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本文通过建立CA-LBM(格子玻尔兹曼-元胞自动机)耦合数值模型,模拟了多晶硅定向凝固过程中FET(小平面柱状晶-等轴晶转化)微观组织演变过程。结果表明:在碳杂质浓度达到临界值后,小平面界面前沿通过在SiC上形核实现向等轴晶生长转化;凝固过程中碳杂质浓度的高低决定等轴晶形态,高的碳杂质浓度等轴晶形态为热等轴枝晶,低的碳杂质浓度等轴晶的形态为等轴晶粒;多晶硅最终微观组织结构受形核密度和形核过冷度控制。  相似文献   
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