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本文研究了掺A1或掺Ag微粉的聚丙烯（PE）基和聚偏氟乙烯（PVDF）基导电开关型复合材料的受γ辐射效应。发现吸收一定剂量的γ辐射后,材料的开关电压阈值Vk降低。并发现导电开关型复合材料存在三个累积辐射剂量界限：γ0、γ1和γ2。当累积辐射剂量小于γ0,复合材料Vk数值的变化与自然老化相似;当累积辐射剂量大于γ0但小于γ1,材料的开关性能变差,但停止辐射后经历一段时间后可以自行基本恢复;当累积辐射剂量大于γ1但小于γ2,材料的导电开关性能消失;当累积辐射剂量大于γ2后,材料将永久损伤。本文从理论上分析并验证了γ辐射的电离效应和量子隧道效应的叠加作用是产生复合材料上述受辐射效应的主要原因。 相似文献
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本文介绍了精细Ｔ／Ｐ热释电复合材料的研制,物性参数的测量和应用上必须注意的问题。并介绍了精细Ｔ／Ｐ热释电复合材料薄膜制成的红外线传感器。 相似文献
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研究了集成运算放大器在γ辐射环境下的效应．发现经受一定剂量的γ辐射后，双极型集成运算放大器的Ｖｉｏ、Ｉｉｏ、ＩＢ＋、ＩＢ－等电参数明显增大，放大系数减小，停止辐射并经历一定条件的退火处理，这些电参数可以基本恢复．斩波式自动稳零型ＣＭＯＳ集成运算放大器抗γ辐射能力较强．集成运算放大器受γ辐射效应主要是电离损伤． 相似文献
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研究了铁电─驻极体复合材料的受辐射效应，发现吸收一定累积剂量的γ辐射后，复合材料的体电阻ρ、介电常数ε、纯热释电系数ｐ、压电常数ｄ３３的数值和热电驰豫、极化驰豫特性都将发生变化。一种复合材料存在两个累积辐射剂量数值界限：ｒ０和Ｒ０。当累积辐射剂量小于并接近ｒ０，复合材料的ρ、ε、ｐ和ｄ３３的衰减趋势与自然老化基本相同；当累积辐射剂量大于Ｒ０，复合材料将永久损伤。本文从理论上分析了γ辐射的电离作用导致复合材料内部局域态分布的改变是产生上述辐射效应的主要原因。 相似文献
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本文从理论上探讨了铁电－驻极体热释电复合材料的介电性和热释电性的老化机制，并通过实验对ＴＧＳ—ＰＶＤＦ热释电复合材料进行了验证，理论值与实验值基本符合。表明复合材料中两相物质界面附近由于耦合作用导致空间电荷畸变的效应是铁电－驻极体热释电复合材料的介电和热释电性老化行为的主要原因。 相似文献
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研究了掺Al或Ag微粉的聚丙烯（PE）基和聚二氯乙烯（PVDF）基复合材料的导电开关特性，发现在某一电场阈值（对应开关电压阈值Vk）附近，复合材料的电导率随外电场的变化而发生大幅度变化，还研究了掺入金属微粉的种类、体积比及颗粒度对Vk的影响，验证了量子隧道效应是复合材料导电开关特性的主要机理。 相似文献
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