Sol-gel法制备BZT铁电薄膜及其电性能的研究     

印志强 《绥化学院学报》2009,29(4):176-178

Sol-gel法制备BZT铁电薄膜,用X射线衍射仪(BSX3200)和扫描电子显微镜研究了BZT的结构和表面形貌,用差热-热失重(TG-DTA)析谱分析BZT粉体的退火工艺.测定了薄膜的电性能:薄膜不加偏压下的介电常数大约为620左右,介电损耗和调谐量分别为0.0335和48.63%.  相似文献   

溶胶-凝胶法制备锆钛酸钡薄膜的研究     

印志强 《黑龙江科技信息》2009,(7):4-4

采用溶胶-凝胶法（sol—gel）法在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了BaZr0.75O3,（简称BZT）薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线（TG—DTA）分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,650℃时已经基本形成了钙钛矿结构,结合原子力显微图确定薄膜的热处理温度为750℃。  相似文献   

非晶态半导体载流子的漂移迁移率     

齐吉泰  于长兴  印志强  王春红 《绥化学院学报》2005,25(5):183-184

在分析非晶态半导体的电导时应考虑以下两个特点：第一,晶态半导体的导电主要靠导带中的电子或价带中的空穴;而在非晶态半导体中存在着扩展态、尾部定域态、禁带中的缺陷定域态等,这些状态中的电子或空穴都可能对电导有贡献,因此需要同时进行分析;第二,晶态半导体中的费米能级通常是随着温度变化而变化的,而非晶态半导体中的费米能级通常是“钉札”在禁带之中,基本不随温度变化而变化.下面,我们通过理论分析和实验测量来研究非晶态半导体定域态的载流子的漂移迁移率.  相似文献