结合时,此时Al-20％ Si合金中的初晶硅尺寸减小至36 μm,减小了62％,且钝化现象显著,弥散分布于α-Al基体上,共晶硅也由未变质前的长针状变为短纤维状和点状. 相似文献
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利用先进的电化学系统,通过测定铜-银电偶电流,分别对有无络合剂条件下印刷电路板浸镀银的沉积速度进行测定,并将测定结果与常规的容量滴定法进行对比.结果表明,与常规的容量滴定法相比,采用电偶电流法测定浸镀银的沉积速度,不仅直观、方便、速度快,而且能进行在线检测,有利于及时对印刷电路板的浸银工艺进行调整. 相似文献
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