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高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)作为一项极具发展前途的物理气相沉积新技术,近年来引起学术界和工业界的广泛关注.HIPIMS技术(也被称为HPPMS)可以提供足够的放电功率来获得极高的电流密度,数值达到几个A·cm-2;同时,可以得到1019m-3量级的高密度等离子体.溅射过程中独特的等离子体特性表明了该技术的突出优势,因此可实现沉积过程的控制和薄膜性能的优化.文中对HIPIMS技术的IV放电特征,电源设计,以及溅射原子离化率进行深入分析.同时,回顾讨论等离子体时间空间演变规律,离化基团输运,薄膜沉积速率等问题的研究进展.  相似文献   
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高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)作为一项极具发展前途的物理气相沉积新技术, 近年来引起学术界和工业界的广泛关注.HIPIMS技术(也被称为HPPMS)可以提供足够的放电功率来获得极高的电流密度, 数值达到几个A ·cm-2;同时, 可以得到1019 m-3量级的高密度等离子体.溅射过程中独特的等离子体特性表明了该技术的突出优势, 因此可实现沉积过程的控制和薄膜性能的优化.文中对HIPIMS技术的IV放电特征, 电源设计, 以及溅射原子离化率进行深入分析.同时, 回顾讨论等离子体时间空间演变规律, 离化基团输运, 薄膜沉积速率等问题的研究进展.  相似文献   
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